LGS低相噪温度补偿振荡器的研究
| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第11-14页 |
| 1.1 LGS晶体的发展简史 | 第11页 |
| 1.2 晶体振荡器的概述 | 第11-12页 |
| 1.3 本文研究的主要内容和创新之处 | 第12-13页 |
| 1.4 论文的章节安排 | 第13-14页 |
| 第二章 振荡器的理论基础 | 第14-32页 |
| 2.1 振荡器的基本原理 | 第14-15页 |
| 2.2 LGS晶体的特性 | 第15-21页 |
| 2.2.1 LGS晶体的物理特性 | 第15-17页 |
| 2.2.2 LGS晶体的生长研究 | 第17页 |
| 2.2.3 LGS晶体的电光特性 | 第17-18页 |
| 2.2.4 LGS晶体的谐振特性分析 | 第18-21页 |
| 2.3 晶体振荡器概述 | 第21-22页 |
| 2.4 石英晶体振荡器的特性 | 第22-27页 |
| 2.4.1 石英晶振的等效电路介绍 | 第22-25页 |
| 2.4.2 石英晶体振荡器的频温特性分析 | 第25-27页 |
| 2.5 LGS晶体与石英晶体的对比分析 | 第27-28页 |
| 2.6 温度补偿晶体振荡器的原理 | 第28-31页 |
| 2.7 本章小结 | 第31-32页 |
| 第三章 LGS低相噪温度补偿振荡器的硬件设计 | 第32-44页 |
| 3.1 LGS温度补偿晶体振荡器系统硬件简介 | 第32页 |
| 3.2 低相噪LGS振荡器硬件电路 | 第32-38页 |
| 3.3 测温电路 | 第38-40页 |
| 3.4 STM32MCU硬件电路设计 | 第40-43页 |
| 3.4.1 STM32微控制器概述 | 第40-41页 |
| 3.4.2 STM32微控制器供电电路 | 第41-42页 |
| 3.4.3 STM32微控制器核心电路 | 第42-43页 |
| 3.5 本章小结 | 第43-44页 |
| 第四章 LGS温度补偿振荡器的补偿电压算法分析 | 第44-54页 |
| 4.1 获得U_k的方法 | 第44-45页 |
| 4.1.1 U_k的计算方法 | 第44页 |
| 4.1.2 U_k的测量方法 | 第44-45页 |
| 4.2 U_k的算法分析 | 第45-53页 |
| 4.2.1 多项式插值 | 第45-51页 |
| 4.2.1.1 Lagrange插值算法 | 第45-47页 |
| 4.2.1.2 Newton插值算法 | 第47页 |
| 4.2.1.3 Hermite插值算法 | 第47-48页 |
| 4.2.1.4 样条插值算法 | 第48-50页 |
| 4.2.1.5 多项式插值算法总结 | 第50-51页 |
| 4.2.2 函数逼近 | 第51-53页 |
| 4.3 本章小结 | 第53-54页 |
| 第五章 LGS温度补偿振荡器系统软件设计 | 第54-64页 |
| 5.1 处理器核心程序 | 第54-60页 |
| 5.1.1 操作系统及编程语言的选择 | 第54页 |
| 5.1.2 RT-Thread简介 | 第54-55页 |
| 5.1.3 核心程序 | 第55-60页 |
| 5.1.3.1 DS18820驱动程序 | 第56-58页 |
| 5.1.3.2 A/D、D/A驱动程序 | 第58页 |
| 5.1.3.3 看门狗程序 | 第58-60页 |
| 5.2 通信程序 | 第60页 |
| 5.3 温度补偿及算法程序 | 第60-61页 |
| 5.4 上位机程序 | 第61-63页 |
| 5.5 本章小结 | 第63-64页 |
| 第六章 实验步骤及结果分析 | 第64-72页 |
| 6.1 LGS振荡器温补实验前期准备 | 第64-68页 |
| 6.1.1 LGS振荡器初始频率测定 | 第64页 |
| 6.1.2 LGS振荡器控制电压与频率的关系 | 第64-66页 |
| 6.1.3 LGS振荡器温度与频率的关系 | 第66-68页 |
| 6.2 LGS振荡器温补实验 | 第68-69页 |
| 6.3 LGS振荡器温补验证实验 | 第69-70页 |
| 6.4 实验结果分析 | 第70-71页 |
| 6.5 本章小结 | 第71-72页 |
| 第七章 结论 | 第72-73页 |
| 致谢 | 第73-74页 |
| 参考文献 | 第74-76页 |
| 附录一 | 第76-77页 |
| 附录二 | 第77页 |
