| 摘要 | 第5-6页 |
| abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-16页 |
| 1.1 研究背景及意义 | 第10-12页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第12-14页 |
| 1.3 本论文的主要研究内容 | 第14-16页 |
| 第二章 高温压力传感器相关原理及有限元分析概述 | 第16-25页 |
| 2.1 常见压力传感器 | 第16-19页 |
| 2.1.1 压阻式压力传感器 | 第16-18页 |
| 2.1.2 电容式压力传感器 | 第18页 |
| 2.1.3 光学式压力传感器 | 第18-19页 |
| 2.2 电容式高温压力传感器相关原理 | 第19-21页 |
| 2.2.1 非接触状态电容式高温压力传感器工作原理 | 第19-20页 |
| 2.2.2 接触状态电容式高温压力传感器工作原理 | 第20-21页 |
| 2.3 有限元分析方法 | 第21-22页 |
| 2.4 小挠度理论的基本原理 | 第22-24页 |
| 2.5 本章小结 | 第24-25页 |
| 第三章 电容式高温压力传感器敏感结构建模及仿真方法研究 | 第25-45页 |
| 3.1 未接触状态输出电容建模分析 | 第25-31页 |
| 3.1.1 未接触状态简化模型 | 第26-29页 |
| 3.1.2 未接触状态精确模型 | 第29-31页 |
| 3.2 接触状态输出电容建模分析 | 第31-36页 |
| 3.2.1 接触状态简化模型 | 第31-33页 |
| 3.2.2 接触状态精确模型 | 第33-36页 |
| 3.3 SiC电容式高温压力传感器敏感结构仿真方法研究 | 第36-40页 |
| 3.3.1 材料参数的设置及其模型的建立 | 第36-37页 |
| 3.3.2 仿真单元的选择及网格的划分 | 第37-39页 |
| 3.3.3 约束及载荷的施加 | 第39-40页 |
| 3.4 接触对的设置 | 第40-44页 |
| 3.4.1 基于ANSYS接触分析概述 | 第41页 |
| 3.4.2 带间隙的面与面接触对设置方法及步骤 | 第41-44页 |
| 3.5 本章小结 | 第44-45页 |
| 第四章 温度及压力环境应力下输出特性分析 | 第45-60页 |
| 4.1 未接触状态输出电容仿真及结果分析 | 第45-50页 |
| 4.1.1 中心挠度的确定 | 第45-46页 |
| 4.1.2 压力对未接触状态传感器敏感结构输出电容的影响 | 第46-48页 |
| 4.1.3 温度对未接触状态传感器敏感结构输出电容的影响 | 第48-50页 |
| 4.2 接触状态输出电容仿真及结果分析 | 第50-54页 |
| 4.2.1 接触半径的确定 | 第50-51页 |
| 4.2.2 压力对接触状态传感器敏感结构输出电容的影响 | 第51-53页 |
| 4.2.3 温度对接触状态传感器敏感结构输出电容的影响 | 第53-54页 |
| 4.3 接触状态与未接触状态输出结果比较 | 第54-56页 |
| 4.4 零点漂移 | 第56-58页 |
| 4.5 综合环境下SiC电容式高温压力传感器性能分析 | 第58-59页 |
| 4.6 本章小结 | 第59-60页 |
| 第五章 结构参数变化对输出特性的影响 | 第60-70页 |
| 5.1 腔体高度变化对输出特性的影响 | 第60-63页 |
| 5.1.1 腔体高度变化对电容输出曲线线性度及其灵敏度的影响 | 第60-61页 |
| 5.1.2 腔体高度变化对零点漂移的影响 | 第61-63页 |
| 5.2 SiC压感膜厚度变化对输出特性的影响 | 第63-66页 |
| 5.2.1 SiC压感膜厚度变化对电容输出曲线线性度及其灵敏度的影响 | 第63-64页 |
| 5.2.2 SiC压感膜厚度变化对零点漂移的影响 | 第64-66页 |
| 5.3 SiO_2层厚度变化对输出特性的影响 | 第66-69页 |
| 5.3.1 SiO_2层厚度变化对电容输出曲线线性度及其灵敏度的影响 | 第66-67页 |
| 5.3.2 SiO_2层厚度变化对零点漂移的影响 | 第67-69页 |
| 5.4 本章小结 | 第69-70页 |
| 第六章 结论 | 第70-73页 |
| 致谢 | 第73-74页 |
| 参考文献 | 第74-78页 |
| 攻读硕士期间取得的成果 | 第78页 |
