| 目录 | 第4-6页 |
| 摘要 | 第6-9页 |
| Abstract | 第9-12页 |
| 第一章 绪论 | 第13-46页 |
| 1.1 引言——与时俱进的微纳电子技术 | 第13-16页 |
| 1.2 存储技术的分类及发展现状 | 第16-40页 |
| 1.2.1 存储技术的研究背景和意义 | 第16-17页 |
| 1.2.2 存储技术的分类与对比 | 第17-19页 |
| 1.2.3 基于电荷存储的闪存器件发展现状 | 第19-26页 |
| 1.2.4 基于物理状态转换的下一代存储器发展现状 | 第26-40页 |
| 1.3 本论文的主要研究内容 | 第40-41页 |
| 参考文献 | 第41-46页 |
| 第二章 纳米硅量子点浮置栅存储器的器件特性研究 | 第46-69页 |
| 2.1 引言 | 第46-47页 |
| 2.2 纳米硅量子点存储单元关键工艺的摸索和制备 | 第47-53页 |
| 2.2.1 超薄隧穿氧化层的制备与击穿特性研究 | 第47-49页 |
| 2.2.2 纳米硅浮置栅层的制备与电镜表征 | 第49-51页 |
| 2.2.3 MOS结构的C-V特性研究 | 第51-53页 |
| 2.3 基于中芯国际0.13μm CMOS工艺流水线制备纳米硅量子点存储单元testkey的器件特性表征 | 第53-62页 |
| 2.3.1 存储特性分析 | 第53-58页 |
| 2.3.2 存储单元多种擦、写脉冲施加方式的可行性分析 | 第58-62页 |
| 2.4 NOR功能存储矩阵及其外围灵敏放大电路的设计与考虑 | 第62-67页 |
| 2.4.1 NOR功能存储矩阵操作偏置的优化设计 | 第62-64页 |
| 2.4.2 存储矩阵灵敏放大器电路的设计和读操作工作点的确定 | 第64-67页 |
| 本章小结 | 第67页 |
| 参考文献 | 第67-69页 |
| 第三章 亚氧化硅(SiO_x)薄膜材料阻变存储特性的研究 | 第69-80页 |
| 3.1 引言——SiO_x材料的优势和现状 | 第69-70页 |
| 3.2 Pt/SiO_x/Pt三明治结构阻变特性的研究 | 第70-76页 |
| 3.2.1 亚氧化硅(SiO_x)材料的制备和表征 | 第70-72页 |
| 3.2.2 Pt/SiO_(0.73)/Pt三明治结构的制备和单极型阻变性质 | 第72-76页 |
| 3.3 N~+-Si/SiO_(0.73)/N~++-Si sub/Pt结构的制备和单极型阻变性质 | 第76-78页 |
| 本章小结 | 第78页 |
| 参考文献 | 第78-80页 |
| 第四章 硅悬挂键渗流通道模型的提出与讨论 | 第80-99页 |
| 4.1 引言 | 第80-84页 |
| 4.1.1 导电通道(filament)模型 | 第80-82页 |
| 4.1.2 SiO_x材料本征阻变机理的研究现状 | 第82-84页 |
| 4.2 硅悬挂键渗流模型的提出 | 第84-90页 |
| 4.3 硅悬挂键渗流模型的实验依据 | 第90-95页 |
| 4.3.1 forming过程的变温特性研究 | 第90-92页 |
| 4.3.2 forming过程中的离子迁移和氧气释放现象研究 | 第92-93页 |
| 4.3.3 reset时氧原子对悬挂键的钝化作用分析 | 第93-95页 |
| 本章小结 | 第95-96页 |
| 参考文献 | 第96-99页 |
| 第五章 Sio_x薄膜阻变特性的X组分依赖关系 | 第99-119页 |
| 5.1 引言 | 第99-100页 |
| 5.2 x值依赖的Sio_x材料单极型阻变现象研究 | 第100-104页 |
| 5.2.1 SiO_x材料中两种典型的阻变现象 | 第100-102页 |
| 5.2.2 SiO_x材料单极型阻变特性随x值的变化趋势 | 第102-104页 |
| 5.3 硅悬挂键渗流模型解释随x值变化的阻变现象 | 第104-113页 |
| 5.3.1 不同x值SiO_x材料的XPS和ESR信号拟合结果分析 | 第104-110页 |
| 5.3.2 硅悬挂键渗流通道内的hopping电导机制研究 | 第110-113页 |
| 5.4 Pt/SiO_(1.53)/Pt结构的双极型阻变现象 | 第113-115页 |
| 本章小结 | 第115-117页 |
| 参考文献 | 第117-119页 |
| 第六章 总结与展望 | 第119-122页 |
| 6.1 本论文主要工作的总结 | 第119-120页 |
| 6.2 未来工作的展望 | 第120-122页 |
| 攻读博士期间发表的学术论文 | 第122-124页 |
| 致谢 | 第124-125页 |
