摘要 | 第6-8页 |
ABSTRACT | 第8-9页 |
符号对照表 | 第13-14页 |
缩略语对照表 | 第14-17页 |
第一章 绪论 | 第17-23页 |
1.1 课题研究背景与意义 | 第17-18页 |
1.2 抗辐照数模转换器芯片的发展现状 | 第18-20页 |
1.3 论文主要研究内容和论文安排 | 第20-23页 |
第二章 辐照理论和解码网络 | 第23-37页 |
2.1 电离总剂量效应损伤机理 | 第23-26页 |
2.2 抗辐照加固 | 第26-28页 |
2.2.1 抗辐照加固措施 | 第26-27页 |
2.2.2 LDMOS管抗辐照性能仿真验证 | 第27-28页 |
2.3 工艺库的选取 | 第28-29页 |
2.4 R-2R型解码网络的数模转换器 | 第29-35页 |
2.4.1 DAC的一般结构及分类 | 第29-30页 |
2.4.2 包含电平转换电路的R-2R型DAC的工作原理 | 第30-32页 |
2.4.3 DAC的主要技术指标 | 第32-34页 |
2.4.4 本DAC芯片中对R-2R网络部分的限制 | 第34-35页 |
2.5 本章总结 | 第35-37页 |
第三章 电平转换电路设计及仿真 | 第37-61页 |
3.1 电平转换电路的必要性及其所解决的问题 | 第37-38页 |
3.2 传统CMOS工艺电平转换电路 | 第38-40页 |
3.2.1 传统CMOS电平转换电路的工作分析 | 第38-39页 |
3.2.2 传统电平转换电路的局限 | 第39-40页 |
3.3 电平转换电路的设计 | 第40-51页 |
3.3.1 下拉电平转换电路的工作分析 | 第42-44页 |
3.3.2 上拉电平转换电路的工作分析 | 第44-51页 |
3.4 R-2R解码网络与电平转换电路仿真分析 | 第51-59页 |
3.4.1 反相器链的加入优化仿真结果 | 第52页 |
3.4.2 电路功能仿真 | 第52-54页 |
3.4.3 LDMOS管栅源电压的验证 | 第54-56页 |
3.4.4 辐照前后电路功能的变化 | 第56-58页 |
3.4.5 包含电平转换电路的单通道DAC功能仿真 | 第58-59页 |
3.5 本章小结 | 第59-61页 |
第四章 电平转换电路的版图设计和仿真 | 第61-71页 |
4.1 版图设计规则 | 第61-62页 |
4.2 失配和串扰 | 第62-65页 |
4.2.1 匹配电容设计原则 | 第62-63页 |
4.2.2 匹配LDMOS管的设计原则 | 第63-64页 |
4.2.3 串扰 | 第64-65页 |
4.3 电平转换电路的版图布局设计 | 第65-69页 |
4.3.1 匹配电容阵列的设计 | 第65-67页 |
4.3.2 LDMOS管的匹配设计 | 第67-69页 |
4.4 版图后仿真 | 第69-70页 |
4.5 本章小结 | 第70-71页 |
第五章 总结和展望 | 第71-73页 |
5.1 本文总结 | 第71页 |
5.2 未来展望 | 第71-73页 |
参考文献 | 第73-77页 |
致谢 | 第77-79页 |
作者简介 | 第79-80页 |