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抗辐照DAC芯片中电平转换电路的设计

摘要第6-8页
ABSTRACT第8-9页
符号对照表第13-14页
缩略语对照表第14-17页
第一章 绪论第17-23页
    1.1 课题研究背景与意义第17-18页
    1.2 抗辐照数模转换器芯片的发展现状第18-20页
    1.3 论文主要研究内容和论文安排第20-23页
第二章 辐照理论和解码网络第23-37页
    2.1 电离总剂量效应损伤机理第23-26页
    2.2 抗辐照加固第26-28页
        2.2.1 抗辐照加固措施第26-27页
        2.2.2 LDMOS管抗辐照性能仿真验证第27-28页
    2.3 工艺库的选取第28-29页
    2.4 R-2R型解码网络的数模转换器第29-35页
        2.4.1 DAC的一般结构及分类第29-30页
        2.4.2 包含电平转换电路的R-2R型DAC的工作原理第30-32页
        2.4.3 DAC的主要技术指标第32-34页
        2.4.4 本DAC芯片中对R-2R网络部分的限制第34-35页
    2.5 本章总结第35-37页
第三章 电平转换电路设计及仿真第37-61页
    3.1 电平转换电路的必要性及其所解决的问题第37-38页
    3.2 传统CMOS工艺电平转换电路第38-40页
        3.2.1 传统CMOS电平转换电路的工作分析第38-39页
        3.2.2 传统电平转换电路的局限第39-40页
    3.3 电平转换电路的设计第40-51页
        3.3.1 下拉电平转换电路的工作分析第42-44页
        3.3.2 上拉电平转换电路的工作分析第44-51页
    3.4 R-2R解码网络与电平转换电路仿真分析第51-59页
        3.4.1 反相器链的加入优化仿真结果第52页
        3.4.2 电路功能仿真第52-54页
        3.4.3 LDMOS管栅源电压的验证第54-56页
        3.4.4 辐照前后电路功能的变化第56-58页
        3.4.5 包含电平转换电路的单通道DAC功能仿真第58-59页
    3.5 本章小结第59-61页
第四章 电平转换电路的版图设计和仿真第61-71页
    4.1 版图设计规则第61-62页
    4.2 失配和串扰第62-65页
        4.2.1 匹配电容设计原则第62-63页
        4.2.2 匹配LDMOS管的设计原则第63-64页
        4.2.3 串扰第64-65页
    4.3 电平转换电路的版图布局设计第65-69页
        4.3.1 匹配电容阵列的设计第65-67页
        4.3.2 LDMOS管的匹配设计第67-69页
    4.4 版图后仿真第69-70页
    4.5 本章小结第70-71页
第五章 总结和展望第71-73页
    5.1 本文总结第71页
    5.2 未来展望第71-73页
参考文献第73-77页
致谢第77-79页
作者简介第79-80页

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