面内转换(IPS)薄膜晶体管(TFT)液晶材料的研究
| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第12-25页 |
| 1.1 课题研究背景 | 第12-13页 |
| 1.2 液晶基本知识 | 第13-14页 |
| 1.3 液晶的分类 | 第14-16页 |
| 1.3.1 热致液晶 | 第14-16页 |
| 1.3.2 溶致液晶 | 第16页 |
| 1.4 液晶显示器 | 第16-18页 |
| 1.4.1 液晶显示器的分类 | 第16页 |
| 1.4.2 液晶显示工作机理 | 第16-18页 |
| 1.5 含氟液晶 | 第18-22页 |
| 1.5.1 末端氟取代 | 第19-20页 |
| 1.5.2 侧向氟取代 | 第20-21页 |
| 1.5.3 中心桥键氟取代 | 第21-22页 |
| 1.6 含CF_2O桥键的含氟液晶研究近况 | 第22-24页 |
| 1.7 本文研究主要内容和、意义及创新点 | 第24-25页 |
| 第二章 二氟甲氧基桥键液晶分子的合成 | 第25-57页 |
| 2.1 实验部分 | 第25-44页 |
| 2.1.1 试剂与溶剂 | 第25-26页 |
| 2.1.2 仪器与测试条件 | 第26页 |
| 2.1.3 单体的合成 | 第26-44页 |
| 2.2 结果与讨论 | 第44-55页 |
| 2.2.1 合成路线的选择 | 第44-53页 |
| 2.2.2 Weinreb酰胺制备条件讨论 | 第53-55页 |
| 2.2.3 最终单体结构的确认 | 第55页 |
| 2.3 本章小结 | 第55-57页 |
| 第三章 液晶分子性能测试 | 第57-68页 |
| 3.1 单晶相变及性能研究 | 第57-60页 |
| 3.1.1 实验仪器 | 第57页 |
| 3.1.2 表征方法 | 第57页 |
| 3.1.3 表征结果 | 第57-60页 |
| 3.2 单晶物理性质 | 第60-62页 |
| 3.2.1 实验仪器 | 第60页 |
| 3.2.2 测试方法 | 第60页 |
| 3.2.3 测试结果 | 第60-62页 |
| 3.3 液晶的光电性能 | 第62-65页 |
| 3.3.1 实验仪器 | 第62页 |
| 3.3.2 测试方法 | 第62页 |
| 3.3.3 阈值电压和阈值陡度 | 第62-63页 |
| 3.3.4 响应特性 | 第63页 |
| 3.3.5 测试结果 | 第63-65页 |
| 3.4 液晶的电压保持率和比电阻率 | 第65-67页 |
| 3.4.1 实验仪器 | 第65页 |
| 3.4.2 测试方法 | 第65页 |
| 3.4.3 比电阻率 | 第65-66页 |
| 3.4.4 电压保持率 | 第66页 |
| 3.4.5 测试结果 | 第66-67页 |
| 3.5 本章小结 | 第67-68页 |
| 第四章 结论 | 第68-69页 |
| 参考文献 | 第69-73页 |
| 致谢 | 第73-74页 |
| 研究成果及发表的学术论文 | 第74-75页 |
| 作者及导师简介 | 第75-77页 |
| 附件 | 第77-78页 |
