| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-21页 |
| 1.1 引言 | 第10-11页 |
| 1.2 TFT 的简介 | 第11-15页 |
| 1.2.1 TFT 的发展 | 第11-15页 |
| 1.2.2 TFT 的结构 | 第15页 |
| 1.3 氧化物 TFT | 第15-19页 |
| 1.3.1 氧化物半导体的载流子输运机理 | 第15-16页 |
| 1.3.2 氧化物半导体材料 | 第16-18页 |
| 1.3.3 绝缘层材料和制备工艺 | 第18-19页 |
| 1.3.4 源/漏电极 | 第19页 |
| 1.4 本文的立论依据及主要创新点 | 第19-21页 |
| 第二章 实验条件汇总 | 第21-32页 |
| 2.1 薄膜的制备方法 | 第21-30页 |
| 2.1.1 真空蒸镀 | 第21-22页 |
| 2.1.2 溅射 | 第22-23页 |
| 2.1.3 化学气相沉积法 | 第23-24页 |
| 2.1.4 溶液加工法 | 第24-30页 |
| 2.2 实验准备 | 第30-32页 |
| 第三章 低温溶液加工法制备 ZnO-TFT | 第32-40页 |
| 3.1 ZnO 薄膜的制备 | 第32-33页 |
| 3.1.1 前驱体溶液的制备 | 第32页 |
| 3.1.2 ZnO 薄膜的沉积 | 第32-33页 |
| 3.2 ZnO 薄膜的表征 | 第33-34页 |
| 3.3 TFT 器件的制备 | 第34-35页 |
| 3.4 TFT 器件的性能 | 第35-39页 |
| 3.4.1 ZnO 薄膜的退火温度对器件性能的影响 | 第35-37页 |
| 3.4.2 前驱体溶液的旋涂转速对器件性能的影响 | 第37-38页 |
| 3.4.3 钝化层对器件性能的影响 | 第38-39页 |
| 3.5 小结 | 第39-40页 |
| 第四章 溶液加工法制备的掺杂氧化物 TFT | 第40-60页 |
| 4.1 溶液旋涂法制备 IZO-TFT 器件 | 第40-46页 |
| 4.1.1 前驱体溶液的制备 | 第40页 |
| 4.1.2 IZO-TFT 器件的制备 | 第40-41页 |
| 4.1.3 IZO-TFT 器件电学性能的影响因素 | 第41-46页 |
| 4.2 溶液旋涂法制备 IGZO-TFT 器件 | 第46-51页 |
| 4.2.1 IGZO 薄膜的制备 | 第46页 |
| 4.2.2 IGZO-TFT 器件的制备 | 第46页 |
| 4.2.3 影响 IGZO-TFT 器件电学性能的因素 | 第46-51页 |
| 4.3 溶液旋涂法制备 ZTO-TFT 器件 | 第51-58页 |
| 4.3.1 ZTO 薄膜的制备 | 第51-52页 |
| 4.3.2 ZTO-TFT 器件的制备 | 第52页 |
| 4.3.3 影响 ZTO-TFT 器件电学性能的因素 | 第52-58页 |
| 4.4 小结 | 第58-60页 |
| 结论 | 第60-62页 |
| 参考文献 | 第62-69页 |
| 攻读硕士期间取得的主要研究成果 | 第69-70页 |
| 致谢 | 第70-71页 |
| 附件 | 第71页 |
