基于GaN HEMT的高效率E类功率放大器的设计研究
| 摘要 | 第2-3页 |
| abstract | 第3页 |
| 第1章 绪论 | 第7-16页 |
| 1.1 研究背景及意义 | 第7-8页 |
| 1.2 E类功率放大器的发展趋势和现状 | 第8-15页 |
| 1.2.1 半导体材料和晶体管技术的发展 | 第8-10页 |
| 1.2.2 E类功率放大器的研究进展 | 第10-12页 |
| 1.2.3 E类功放的改进方法 | 第12-15页 |
| 1.3 本文的主要内容及各章节结构安排 | 第15-16页 |
| 第2章 微波功率放大器基本理论 | 第16-29页 |
| 2.1 经典功率放大器 | 第16-18页 |
| 2.2 开关类功率放大器 | 第18-23页 |
| 2.2.1 D类功率放大器 | 第19-20页 |
| 2.2.2 E类功率放大器 | 第20-21页 |
| 2.2.3 F类功率放大器 | 第21-23页 |
| 2.2.4 J类功率放大器 | 第23页 |
| 2.3 功率放大器的特性 | 第23-26页 |
| 2.3.1 漏极效率和功率附加效率 | 第24页 |
| 2.3.2 输出功率 | 第24-25页 |
| 2.3.3 带宽 | 第25页 |
| 2.3.4 线性度 | 第25页 |
| 2.3.5 输入输出驻波比 | 第25-26页 |
| 2.3.6 稳定性 | 第26页 |
| 2.4 功率放大器的组成 | 第26-28页 |
| 2.4.1 晶体管 | 第27页 |
| 2.4.2 偏置及稳定电路 | 第27-28页 |
| 2.4.3 输入输出匹配电路 | 第28页 |
| 2.5 本章小结 | 第28-29页 |
| 第3章 基于集总元件的S波段10WE类功放设计 | 第29-51页 |
| 3.1 E类功放的工作机制 | 第29-36页 |
| 3.1.1 E类功放电路的构建 | 第29-30页 |
| 3.1.2 E类功放定量分析 | 第30-36页 |
| 3.2 基于集总元件的S波段10WE类功放设计 | 第36-47页 |
| 3.2.1 偏置及稳定性分析 | 第37-40页 |
| 3.2.2 输入匹配网络的设计 | 第40-44页 |
| 3.2.3 输出匹配网络的设计 | 第44-47页 |
| 3.2.3.1 标准设计公式设计输出匹配网络 | 第45-46页 |
| 3.2.3.2 去除寄生参数的输出匹配网络 | 第46-47页 |
| 3.3 理想RFC的去封装模型E类功放仿真 | 第47-50页 |
| 3.4 本章小结 | 第50-51页 |
| 第4章 2.2GHz微带线E类功放的设计 | 第51-71页 |
| 4.1 微带线E类功放输出匹配电路的拓扑结构选择 | 第51-53页 |
| 4.2 设计部分谐波抑制的输出网络 | 第53-57页 |
| 4.3 去封装的微带线E类功放仿真验证 | 第57-60页 |
| 4.4 电路整体仿真 | 第60-65页 |
| 4.4.1 ADS联合仿真 | 第60-64页 |
| 4.4.2 HFSS建模仿真 | 第64-65页 |
| 4.5 实物测试与结果分析 | 第65-70页 |
| 4.6 本章小结 | 第70-71页 |
| 第5章 总结与展望 | 第71-73页 |
| 参考文献 | 第73-77页 |
| 致谢 | 第77-79页 |
| 个人简历、在学期间发表的学术论文与研究成果 | 第79-80页 |
| 附录 | 第80-81页 |
