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Si掺杂In2O3(ZnO)3超晶格纳米带的合成及其电学性质研究

摘要第6-7页
ABSTRACT第7页
第1章 绪论第8-19页
    1.1 氧化锌材料的研究背景第8-9页
    1.2 一维氧化锌及掺杂特性的发展现状第9-11页
    1.3 超晶格背景及发展现状第11-18页
        1.3.1 超晶格的概念第12页
        1.3.2 超晶格分类第12-15页
        1.3.3 超晶格的特性第15-16页
        1.3.4 一维超晶格发展现状第16-18页
    1.4 本论文的工作安排第18-19页
        1.4.1 研究目的第18页
        1.4.2 工作安排第18-19页
第2章 纳米材料的制备和表征第19-27页
    2.1 纳米结构的制备方法介绍第19-20页
        2.1.1 化学气相沉积法(CVD)第19-20页
        2.1.2 水热合成法第20页
    2.2 SIZO纳米带制备装置第20-22页
    2.3 常用的表征手段第22-26页
        2.3.1 场发射扫描电子显微镜(FE-SEM)第22-24页
        2.3.2 透射电子显微镜(TEM)第24-25页
        2.3.3 X射线衍射分析(XRD)第25页
        2.3.4 发光光谱第25-26页
    2.4 本章小结第26-27页
第3章 SI掺杂的SIZO纳米带的制备及电学性质研究第27-39页
    3.1 实验过程及测试第27-28页
    3.2 实验结果及讨论第28-39页
        3.2.1 Si掺杂的In_2O_3(ZnO)_3 (SIZO)超晶格纳米带形貌和结构表征第28-35页
        3.2.2 超晶格纳米带的电性质研究第35-39页
结论与展望第39-40页
参考文献第40-46页
攻读硕士学位期间所发表的学术论文第46-48页
致谢第48页

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