| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-9页 |
| 符号对照表 | 第14-15页 |
| 缩略语对照表 | 第15-20页 |
| 第一章 绪论 | 第20-32页 |
| 1.1 Ⅲ族氮化物半导体材料及器件的研究意义 | 第20-22页 |
| 1.2 拉曼光谱在材料分析中的应用 | 第22-27页 |
| 1.2.1 拉曼光谱的技术优势和应用领域 | 第22-24页 |
| 1.2.2 新型拉曼光谱技术 | 第24-27页 |
| 1.3 拉曼光谱在Ⅲ族氮化物半导体材料分析中的应用 | 第27-30页 |
| 1.4 本文的研究安排 | 第30-32页 |
| 第二章 拉曼光谱的基本原理 | 第32-46页 |
| 2.1 拉曼散射的特征量 | 第32-36页 |
| 2.1.1 拉曼散射的频率 | 第32-33页 |
| 2.1.2 拉曼散射的强度 | 第33-35页 |
| 2.1.3 拉曼散射谱的线宽与线形 | 第35-36页 |
| 2.2 纤锌矿结构GaN的拉曼散射 | 第36-39页 |
| 2.3 GaN的LOPC模 | 第39-41页 |
| 2.4 拉曼光谱测量三元合金组分 | 第41-43页 |
| 2.5 拉曼光谱测试系统介绍 | 第43-46页 |
| 第三章 极性GaN材料的拉曼光谱研究 | 第46-66页 |
| 3.1 不同衬底对GaN应力的影响 | 第46-52页 |
| 3.1.1 常见的异质外延衬底 | 第46-48页 |
| 3.1.2 不同材料衬底上的GaN薄膜生长 | 第48页 |
| 3.1.3 采用不同材料衬底生长对GaN材料残余应力的影响 | 第48-51页 |
| 3.1.4 采用不同类型蓝宝石衬底生长对GaN材料残余应力的影响 | 第51-52页 |
| 3.2 PSS上生长n型GaN薄膜中结晶质量的空间分辨差异表征 | 第52-58页 |
| 3.2.1 PSS上生长n型GaN薄膜的生长方法和基本表征 | 第53-55页 |
| 3.2.2 PSS上生长n型GaN薄膜的CL测试分析 | 第55-56页 |
| 3.2.3 PSS上生长n型GaN薄膜的拉曼成像测试分析 | 第56-57页 |
| 3.2.4 PSS上生长n型GaN薄膜的TEM测试分析 | 第57-58页 |
| 3.3 N面GaN材料中六方凸起结构表征 | 第58-62页 |
| 3.3.1 N面GaN材料的生长 | 第59页 |
| 3.3.2 N面GaN材料中六方凸起结构的拉曼成像测试分析 | 第59-62页 |
| 3.3.3 N面GaN材料中六方凸起结构内部位错湮灭机理 | 第62页 |
| 3.4 AlGaN材料中的A1组分测量 | 第62-65页 |
| 3.4.1 AlGaN薄膜的生长 | 第63页 |
| 3.4.2 AlGaN薄膜的XRD测试分析 | 第63-64页 |
| 3.4.3 AlGaN薄膜的拉曼光谱测试分析 | 第64-65页 |
| 3.5 本章小结 | 第65-66页 |
| 第四章 非极性GaN材料的拉曼光谱分析 | 第66-84页 |
| 4.1 非极性a面GaN和m面GaN的一阶拉曼光谱 | 第66-74页 |
| 4.1.1 非极性GaN材料拉曼散射强度的选择定则 | 第67-70页 |
| 4.1.2 a面GaN同质外延衬底的一阶拉曼光谱 | 第70-72页 |
| 4.1.3 m面GaN同质外延衬底的一阶拉曼光谱 | 第72-73页 |
| 4.1.4 非极性GaN材料的各向异性分析 | 第73-74页 |
| 4.2 a面GaN在ELOG生长中的各向异性表征 | 第74-80页 |
| 4.2.1 a面GaN的ELOG生长 | 第74-75页 |
| 4.2.2 ELOG生长a面GaN的形貌表征 | 第75-76页 |
| 4.2.3 ELOG生长a面GaN中不同区域的拉曼光谱对比 | 第76-78页 |
| 4.2.4 ELOG生长a面GaN的生长机理分析 | 第78-80页 |
| 4.3 a面GaN薄膜不同深度处的体载流子浓度测量 | 第80-83页 |
| 4.3.1 拉曼光谱测量GaN材料中自由载流子浓度的理论方法 | 第80-81页 |
| 4.3.2 拉曼光谱测量a面GaN薄膜的截面 | 第81-82页 |
| 4.3.3 a面GaN薄膜不同深度处的载流子浓度计算和分析 | 第82-83页 |
| 4.4 本章小结 | 第83-84页 |
| 第五章 半极性GaN的拉曼光谱研究 | 第84-96页 |
| 5.1 半极性GaN的一阶拉曼光谱 | 第84-89页 |
| 5.1.1 (11(?)2)面GaN同质外延衬底的一阶拉曼光谱 | 第84-87页 |
| 5.1.2 (10(?)1)面GaN同质外延衬底的一阶拉曼光谱 | 第87-89页 |
| 5.2 半极性(11(?)2)面GaN的偏振拉曼光谱研究 | 第89-92页 |
| 5.3 C元素离子注入对(11(?)2)面GaN拉曼光谱的影响 | 第92-94页 |
| 5.3.1 C元素离子注入的拉曼光谱测试 | 第92-93页 |
| 5.3.2 离子注入前后和退火后(11(?)2)面GaN的拉曼光谱对比 | 第93-94页 |
| 5.4 本章小结 | 第94-96页 |
| 第六章 GaN材料的变温拉曼特性研究 | 第96-108页 |
| 6.1 GaN拉曼光谱的变温理论模型 | 第96-98页 |
| 6.1.1 温度对声子模散射峰频率的影响 | 第96-97页 |
| 6.1.2 温度对声子模散射峰的半高宽的影响 | 第97-98页 |
| 6.2 极性GaN材料的变温拉曼测试和分析 | 第98-100页 |
| 6.3 非极性GaN材料的变温拉曼测试和分析 | 第100-103页 |
| 6.4 半极性GaN材料的变温拉曼测试和分析 | 第103-107页 |
| 6.5 本章小结 | 第107-108页 |
| 第七章 总结与展望 | 第108-112页 |
| 参考文献 | 第112-122页 |
| 致谢 | 第122-124页 |
| 作者简介 | 第124-126页 |
| 1. 基本情况 | 第124页 |
| 2. 教育背景 | 第124页 |
| 3. 攻读博士学位期间的研究成果 | 第124-126页 |
| 3.1 发表学术论文 | 第124-126页 |
| 3.2 授权专利 | 第126页 |
| 3.3 参与科研项目及获奖 | 第126页 |
