| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 1 绪论 | 第8-12页 |
| 1.1 生物芯片及其基底材料简述 | 第8-9页 |
| 1.1.1 生物芯片技术 | 第8-9页 |
| 1.1.2 生物芯片基底材料 | 第9页 |
| 1.2 研究半导体中载流子超快动力学的意义 | 第9页 |
| 1.3 国内外研究现状 | 第9-11页 |
| 1.4 本文研究内容 | 第11-12页 |
| 2 磁控溅射法纳米硅薄膜的制备 | 第12-17页 |
| 2.1 磁控溅射法基本原理 | 第12-14页 |
| 2.1.1 溅镀定义 | 第12-13页 |
| 2.1.2 辉光放电 | 第13页 |
| 2.1.3 磁控溅射 | 第13-14页 |
| 2.2 磁控溅射法影响因素 | 第14-15页 |
| 2.3 铜纳米薄膜的制备 | 第15页 |
| 2.4 层结构硅/硅掺铝纳米薄膜的制备 | 第15-16页 |
| 2.5 本章小结 | 第16-17页 |
| 3 铜薄膜及纳米硅薄膜的瞬态反射规律实验研究 | 第17-25页 |
| 3.1 飞秒激光瞬态反射系统的总体设计 | 第17页 |
| 3.2 主要仪器及模块 | 第17-20页 |
| 3.2.1 泵浦源及放大器 | 第17-19页 |
| 3.2.2 电光调制及声光调制模块 | 第19页 |
| 3.2.3 锁相放大模块 | 第19页 |
| 3.2.4 光路系统 | 第19-20页 |
| 3.2.5 系统控制及数据采集模块 | 第20页 |
| 3.3 系统的调试 | 第20-22页 |
| 3.3.1 光路的调试 | 第20-21页 |
| 3.3.2 锁相放大器积分时间的设定 | 第21页 |
| 3.3.3 光斑直径测量 | 第21-22页 |
| 3.4 纳米硅薄膜瞬态反射规律实验研究 | 第22-23页 |
| 3.4.1 纳米硅薄膜瞬态反射实验设备及条件 | 第22页 |
| 3.4.2 纳米硅薄膜瞬态反射实验结果 | 第22-23页 |
| 3.5 铜薄膜瞬态反射规律实验研究 | 第23-24页 |
| 3.5.1 铜薄膜瞬态反射实验设备及条件 | 第23页 |
| 3.5.2 纳米铜薄膜瞬态反射实验结果 | 第23-24页 |
| 3.6 本章小结 | 第24-25页 |
| 4 纳米硅薄膜超快动力学分析 | 第25-30页 |
| 4.1 半导体超快动力学过程 | 第25-26页 |
| 4.2 纳米硅薄膜超快动力学特性分析 | 第26-29页 |
| 4.2.1 自由载流子贡献 | 第26-27页 |
| 4.2.2 态填充效应的贡献 | 第27页 |
| 4.2.3 晶格温度贡献 | 第27页 |
| 4.2.4 复合与扩散 | 第27-29页 |
| 4.3 本章小结 | 第29-30页 |
| 5 利用双温模型研究金属及半导体超快动力学 | 第30-38页 |
| 5.1 金属热弛豫过程双温模型 | 第30-35页 |
| 5.1.1 纳米铜薄膜双温模型的建立 | 第30-31页 |
| 5.1.2 有限差分法 | 第31-32页 |
| 5.1.3 铜薄膜热弛豫过程双温模型模拟结果与实验结果的对比 | 第32-33页 |
| 5.1.4 铜薄膜厚度对其热输运过程的影响 | 第33-34页 |
| 5.1.5 电声耦合系数的选取对热输运过程模拟结果的影响 | 第34-35页 |
| 5.2 半导体弛豫过程双温模型的建立 | 第35-36页 |
| 5.2.1 关于载流子浓度的方程 | 第35页 |
| 5.2.2 关于晶格温度的方程 | 第35-36页 |
| 5.2.3 关于电子温度的方程 | 第36页 |
| 5.3 本章小结 | 第36-38页 |
| 结论 | 第38-40页 |
| 参考文献 | 第40-44页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文 | 第44-45页 |
| 致谢 | 第45-46页 |