| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第12-32页 |
| 1.1 引言 | 第12页 |
| 1.2 有机电致发光简介 | 第12-14页 |
| 1.2.1 有机电致发光的发展概况 | 第12-13页 |
| 1.2.2 有机电致发光的现状 | 第13-14页 |
| 1.3 有机电致发光的工作原理及特性 | 第14-19页 |
| 1.3.1 有机电致发光器件的基本结构 | 第14-16页 |
| 1.3.1.1 单层结构器件 | 第15页 |
| 1.3.1.2 双层结构器件 | 第15页 |
| 1.3.1.3 三层结构器件 | 第15-16页 |
| 1.3.1.4 多层结构器件 | 第16页 |
| 1.3.2 有机电致发光器件的工作原理 | 第16-19页 |
| 1.3.2.1 载流子的注入 | 第17-18页 |
| 1.3.2.2 载流子的传输 | 第18页 |
| 1.3.2.3 激子的形成 | 第18页 |
| 1.3.2.4 激子辐射衰减发光 | 第18-19页 |
| 1.4 宽带隙蓝光主体材料研究进展 | 第19-25页 |
| 1.4.1 引言 | 第19页 |
| 1.4.2 主体材料的基本要求 | 第19-20页 |
| 1.4.3 小分子主体材料 | 第20-23页 |
| 1.4.4 聚合物主体材料 | 第23-25页 |
| 1.5 有机电致发光界面修饰工程的研究进展 | 第25-31页 |
| 1.5.1 界面层的作用 | 第26-27页 |
| 1.5.1.1 减小电极和活性层之间的接触势垒，增大载流子注入 | 第26页 |
| 1.5.1.2 保护活性层 | 第26页 |
| 1.5.1.3 作为单载流子传输层 | 第26-27页 |
| 1.5.1.4 决定器件的正负极性 | 第27页 |
| 1.5.1.5 调节活性层形貌 | 第27页 |
| 1.5.2 界面修饰工程在倒置有机电致发光器件中的应用 | 第27-31页 |
| 1.5.2.1 阴极界面修饰层 | 第28-30页 |
| 1.5.2.2 阳极界面修饰层 | 第30-31页 |
| 1.6 本论文的设计思路 | 第31-32页 |
| 1.6.1 论文选题 | 第31页 |
| 1.6.2 研究内容 | 第31-32页 |
| 第二章 有机电致发光器件的制备和性能测试 | 第32-37页 |
| 2.1 引言 | 第32页 |
| 2.2 实验所需仪器设备 | 第32-33页 |
| 2.3 有机电致发光器件的制备工艺 | 第33-35页 |
| 2.3.1 对 ITO（氧化铟锡）玻璃的处理 | 第33页 |
| 2.3.2 界面层的旋涂 | 第33页 |
| 2.3.3 聚合物活性层的旋涂 | 第33-34页 |
| 2.3.4 蒸镀金属电极 | 第34-35页 |
| 2.3.5 器件的封装 | 第35页 |
| 2.4 聚合物薄膜物理特性测试 | 第35-37页 |
| 2.4.1 紫外-可见光光谱测试 | 第35页 |
| 2.4.2 光致发光光谱测试 | 第35-36页 |
| 2.4.3 聚合物薄膜的光致发光效率测试 | 第36页 |
| 2.4.4 聚合物薄膜表面粗糙度测试 | 第36-37页 |
| 第三章 基于咔唑类聚合物主体材料的电致发光器件 | 第37-51页 |
| 3.1 引言 | 第37-38页 |
| 3.2 聚合物的物理化学性质及器件制备 | 第38-41页 |
| 3.2.1 聚合物的结构 | 第38页 |
| 3.2.2 聚合物的物理性能及电化学性能 | 第38-39页 |
| 3.2.3 器件的制备 | 第39-41页 |
| 3.2.3.1 ITO 基片的制备 | 第39页 |
| 3.2.3.2 阳极界面层的制备 | 第39页 |
| 3.2.3.3 发光层的制备 | 第39-40页 |
| 3.2.3.4 阴极界面层的制备 | 第40页 |
| 3.2.3.5 阴极电极的制备 | 第40-41页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第41-50页 |
| 3.3.1 CzFB 及 PICzFB 的光物理性能 | 第41-43页 |
| 3.3.2 基于 PICzFB 作为主体材料的磷光电致发光器件 | 第43-50页 |
| 3.3.2.1 基于 PICzFB 作为主体材料的蓝光磷光电致发光器件 | 第43-48页 |
| 3.3.2.2 基于 PICzFB 作为主体材料的绿光磷光电致发光器件 | 第48-50页 |
| 3.4 本章小结 | 第50-51页 |
| 第四章 倒置型蓝光聚合物发光二极管 | 第51-66页 |
| 4.1 引言 | 第51页 |
| 4.2 实验部分 | 第51-55页 |
| 4.2.1 器件的制备和所用材料 | 第51-54页 |
| 4.2.1.1 ITO 基片的制备 | 第51-52页 |
| 4.2.1.2 氧化锌（ZnO）层的旋涂 | 第52页 |
| 4.2.1.3 阴极界面层的旋涂 | 第52页 |
| 4.2.1.4 活性层的旋涂 | 第52-54页 |
| 4.2.1.5 氧化钼（MoO_3）层的制备 | 第54页 |
| 4.2.1.6 阴极的制备 | 第54页 |
| 4.2.2 倒置型器件的工作机理 | 第54-55页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第55-65页 |
| 4.3.1 透过率测试 | 第55-56页 |
| 4.3.2 倒置型器件界面性能测试及分析 | 第56-57页 |
| 4.3.3 荧光量子效率的测试 | 第57页 |
| 4.3.4 实验结果及其所得性能的相关解释 | 第57-65页 |
| 4.3.4.1 PFN-SO 界面层加热温度对器件性能的影响 | 第58-60页 |
| 4.3.4.2 PFN-SO 界面层厚度对器件性能的影响 | 第60-61页 |
| 4.3.4.3 正置与倒置型器件性能对比 | 第61-63页 |
| 4.3.4.4 氧化锌的影响 | 第63-65页 |
| 4.4 本章小结 | 第65-66页 |
| 结论 | 第66-67页 |
| 参考文献 | 第67-82页 |
| 攻读硕士学位期间取得的研究成果 | 第82-83页 |
| 致谢 | 第83-84页 |
| 附件 | 第84页 |
