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基于碳化硅器件的高功率密度悬浮斩波器研究

摘要第9-10页
ABSTRACT第10-11页
第一章 绪论第12-20页
    1.1 课题研究背景和意义第12-14页
    1.2 碳化硅MOSFET国内外发展与研究现状第14-16页
        1.2.1 国外研究现状及发展动态第14-15页
        1.2.2 国内研究现状及发展动态第15-16页
    1.3 磁浮列车悬浮斩波器的优化历程及其关键技术第16-17页
    1.4 本文的主要研究内容及安排第17-20页
第二章 碳化硅MOSFET的开关过程分析第20-36页
    2.1 碳化硅MOSFET特点分析第20-23页
        2.1.1 结构参数分析第21-22页
        2.1.2 静态特性曲线第22-23页
    2.2 碳化硅MOSFET开关振荡分析第23-32页
        2.2.1 开通过程振荡分析第24-27页
        2.2.2 关断过程振荡分析第27-32页
    2.3 非理想状态下的运行情况分析第32-34页
        2.3.1 寄生参数的影响第32-33页
        2.3.2 开关过程运行轨迹第33-34页
    2.4 本章小结第34-36页
第三章 碳化硅MOSFET驱动电路分析与仿真第36-44页
    3.1 驱动电路分析第36-38页
        3.1.1 驱动电路要求第36-37页
        3.1.2 驱动电路设计方法第37-38页
    3.2 碳化硅MOSFET硬开关研究第38-41页
        3.2.1 硬开关电路仿真设计第38-39页
        3.2.2 硬开关仿真结果分析第39-41页
    3.3 有源门极电压控制减小开关振荡第41-43页
        3.3.1 AGD驱动电路设计第41-42页
        3.3.2 AGD驱动仿真结果分析第42-43页
    3.4 本章小结第43-44页
第四章 基于碳化硅MOSFET的悬浮斩波器应用问题分析第44-54页
    4.1 悬浮斩波器的基本结构第44-45页
    4.2 开关损耗仿真对比第45-51页
        4.2.1 悬浮斩波器内部损耗分析第45-47页
        4.2.2 仿真损耗对比分析结果第47-51页
    4.3 悬浮斩波器开关过程需考虑的其它问题第51-52页
    4.4 本章小结第52-54页
第五章 悬浮斩波器测试平台搭建和实验分析第54-62页
    5.1 测试方法设计第54-56页
    5.2 悬浮斩波器测试平台实现第56-59页
        5.2.1 高速测量需要考虑要素第56-57页
        5.2.2 控制和功率部分设计第57-59页
    5.3 开关波形结果对比第59-61页
    5.4 本章小结第61-62页
第六章 总结与展望第62-64页
    6.1 全文总结第62-63页
    6.2 研究展望第63-64页
致谢第64-66页
参考文献第66-72页
作者在学期间取得的学术成果第72-74页
附录A IGBT测试波形第74-75页
附录B 碳化硅MOSFET测试波形第75页

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