| 致谢 | 第1-6页 |
| 摘要 | 第6-8页 |
| Abstract | 第8-10页 |
| 目录 | 第10-12页 |
| 第一章 前言 | 第12-15页 |
| 第二章 文献综述 | 第15-39页 |
| ·硅基光电子概念的提出及意义 | 第15-17页 |
| ·微电子工业发展面临的挑战 | 第15-16页 |
| ·硅基光电子概念的提出与意义 | 第16-17页 |
| ·硅基发光材料的研究现状与进展 | 第17-27页 |
| ·体硅材料的光学性质 | 第17-19页 |
| ·硅基光电子的总体研究进展 | 第19-27页 |
| ·稀土掺杂硅基发光系统的光学性能及研究进展 | 第27-32页 |
| ·稀土的光学性质 | 第27-29页 |
| ·掺杂稀土离子薄膜的荧光性质 | 第29-32页 |
| ·铕掺杂氧化硅薄膜的研究进展 | 第32-38页 |
| ·氧化硅中铕离子的光学研究进展 | 第32-35页 |
| ·硅酸铕化合物的光学性能及研究进展 | 第35-38页 |
| ·本论文的研究目的与意义 | 第38-39页 |
| 第三章 铕掺杂富硅氧化硅薄膜的制备与表征 | 第39-52页 |
| ·样品的制备方法和设备 | 第39-41页 |
| ·衬底片的清洗 | 第39页 |
| ·球磨法制备蒸发源 | 第39-40页 |
| ·电子束蒸发和磁控溅射设备 | 第40页 |
| ·磁控溅射设备 | 第40页 |
| ·热处理设备 | 第40-41页 |
| ·电极制备 | 第41页 |
| ·样品的测试设备 | 第41-44页 |
| ·扫描电镜 | 第41-42页 |
| ·荧光光谱仪 | 第42页 |
| ·X-射线光电子能谱 | 第42-43页 |
| ·透射电镜 | 第43页 |
| ·X-射线衍射 | 第43页 |
| ·椭偏光谱仪(Spectroscopic Ellipsometry) | 第43-44页 |
| ·光致发光时间分辨谱测试 | 第44页 |
| ·样品的制备条件对样品性能的影响 | 第44-46页 |
| ·衬底温度对样品PL的影响 | 第44-45页 |
| ·铕掺杂剂量对样品PL的影响 | 第45-46页 |
| ·薄膜沉积过程中铕价态的转变 | 第46-50页 |
| ·蒸发源的PL | 第46-47页 |
| ·XPS测试结果 | 第47-49页 |
| ·Eu~(3+)转变为Eu~(2+)的热力学分析 | 第49-50页 |
| ·本章小结 | 第50-52页 |
| 第四章 热处理对铕掺杂富硅氧化硅薄膜光学性能的影响 | 第52-68页 |
| ·引言 | 第52页 |
| ·实验过程 | 第52-53页 |
| ·实验结果与讨论 | 第53-67页 |
| ·热处理温度对样品PL的影响 | 第53-54页 |
| ·热处理时间对样品PL的影响 | 第54-55页 |
| ·样品的光致激发谱 | 第55-57页 |
| ·富硅氧化硅薄膜样品的PL随热处理温度的变化 | 第57-59页 |
| ·时间分辨荧光光谱 | 第59-61页 |
| ·荧光来源的确定 | 第61-62页 |
| ·透射电镜表征样品微观结构及组分 | 第62-65页 |
| ·X-射线表征样品结晶形态 | 第65-66页 |
| ·热处理过程中荧光机制的转变讨论 | 第66-67页 |
| ·结论 | 第67-68页 |
| 第五章 电致发光器件 | 第68-74页 |
| ·引言 | 第68页 |
| ·实验过程 | 第68-70页 |
| ·样品制备 | 第68-69页 |
| ·性能测试 | 第69-70页 |
| ·结果与讨论 | 第70-73页 |
| ·不同厚度的器件电致发光 | 第70-71页 |
| ·SiO_2层的添加对I-V的影响 | 第71-72页 |
| ·SiO_2层的添加对EL的影响 | 第72-73页 |
| ·本章小结 | 第73-74页 |
| 第六章 总结 | 第74-76页 |
| 参考文献 | 第76-87页 |
| 攻读硕士期间发表的论文以及参加的学术会议 | 第87页 |