首页--工业技术论文--化学工业论文--金属元素的无机化合物化学工业论文--第Ⅳ族金属元素的无机化合物论文--锗主族(ⅣA族)元素的无机化合物论文

贵金属掺杂SnO2空心纳米球的制备及其气敏性能检测

摘要第5-6页
Abstract第6-7页
第1章 绪论第10-30页
    1.1 气敏传感器概述第10-15页
        1.1.1 气敏传感器性能评价第10-11页
        1.1.2 气敏传感器的分类第11-13页
        1.1.3 几种常见的气敏机理模型第13-14页
        1.1.4 气敏传感器的应用第14-15页
    1.2 半导体气敏传感器第15-17页
        1.2.1 半导体气敏传感器的分类第15-16页
        1.2.2 半导体气敏元件的结构第16-17页
    1.3 纳米材料第17-21页
        1.3.1 纳米材料的特性第18-19页
        1.3.2 纳米材料制备方法第19-21页
    1.4 半导体金属氧化物气敏材料第21-27页
        1.4.1 几种常见的半导体金属氧化物气敏材料第21-22页
        1.4.2 气敏传感器的气敏性能改性研究第22-27页
    1.5 气敏传感器的发展趋势第27-29页
    1.6 本论文的主要工作和章节安排第29-30页
        1.6.1 本论文的主要工作第29页
        1.6.2 本论文的章节安排第29-30页
第2章 二氧化锡空心纳米球的水热合成及气敏性能检测第30-50页
    引言第30-31页
    2.1 实验材料和实验仪器第31-32页
        2.1.1 实验材料第31页
        2.1.2 实验仪器第31-32页
    2.2 样品的表征及测试第32-33页
    2.3 钯掺杂二氧化锡空心纳米球的制备第33-35页
    2.4 材料的表征与讨论第35-41页
        2.4.1 SiO_2的SEM表征第35-36页
        2.4.2 SiO_2空心纳米球的TEM表征第36-38页
        2.4.3 材料的XRD表征第38-39页
        2.4.4 钯掺杂SiO_2材料的TEM、EDS、XPS表征第39-41页
    2.5 材料的气敏性能测试第41-48页
        2.5.1 气敏元件制作方法第41页
        2.5.2 气敏性能检测第41-48页
    2.6 本章小结第48-50页
第3章 Au掺杂二氧化锡空心纳米球的制备及其气敏性能研究第50-58页
    引言第50页
    3.1 Au/SiO_2空心纳米球的制备与表征第50-53页
        3.1.1 材料的制备第50-51页
        3.1.2 材料的表征及结果讨论第51-53页
    3.2 Au/SiO_2空心纳米球气敏性能检测第53-56页
        3.2.1 Au/SiO_2空心纳米球对乙醇响应的最佳工作温度第53-54页
        3.2.2 Au/SiO_2空心纳米球对不同浓度乙醇的响应第54-55页
        3.2.3 Au/SiO_2简单气敏选择性研究第55-56页
    3.3 气敏结果讨论第56-57页
    3.4 本章小结第57-58页
第4章 全文总结第58-60页
参考文献第60-72页
攻读硕士期间发表论文情况第72-74页
致谢第74页

论文共74页,点击 下载论文
上一篇:撞击流反应—沉淀法制备钇稳定氧化锆超细粉体
下一篇:等离子体刻蚀增强CVD金刚石膜抛光的研究