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GaN基电力电子器件新结构研究

摘要第5-7页
abstract第7-8页
第一章 绪论第11-19页
    1.1 研究背景第11-13页
    1.2 GaN功率开关器件的研究进展第13-18页
    1.3 本文的架构和主要研究内容第18-19页
第二章 极化效应与GaNHEMT器件物理第19-34页
    2.1 AlGaN/GaNHEMT器件物理第19-27页
        2.1.1 GaN及AlGaN的极化效应第19-22页
        2.1.2 二维电子气(2DEG)的产生机制第22-24页
        2.1.3 肖特基栅极AlGaN/GaNHEMT的工作原理第24-27页
    2.2 AlGaN/GaNHEMT的可靠性问题第27-30页
        2.2.1 自热效应第27页
        2.2.2 电流崩塌效应第27-29页
        2.2.3 抑制电流崩塌的主要方案第29-30页
    2.3 典型的GaN增强型功率开关器件解决方案第30-33页
    2.4 本章小结第33-34页
第三章 P型栅纵向GaN功率开关管仿真分析第34-45页
    3.1 器件结构与工作原理第34-36页
    3.2 GaNCVFET的转移与输出特性第36-38页
    3.3 GaNCVFET的击穿特性第38-42页
    3.4 GaNCVFET的开关特性第42-43页
    3.5 本章小结第43-45页
第四章 分立栅型纵向逆导GaN功率开关管仿真研究第45-64页
    4.1 逆导功率开关器件第46-48页
        4.1.1 Si基逆导器件第46页
        4.1.2 商用GaN基逆导功率开关器件第46-48页
    4.2 分立栅型GaN纵向逆导开关管第48-49页
    4.3 GaNRCVFET器件结构与工作原理第49-51页
    4.4 GaNRCVFET的仿真结果及讨论第51-63页
        4.4.1 GaNRCVFET的逆导特性第51-52页
        4.4.2 GaNRCVFET的转移与输出特性第52-53页
        4.4.3 GaNRCVFET的耐压特性第53-55页
        4.4.4 GaNRCVFET的动态特性第55-60页
        4.4.5 GaNRCVFET的寄生效应第60-62页
        4.4.6 GaNRCVFET的工艺流程第62-63页
    4.5 本章小结第63-64页
第五章 结论与展望第64-66页
    5.1 本论文主要内容第64-65页
    5.2 下一步工作展望第65-66页
致谢第66-67页
参考文献第67-73页
攻读硕士学位期间取得的研究成果第73页

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