| 摘要 | 第5-7页 |
| abstract | 第7-8页 |
| 博士学位论文创新成果自评表 | 第9-13页 |
| 缩写一览表 | 第13-14页 |
| 第1章 绪论 | 第14-24页 |
| 1.1 研究背景及意义 | 第14-15页 |
| 1.2 SOI像素探测器的关键问题 | 第15-18页 |
| 1.2.1 SOI像素探测器的特点 | 第15-16页 |
| 1.2.2 SOI像素探测器的关键问题 | 第16-18页 |
| 1.3 SOI像素探测器研究现状 | 第18-22页 |
| 1.3.1 国外研究现状 | 第18-21页 |
| 1.3.2 国内研究现状 | 第21-22页 |
| 1.4 论文主要研究内容及章节安排 | 第22-24页 |
| 第2章 SOI像素探测器理论基础 | 第24-38页 |
| 2.1 探测器的基本元件 | 第24-27页 |
| 2.1.1 PN结电场电势分布 | 第24-25页 |
| 2.1.2 PN结耗尽层厚度 | 第25-26页 |
| 2.1.3 PN结电容 | 第26-27页 |
| 2.1.4 泄漏电流 | 第27页 |
| 2.2 探测器中信号电荷的产生 | 第27-32页 |
| 2.2.1 电磁辐射产生的电荷载流子 | 第28-29页 |
| 2.2.2 带电粒子产生的电荷载流子 | 第29-30页 |
| 2.2.3 载流子的寿命和复合 | 第30-31页 |
| 2.2.4 电荷收集 | 第31-32页 |
| 2.3 探测器的辐射效应 | 第32-34页 |
| 2.3.1 辐射与硅和二氧化硅的相互作用 | 第32-33页 |
| 2.3.2 总剂量辐射效应 | 第33-34页 |
| 2.4 仿真模拟 | 第34-36页 |
| 2.4.1 基本方程 | 第34-35页 |
| 2.4.2 仿真物理模型 | 第35-36页 |
| 2.5 本章小结 | 第36-38页 |
| 第3章 SOI像素探测器屏蔽性能研究 | 第38-68页 |
| 3.1 SOI像素结构屏蔽理论分析 | 第38-43页 |
| 3.1.1 背栅效应理论模型 | 第38-42页 |
| 3.1.2 传感层与电路层之间串扰模型 | 第42-43页 |
| 3.2 ASV-SOI像素结构研究 | 第43-52页 |
| 3.2.1 ASV-SOI像素结构 | 第43-44页 |
| 3.2.2 ASV-SOI像素结构的理论分析 | 第44-48页 |
| 3.2.3 ASV-SOI像素结构仿真验证与性能分析 | 第48-52页 |
| 3.3 PAPT-SOI像素结构研究 | 第52-67页 |
| 3.3.1 PAPT-SOI像素结构及原理 | 第52-55页 |
| 3.3.2 PAPT-SOI像素结构参数影响 | 第55-61页 |
| 3.3.3 PAPT-SOI像素结构的屏蔽性能研究 | 第61-67页 |
| 3.4 本章小结 | 第67-68页 |
| 第4章 SOI像素探测器电荷收集与转换增益研究 | 第68-93页 |
| 4.1 SOI像素的电荷收集和转换增益 | 第68-71页 |
| 4.1.1 电荷收集效率模型 | 第68-69页 |
| 4.1.2 转换增益模型 | 第69-71页 |
| 4.2 SDW-SOI像素结构性能研究 | 第71-79页 |
| 4.2.1 SDW-SOI像素结构及原理 | 第71-73页 |
| 4.2.2 SDW-SOI像素的结构参数影响 | 第73-77页 |
| 4.2.3 SDW-SOI像素的电荷收集和转换增益 | 第77-79页 |
| 4.3 PAPT-SOI像素的电荷收集与转换增益特性 | 第79-92页 |
| 4.3.1 PAPT-SOI像素的电荷收集研究 | 第80-88页 |
| 4.3.2 PAPT-SOI像素的电荷收集端电容 | 第88-92页 |
| 4.4 本章小结 | 第92-93页 |
| 第5章 SOI像素探测器总剂量效应及辐射加固 | 第93-116页 |
| 5.1 SOI像素结构TID辐射效应 | 第93-96页 |
| 5.2 NAPT-SOI像素结构 | 第96-101页 |
| 5.2.1 NAPT-SOI像素结构及主要工艺流程 | 第96-99页 |
| 5.2.2 NAPT-SOI像素参数对性能影响 | 第99-101页 |
| 5.3 NAPT-SOI像素的屏蔽性能研究 | 第101-105页 |
| 5.3.1 NAPT-SOI像素有效屏蔽研究 | 第101-103页 |
| 5.3.2 NAPT-SOI像素中V_(BNW)和V_(BPW)的影响 | 第103-105页 |
| 5.4 NAPT-SOI像素的TID效应以及辐射加固 | 第105-111页 |
| 5.4.1 NAPT-SOI像素辐射加固 | 第105-110页 |
| 5.4.2 辐射加固措施对电荷收集的影响 | 第110-111页 |
| 5.5 IAPT-SOI像素结构研究 | 第111-115页 |
| 5.5.1 IAPT-SOI像素结构和原理 | 第111-112页 |
| 5.5.2 IAPT-SOI像素的性能分析及局限 | 第112-114页 |
| 5.5.3 IAPT-SOI像素与其他像素结构对比 | 第114-115页 |
| 5.6 本章小结 | 第115-116页 |
| 结论 | 第116-119页 |
| 参考文献 | 第119-130页 |
| 攻读博士学位期间发表的论文和取得的科研成果 | 第130-131页 |
| 致谢 | 第131页 |
