低维半导体结构中杂质态的研究
| 摘要 | 第3-5页 |
| Abstract | 第5-7页 |
| 第1章 绪论 | 第11-23页 |
| 1.1 低维半导体结构 | 第11-18页 |
| 1.1.1 低维半导体结构的概念 | 第11-12页 |
| 1.1.2 低维半导体材料的制备 | 第12-15页 |
| 1.1.3 低维半导体材料的应用 | 第15-18页 |
| 1.2 半导体异质结构材料 | 第18-19页 |
| 1.2.1 InGaN/GaN异质结构材料 | 第18-19页 |
| 1.2.2 InGaAsP/InP异质结构材料 | 第19页 |
| 1.3 低维半导体材料中的杂质 | 第19-20页 |
| 1.4 外场对低维半导体结构物理性质的影响 | 第20页 |
| 1.4.1 电场的影响 | 第20页 |
| 1.4.2 磁场的影响 | 第20页 |
| 1.5 本文的主要研究内容及意义 | 第20-23页 |
| 第2章 理论基础 | 第23-43页 |
| 2.1 引言 | 第23-24页 |
| 2.2 变分法和平面波展开法 | 第24-27页 |
| 2.2.1 有效质量包络函数近似 | 第24-25页 |
| 2.2.2 变分法原理 | 第25-27页 |
| 2.2.3 平面波展开法原理 | 第27页 |
| 2.3 变分法和平面波展开法的比较 | 第27-35页 |
| 2.3.1 理论模型 | 第27-30页 |
| 2.3.2 结果对比 | 第30-35页 |
| 2.4 平面波展开法计算精度的分析 | 第35-40页 |
| 2.4.1 势垒宽度 | 第36-37页 |
| 2.4.2 平面波数量 | 第37-40页 |
| 2.5 本章小结 | 第40-43页 |
| 第3章 不同形状量子阱中氢施主杂质结合能的研究 | 第43-55页 |
| 3.1 引言 | 第43页 |
| 3.2 理论模型 | 第43-45页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第45-52页 |
| 3.3.1 几何结构对杂质结合能的影响 | 第46-47页 |
| 3.3.2 电场对杂质结合能的影响 | 第47-49页 |
| 3.3.3 磁场对杂质结合能的影响 | 第49-51页 |
| 3.3.4 电场和磁场共同作用对杂质结合能的影响 | 第51-52页 |
| 3.4 结论 | 第52-55页 |
| 第4章 环形量子线中氢施主杂质结合能的研究 | 第55-63页 |
| 4.1 引言 | 第55页 |
| 4.2 理论模型 | 第55-57页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第57-61页 |
| 4.3.1 杂质位置和几何尺寸对杂质结合能的影响 | 第58-60页 |
| 4.3.2 电场和磁场对杂质结合能的影响 | 第60-61页 |
| 4.3.3 电场和磁场共同作用对杂质结合能的影响 | 第61页 |
| 4.4 结论 | 第61-63页 |
| 第5章 核壳量子点中氢施主杂质结合能的研究 | 第63-71页 |
| 5.1 引言 | 第63页 |
| 5.2 理论模型 | 第63-65页 |
| 5.3 结果与讨论 | 第65-69页 |
| 5.3.1 几何结构对杂质结合能的影响 | 第66-67页 |
| 5.3.2 电场和磁场对杂质结合能的影响 | 第67-68页 |
| 5.3.3 电场和磁场共同作用对杂质结合能的影响 | 第68-69页 |
| 5.4 结论 | 第69-71页 |
| 第6章 单量子环中氢施主杂质结合能的研究 | 第71-78页 |
| 6.1 引言 | 第71页 |
| 6.2 理论模型 | 第71-74页 |
| 6.3 结果与讨论 | 第74-77页 |
| 6.3.1 几何结构对杂质结合能的影响 | 第74-75页 |
| 6.3.2 杂质位置对杂质结合能的影响 | 第75-76页 |
| 6.3.3 电场和磁场对杂质结合能的影响 | 第76-77页 |
| 6.4 结论 | 第77-78页 |
| 第7章 同轴双量子环中氢施主杂质结合能的研究 | 第78-86页 |
| 7.1 引言 | 第78页 |
| 7.2 理论模型 | 第78-80页 |
| 7.3 结果与讨论 | 第80-85页 |
| 7.3.1 几何结构对杂质结合能的影响 | 第81-83页 |
| 7.3.2 电场对杂质结合能的影响 | 第83-84页 |
| 7.3.3 材料组分对杂质结合能的影响 | 第84-85页 |
| 7.4 结论 | 第85-86页 |
| 总结与展望 | 第86-88页 |
| 参考文献 | 第88-105页 |
| 在读期间发表的学术论文及研究成果 | 第105-106页 |
| 致谢 | 第106页 |
