| 摘要 | 第2-4页 |
| abstract | 第4-5页 |
| 1 绪论 | 第8-19页 |
| 1.1 引言 | 第8页 |
| 1.2 CZT探测器的工作原理及研究现状 | 第8-12页 |
| 1.2.1 CZT探测器的工作原理 | 第8-9页 |
| 1.2.2 室温核辐射探测器对CZT晶体的要求 | 第9-10页 |
| 1.2.3 国内外研究现状 | 第10-11页 |
| 1.2.4 CZT探测器的应用及发展趋势 | 第11-12页 |
| 1.3 CZT晶体的微观缺陷研究 | 第12-15页 |
| 1.3.1 本征点缺陷 | 第12-13页 |
| 1.3.2 杂质 | 第13页 |
| 1.3.3 掺杂元素 | 第13-14页 |
| 1.3.4 缺陷能级的分类及表征方法 | 第14-15页 |
| 1.3.5 微观缺陷对性能的影响 | 第15页 |
| 1.4 CZT晶体的电输运特性 | 第15-16页 |
| 1.5 选题的背景及意义 | 第16-17页 |
| 1.6 本文的研究思路及内容 | 第17-19页 |
| 2 实验过程 | 第19-32页 |
| 2.1 晶体样品CZT1和CZT2的制备 | 第19-21页 |
| 2.1.1 样品的预处理 | 第19-20页 |
| 2.1.2 样品电极的制备 | 第20-21页 |
| 2.2 性能测试及表征手段 | 第21-26页 |
| 2.2.1 室温I-V测试 | 第21-22页 |
| 2.2.2 Hall测试 | 第22-23页 |
| 2.2.3 Gamma射线能谱响应测试 | 第23-24页 |
| 2.2.4 TOF测试 | 第24-25页 |
| 2.2.5 UV-Vis-NIR透射光谱测试 | 第25-26页 |
| 2.3 微观缺陷表征技术 | 第26-32页 |
| 2.3.1 PL谱技术 | 第26-27页 |
| 2.3.2 TSC谱 | 第27-29页 |
| 2.3.3 TEES谱 | 第29-30页 |
| 2.3.4 变温I-V测试 | 第30-32页 |
| 3 CZT晶体的电学性能及电输运过程研究 | 第32-41页 |
| 3.1 电学性能研究 | 第32-33页 |
| 3.1.1 CZT1和CZT2的I-V特性 | 第32-33页 |
| 3.1.2 CZT1和CZT2的Hall效应分析 | 第33页 |
| 3.2 电输运过程研究 | 第33-40页 |
| 3.2.1 CZT1和CZT2的gamma射线能谱响应分析 | 第33-35页 |
| 3.2.2 CZT1和CZT2载流子迁移率寿命乘积的计算 | 第35页 |
| 3.2.3 CZT1和CZT2的TOF图谱 | 第35-38页 |
| 3.2.4 CZT1和CZT2载流子的迁移率和寿命 | 第38-39页 |
| 3.2.5 CZT1和CZT2的禁带宽度 | 第39-40页 |
| 3.3 小结 | 第40-41页 |
| 4 CZT晶体的微观缺陷调控与高阻机制探讨 | 第41-55页 |
| 4.1 CZT晶体的复合中心缺陷研究 | 第41-45页 |
| 4.1.1 温度对PL谱的影响 | 第41-43页 |
| 4.1.2 10 K下CZT1和CZT2的PL图谱对比分析 | 第43-45页 |
| 4.2 CZT晶体的陷阱缺陷研究 | 第45-51页 |
| 4.2.1 加热速率对TSC谱的影响 | 第45-46页 |
| 4.2.2 “同步多峰分析(SIMPA)法”解谱 | 第46-49页 |
| 4.2.3 CZT1和CZT2的陷阱能级类型及其微观起源探讨 | 第49-50页 |
| 4.2.4 陷阱能级对电输运过程的影响 | 第50-51页 |
| 4.3 CZT晶体高阻机制的探讨 | 第51-53页 |
| 4.3.1 CZT1和CZT2的电阻率随温度变化的关系 | 第51-52页 |
| 4.3.2 CZT晶体的高阻机制探究 | 第52-53页 |
| 4.4 小结 | 第53-55页 |
| 5 结论 | 第55-56页 |
| 参考文献 | 第56-62页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第62-63页 |
| 致谢 | 第63-65页 |
