摘要 | 第9-10页 |
ABSTRACT | 第10-11页 |
第一章 绪论 | 第12-20页 |
1.1 课题研究背景和意义 | 第12-14页 |
1.2 碳化硅MOSFET国内外发展与研究现状 | 第14-16页 |
1.2.1 国外研究现状及发展动态 | 第14-15页 |
1.2.2 国内研究现状及发展动态 | 第15-16页 |
1.3 磁浮列车悬浮斩波器的优化历程及其关键技术 | 第16-17页 |
1.4 本文的主要研究内容及安排 | 第17-20页 |
第二章 碳化硅MOSFET的开关过程分析 | 第20-36页 |
2.1 碳化硅MOSFET特点分析 | 第20-23页 |
2.1.1 结构参数分析 | 第21-22页 |
2.1.2 静态特性曲线 | 第22-23页 |
2.2 碳化硅MOSFET开关振荡分析 | 第23-32页 |
2.2.1 开通过程振荡分析 | 第24-27页 |
2.2.2 关断过程振荡分析 | 第27-32页 |
2.3 非理想状态下的运行情况分析 | 第32-34页 |
2.3.1 寄生参数的影响 | 第32-33页 |
2.3.2 开关过程运行轨迹 | 第33-34页 |
2.4 本章小结 | 第34-36页 |
第三章 碳化硅MOSFET驱动电路分析与仿真 | 第36-44页 |
3.1 驱动电路分析 | 第36-38页 |
3.1.1 驱动电路要求 | 第36-37页 |
3.1.2 驱动电路设计方法 | 第37-38页 |
3.2 碳化硅MOSFET硬开关研究 | 第38-41页 |
3.2.1 硬开关电路仿真设计 | 第38-39页 |
3.2.2 硬开关仿真结果分析 | 第39-41页 |
3.3 有源门极电压控制减小开关振荡 | 第41-43页 |
3.3.1 AGD驱动电路设计 | 第41-42页 |
3.3.2 AGD驱动仿真结果分析 | 第42-43页 |
3.4 本章小结 | 第43-44页 |
第四章 基于碳化硅MOSFET的悬浮斩波器应用问题分析 | 第44-54页 |
4.1 悬浮斩波器的基本结构 | 第44-45页 |
4.2 开关损耗仿真对比 | 第45-51页 |
4.2.1 悬浮斩波器内部损耗分析 | 第45-47页 |
4.2.2 仿真损耗对比分析结果 | 第47-51页 |
4.3 悬浮斩波器开关过程需考虑的其它问题 | 第51-52页 |
4.4 本章小结 | 第52-54页 |
第五章 悬浮斩波器测试平台搭建和实验分析 | 第54-62页 |
5.1 测试方法设计 | 第54-56页 |
5.2 悬浮斩波器测试平台实现 | 第56-59页 |
5.2.1 高速测量需要考虑要素 | 第56-57页 |
5.2.2 控制和功率部分设计 | 第57-59页 |
5.3 开关波形结果对比 | 第59-61页 |
5.4 本章小结 | 第61-62页 |
第六章 总结与展望 | 第62-64页 |
6.1 全文总结 | 第62-63页 |
6.2 研究展望 | 第63-64页 |
致谢 | 第64-66页 |
参考文献 | 第66-72页 |
作者在学期间取得的学术成果 | 第72-74页 |
附录A IGBT测试波形 | 第74-75页 |
附录B 碳化硅MOSFET测试波形 | 第75页 |