| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第11-16页 |
| 1.1 引言 | 第11-12页 |
| 1.2 薄膜晶体管的种类 | 第12-14页 |
| 1.2.1 a-Si TFT | 第13页 |
| 1.2.2 p-Si TFT | 第13页 |
| 1.2.3 OTFT | 第13-14页 |
| 1.2.4 氧化物 TFT | 第14页 |
| 1.3 ZnO-TFT 的优势及存在的问题 | 第14-15页 |
| 1.3.1 ZnO-TFT 的优势 | 第14-15页 |
| 1.3.2 ZnO-TFT 存在的问题 | 第15页 |
| 1.4 本文的主要研究内容 | 第15页 |
| 1.5 本章小结 | 第15-16页 |
| 第二章 ZnO-TFT 的工作原理及性能表征 | 第16-23页 |
| 2.1 ZnO-TFT 的基本结构 | 第16页 |
| 2.2 ZnO-TFT 的工作原理 | 第16-17页 |
| 2.3 ZnO 薄膜的表征技术 | 第17-19页 |
| 2.3.1 X 射线衍射 | 第17-19页 |
| 2.3.2 光学薄膜测厚仪 | 第19页 |
| 2.4 ZnO-TFT 的主要性能参数 | 第19-21页 |
| 2.4.1 载流子迁移率 | 第20页 |
| 2.4.2 阈值电压 | 第20页 |
| 2.4.3 开关电流比 | 第20页 |
| 2.4.4 亚阈值摆幅 | 第20-21页 |
| 2.5 ZnO-TFT 器件电特性的测试 | 第21-22页 |
| 2.6 本章小结 | 第22-23页 |
| 第三章 ZnO-TFT 的制备技术 | 第23-31页 |
| 3.1 ZnO 薄膜的制备技术 | 第23-28页 |
| 3.1.1 原子层沉积 | 第23-24页 |
| 3.1.2 激光分子束外延 | 第24页 |
| 3.1.3 金属有机化学气相沉积 | 第24-25页 |
| 3.1.4 脉冲激光沉积 | 第25页 |
| 3.1.5 溶液法 | 第25-26页 |
| 3.1.6 射频磁控溅射法 | 第26-28页 |
| 3.2 ZnO-TFT 样品的制备流程 | 第28-30页 |
| 3.2.1 基片的清洗 | 第28页 |
| 3.2.2 SiO_2栅介质层的制备 | 第28-29页 |
| 3.2.3 ZnO 有源层的制备 | 第29页 |
| 3.2.4 源漏电极的制备 | 第29-30页 |
| 3.3 本章小结 | 第30-31页 |
| 第四章 电极退火次序和沟道宽度对 ZnO-TFT 性能的影响 | 第31-38页 |
| 4.1 电极退火次序对 ZnO-TFT 性能的影响 | 第31-34页 |
| 4.1.1 实验条件 | 第31页 |
| 4.1.2 退火次序对输出特性的影响 | 第31-32页 |
| 4.1.3 退火次序对转移特性的影响 | 第32-33页 |
| 4.1.4 退火次序对源漏电极形貌的影响 | 第33-34页 |
| 4.1.5 退火次序对器件空气稳定性的影响 | 第34页 |
| 4.2 沟道宽度对 ZnO-TFT 性能的影响 | 第34-37页 |
| 4.2.1 实验条件 | 第34页 |
| 4.2.2 沟道宽度对输出特性的影响 | 第34-35页 |
| 4.2.3 沟道宽度对转移特性的影响 | 第35-37页 |
| 4.3 本章小结 | 第37-38页 |
| 第五章 栅偏压应力对 ZnO-TFT 性能稳定性的影响 | 第38-52页 |
| 5.1 负栅偏压应力下器件性能的稳定性 | 第38-44页 |
| 5.1.1 实验条件和测试条件 | 第38-39页 |
| 5.1.2 负栅偏压应力对阈值电压的影响 | 第39-41页 |
| 5.1.3 负栅偏压应力对迁移率的影响 | 第41页 |
| 5.1.4 负栅偏压应力对转移特性迟滞效应的影响 | 第41-43页 |
| 5.1.5 负栅偏压应力下的电容-电压分析 | 第43-44页 |
| 5.2 正栅偏压应力下器件性能的稳定性 | 第44-47页 |
| 5.2.1 实验条件和测试条件 | 第44页 |
| 5.2.2 未加正栅偏压应力前的电特性曲线 | 第44页 |
| 5.2.3 室温时正栅偏压应力下器件性能的稳定性 | 第44-47页 |
| 5.2.4 室温时正栅偏压应力下的电容-电压分析 | 第47页 |
| 5.3 不同温度下正栅偏压应力对器件性能稳定性的影响 | 第47-51页 |
| 5.3.1 实验条件和测试条件 | 第47-48页 |
| 5.3.2 不同温度下正栅偏压应力对阈值电压的影响 | 第48-49页 |
| 5.3.3 不同温度下正栅偏压应力对转移特性迟滞效应的影响 | 第49-50页 |
| 5.3.4 不同温度下正栅偏压应力的电容-电压分析 | 第50-51页 |
| 5.4 本章小结 | 第51-52页 |
| 第六章 源漏电流应力对 ZnO-TFT 性能稳定性的影响 | 第52-58页 |
| 6.1 不同电流应力下器件性能的稳定性 | 第52-53页 |
| 6.1.1 测试条件 | 第52页 |
| 6.1.2 不同电流应力对器件转移特性的影响 | 第52-53页 |
| 6.2 不同温度下电流应力对器件性能稳定性的影响 | 第53-57页 |
| 6.2.1 测试条件 | 第53-54页 |
| 6.2.2 不同温度下电流应力对阈值电压的影响 | 第54-56页 |
| 6.2.3 不同温度下电流应力对转移特性迟滞效应的影响 | 第56-57页 |
| 6.3 本章小结 | 第57-58页 |
| 结论 | 第58-59页 |
| 参考文献 | 第59-66页 |
| 攻读硕士学位期间取得的研究成果 | 第66-68页 |
| 致谢 | 第68-69页 |
| 附件 | 第69页 |
