缩略词表 | 第6-7页 |
中文摘要 | 第7-8页 |
ABSTRACT | 第8页 |
第一章 文献综述 | 第9-23页 |
1 细菌密度感应系统研究进展 | 第9-11页 |
1.1 密度感应系统的发现 | 第9页 |
1.2 密度感应系统的种类 | 第9-10页 |
1.3 细菌QS系统功能性研究及应用前景 | 第10-11页 |
2 浸矿细菌生物膜的形成及其在浸矿和酸性矿水治理中的应用 | 第11-19页 |
2.1 浸矿细菌生物膜的形成 | 第11-13页 |
2.2 细菌生物膜的观察和检测方法 | 第13-14页 |
2.3 基于密度感应系统的细菌生物膜抑制剂 | 第14-16页 |
2.4 浸矿细菌在酸性矿水治理中的应用 | 第16-19页 |
3 氧化硫硫杆菌密度感应系统、特性及其应用 | 第19-20页 |
4 氧化硫硫杆菌吸附性 | 第20-21页 |
5 立题依据 | 第21-23页 |
第二章 氧化硫硫杆菌的鉴定和生长特性 | 第23-30页 |
1 前言 | 第23页 |
2 材料和试剂 | 第23-24页 |
2.1 关键试剂 | 第23-24页 |
2.2 培养基 | 第24页 |
2.3 实验菌种 | 第24页 |
2.4 主要仪器与设备 | 第24页 |
3 实验方法 | 第24-27页 |
3.1 细菌的富集培养和平板纯化 | 第24-25页 |
3.2 菌株形态学描述 | 第25页 |
3.3 菌株 16S rDNA测序 | 第25-27页 |
4 实验结果和分析 | 第27-28页 |
4.1 菌落的形态特征 | 第27-28页 |
4.2 氧化硫硫杆菌生长过程p H值的变化 | 第28页 |
4.3 菌株 16S rDNA测序分析和同源性比较 | 第28页 |
5 讨论 | 第28-30页 |
第三章 氧化硫硫杆菌QS信号分子的检测 | 第30-36页 |
1 前言 | 第30页 |
2 材料和试剂 | 第30-32页 |
2.1 关键试剂 | 第30页 |
2.2 培养基 | 第30-31页 |
2.3 主要仪器与设备 | 第31-32页 |
2.4 菌种 | 第32页 |
3 实验方法 | 第32-33页 |
3.1 制作指示细菌A. tumefaciens NTL4 (pZLR4)指示平板 | 第32页 |
3.2 氧化硫硫杆菌培养液中AHL信号分子的萃取 | 第32-33页 |
3.3 指示平板验证 | 第33页 |
3.4 指示平板检测氧化硫硫杆菌萃取液中AHL信号分子 | 第33页 |
4 实验结果 | 第33-34页 |
4.1 验证指示平板实验结果 | 第33-34页 |
4.2 指示平板检测氧化硫硫杆菌萃取液中AHL信号分子 | 第34页 |
5 讨论 | 第34-36页 |
第四章 合成QS系统抑制剂 | 第36-41页 |
1 前言 | 第36页 |
2 材料和试剂 | 第36-37页 |
2.1 关键试剂 | 第36页 |
2.2 主要仪器与设备 | 第36-37页 |
3 实验方法 | 第37-39页 |
3.1 N-(3-环丁内酯)4溴苯乙酰胺及其类似物的合成 | 第37页 |
3.2 溴化呋喃酮化合物的合成 | 第37-38页 |
3.3 目标化合物的结构表征和理化性质检测 | 第38-39页 |
4 实验结果 | 第39-40页 |
4.1 化合物的结构表征和物理性质 | 第39-40页 |
5 讨论 | 第40-41页 |
第五章 合成化合物对氧化硫硫杆菌QS系统的影响 | 第41-47页 |
1 前言 | 第41页 |
2 材料和试剂 | 第41-42页 |
2.1 关键试剂 | 第41页 |
2.2 培养基 | 第41页 |
2.3 实验菌种 | 第41-42页 |
2.4 主要仪器与设备 | 第42页 |
3 实验方法 | 第42-43页 |
3.1 合成化合物储液配制中DMSO浓度的选择 | 第42页 |
3.2 制作细菌浓度与OD600的标准曲线 | 第42页 |
3.3 Furanone C-30 对A.thiooxidans生物膜形成的抑制 | 第42-43页 |
3.4 合成化合物对A.thiooxidans生物膜形成的影响 | 第43页 |
4 实验结果和分析 | 第43-46页 |
4.1 合成化合物储液配制中DMSO浓度的选择 | 第43-44页 |
4.2 制作细菌浓度与OD600的标准曲线 | 第44-45页 |
4.3 Furanone C-30 对A.thiooxidans生物膜形成的抑制 | 第45页 |
4.4 合成化合物对A.thiooxidans生物膜形成的影响 | 第45-46页 |
5 讨论 | 第46-47页 |
第六章 结论 | 第47-49页 |
攻读硕士学位期间的研究成果 | 第49-50页 |
参考文献 | 第50-56页 |
致谢 | 第56页 |