| 摘要 | 第5-7页 |
| abstract | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第11-19页 |
| 1.1 研究背景 | 第11-13页 |
| 1.2 GaN功率开关器件的研究进展 | 第13-18页 |
| 1.3 本文的架构和主要研究内容 | 第18-19页 |
| 第二章 极化效应与GaNHEMT器件物理 | 第19-34页 |
| 2.1 AlGaN/GaNHEMT器件物理 | 第19-27页 |
| 2.1.1 GaN及AlGaN的极化效应 | 第19-22页 |
| 2.1.2 二维电子气(2DEG)的产生机制 | 第22-24页 |
| 2.1.3 肖特基栅极AlGaN/GaNHEMT的工作原理 | 第24-27页 |
| 2.2 AlGaN/GaNHEMT的可靠性问题 | 第27-30页 |
| 2.2.1 自热效应 | 第27页 |
| 2.2.2 电流崩塌效应 | 第27-29页 |
| 2.2.3 抑制电流崩塌的主要方案 | 第29-30页 |
| 2.3 典型的GaN增强型功率开关器件解决方案 | 第30-33页 |
| 2.4 本章小结 | 第33-34页 |
| 第三章 P型栅纵向GaN功率开关管仿真分析 | 第34-45页 |
| 3.1 器件结构与工作原理 | 第34-36页 |
| 3.2 GaNCVFET的转移与输出特性 | 第36-38页 |
| 3.3 GaNCVFET的击穿特性 | 第38-42页 |
| 3.4 GaNCVFET的开关特性 | 第42-43页 |
| 3.5 本章小结 | 第43-45页 |
| 第四章 分立栅型纵向逆导GaN功率开关管仿真研究 | 第45-64页 |
| 4.1 逆导功率开关器件 | 第46-48页 |
| 4.1.1 Si基逆导器件 | 第46页 |
| 4.1.2 商用GaN基逆导功率开关器件 | 第46-48页 |
| 4.2 分立栅型GaN纵向逆导开关管 | 第48-49页 |
| 4.3 GaNRCVFET器件结构与工作原理 | 第49-51页 |
| 4.4 GaNRCVFET的仿真结果及讨论 | 第51-63页 |
| 4.4.1 GaNRCVFET的逆导特性 | 第51-52页 |
| 4.4.2 GaNRCVFET的转移与输出特性 | 第52-53页 |
| 4.4.3 GaNRCVFET的耐压特性 | 第53-55页 |
| 4.4.4 GaNRCVFET的动态特性 | 第55-60页 |
| 4.4.5 GaNRCVFET的寄生效应 | 第60-62页 |
| 4.4.6 GaNRCVFET的工艺流程 | 第62-63页 |
| 4.5 本章小结 | 第63-64页 |
| 第五章 结论与展望 | 第64-66页 |
| 5.1 本论文主要内容 | 第64-65页 |
| 5.2 下一步工作展望 | 第65-66页 |
| 致谢 | 第66-67页 |
| 参考文献 | 第67-73页 |
| 攻读硕士学位期间取得的研究成果 | 第73页 |