摘要 | 第5-7页 |
ABSTRACT | 第7-8页 |
第一章 绪论 | 第11-33页 |
1.1 引言 | 第11-12页 |
1.2 金属绝缘体转变(MIT)的分类 | 第12-15页 |
1.3 VO_2的金属—绝缘体转变研究进展 | 第15-28页 |
1.3.1 VO_2相变研究概况 | 第17-20页 |
1.3.2 VO_2的MIT调控手段 | 第20-26页 |
1.3.3 VO_2相关电路器件研究 | 第26-28页 |
1.4 本论文的内容安排 | 第28-29页 |
参考文献 | 第29-33页 |
第二章 薄膜制备和表征技术 | 第33-63页 |
2.1 引言 | 第33-35页 |
2.2 薄膜制备技术简介 | 第35-43页 |
2.2.1 物理气相沉积 | 第36-41页 |
2.2.2 化学气相沉积 | 第41-43页 |
2.3 薄膜表征技术简介 | 第43-60页 |
2.3.1 电输运测量 | 第44-47页 |
2.3.2 X-ray薄膜表征 | 第47-57页 |
2.3.3 AFM探针技术 | 第57-60页 |
2.4 本章小结 | 第60-61页 |
参考文献 | 第61-63页 |
第三章 钒氧化物样品制备及表征 | 第63-77页 |
3.1 V_xO_y/Al_2O_3制备 | 第63-64页 |
3.2 V_xO_y/Al_2O_3生长相图 | 第64-67页 |
3.3 样品的表征 | 第67-74页 |
3.4 本章小结 | 第74-75页 |
参考文献 | 第75-77页 |
第四章 VO_2(mM)新相的发现及其应变调控 | 第77-93页 |
4.1 VO_2室温金属相的研究背景 | 第77-85页 |
4.1.1 VO_2薄膜中的相分离 | 第78-79页 |
4.1.2 VO_2室温金属相结构表征 | 第79-81页 |
4.1.3 VO_2室温金属相的来源 | 第81-85页 |
4.2 VO_2 MIT的应变调控 | 第85-89页 |
4.2.1 VO_2/PMN-0.29PT样品制备 | 第85页 |
4.2.2 VO_2/PMN-0.29PT样品结构表征 | 第85-87页 |
4.2.3 VO_2/PMN-0.29PT输运特性 | 第87-89页 |
4.3 本章小结 | 第89-90页 |
参考文献 | 第90-93页 |
第五章 其它薄膜样品制备及表征 | 第93-111页 |
5.1 多铁性异质结的各向异性磁阻测量 | 第93-100页 |
5.1.1 旋转矢量磁铁装置搭建与各向异性场测量原理 | 第93-97页 |
5.1.2 样品制备 | 第97-98页 |
5.1.3 结果和讨论 | 第98-100页 |
5.2 LSMO/BTO超晶格制备及表征 | 第100-106页 |
5.2.1 SrTiO_3衬底处理 | 第101-102页 |
5.2.2 LSMO/BTO超晶格样品制备 | 第102-106页 |
5.3 WO_3薄膜制备 | 第106-107页 |
5.4 本章小结 | 第107-109页 |
参考文献 | 第109-111页 |
第六章 总结和展望 | 第111-113页 |
致谢 | 第113-115页 |
在读期间发表的学术论文、参与的项目及学术活动 | 第115-119页 |