| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第11-18页 |
| 1.1 高K材料概述 | 第11-13页 |
| 1.2 HfO_2薄膜的应用背景和研究现状 | 第13-15页 |
| 1.3 本论文的研究背景和研究内容 | 第15-17页 |
| 1.4 本论文的结构安排 | 第17-18页 |
| 第二章 HfO_2薄膜的制备 | 第18-23页 |
| 2.1 HfO_2薄膜的制备工艺 | 第18-19页 |
| 2.2 磁控溅射镀膜的制备原理 | 第19-20页 |
| 2.3 磁控溅射镀膜的装置 | 第20-21页 |
| 2.4 实验的材料及HfO_2制备过程 | 第21-23页 |
| 第三章 HfO_2薄膜的性能与测试及其相关理论 | 第23-33页 |
| 3.1 HfO_2薄膜的表面形貌 | 第23-24页 |
| 3.2 HfO_2薄膜的成分与化合态 | 第24-25页 |
| 3.3 HfO_2薄膜的微观结构物相 | 第25-26页 |
| 3.4 HfO_2薄膜的电学性能 | 第26-29页 |
| 3.4.1 HfO_2薄膜MOS结构的C-V测试 | 第27-28页 |
| 3.4.2 HfO_2薄膜MOS结构的I-V测试 | 第28-29页 |
| 3.5 HfO_2薄膜的残余应力 | 第29-33页 |
| 第四章 HfO_2薄膜性能的分析和研究 | 第33-67页 |
| 4.1 HfO_2薄膜表面形貌的分析和研究 | 第33-43页 |
| 4.1.1 氧气通量对HfO_2薄膜表面形貌的影响 | 第33-38页 |
| 4.1.2 溅射时间对HfO_2薄膜表面形貌的影响 | 第38-40页 |
| 4.1.3 溅射功率对HfO_2薄膜表面形貌的影响 | 第40-43页 |
| 4.2 HfO_2薄膜结构物相的分析和研究 | 第43-46页 |
| 4.2.1 氧气通量对HfO_2薄膜结构物相的影响 | 第43-44页 |
| 4.2.2 溅射时间对HfO_2薄膜结构物相的影响 | 第44-45页 |
| 4.2.3 溅射功率对HfO_2薄膜结构物相的影响 | 第45-46页 |
| 4.3 HfO_2薄膜漏电流的分析和研究 | 第46-51页 |
| 4.3.1 氧气通量对HfO_2薄膜漏电流的影响 | 第46-49页 |
| 4.3.2 溅射时间对HfO_2薄膜漏电流的影响 | 第49-50页 |
| 4.3.3 溅射功率对HfO_2薄膜漏电流的影响 | 第50-51页 |
| 4.4 HfO_2薄膜成分、C-V特性及残余应力的分析和研究 | 第51-65页 |
| 4.4.1 氧气通量对薄膜成分的影响 | 第51-58页 |
| 4.4.2 氧气通量对薄膜电容-电压特性的影响 | 第58-61页 |
| 4.4.3 氧气通量对HfO_2薄膜残余应力的影响分析 | 第61-64页 |
| 4.4.4 HfO_2薄膜残余应力和表面形貌的关系 | 第64-65页 |
| 4.5 本章小结 | 第65-67页 |
| 第五章 结论 | 第67-69页 |
| 致谢 | 第69-70页 |
| 参考文献 | 第70-73页 |
| 攻读硕士学位期间取得的成果 | 第73-74页 |
