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氧化石墨烯基场效应晶体管特性研究

目录第3-4页
摘要第4-6页
Abstract第6-7页
第一章 绪论第8-19页
    1.1 引言第8-9页
    1.2 石墨烯晶体管和阻变随机存储器的研究现状第9-17页
        1.2.1 石墨烯晶体管的研究现状第9-14页
        1.2.2 石墨烯随机阻变存储器的研究现状第14-17页
    1.3 本章小结第17-19页
第二章 石墨烯及相关的纳米结构表征技术第19-29页
    2.1 引言第19页
    2.2 石墨烯的结构和性能第19-25页
        2.2.1 石墨烯的晶体结构第19-21页
        2.2.2 石墨烯的电子结构第21-23页
        2.2.3 石墨烯的电学性能第23页
        2.2.4 常见的石墨烯制备方法第23-25页
    2.3 常规的石墨烯纳米结构表征方法第25-28页
        2.3.1 拉曼光谱第25-26页
        2.3.2 原子力显微镜第26-27页
        2.3.3 X射线光电子能谱第27-28页
    2.4 本章小结第28-29页
第三章 氧化石墨烯基晶体管的制备及其特性研究第29-43页
    3.1 引言第29-30页
    3.2 实验方案第30页
    3.3 实验结果与讨论第30-41页
        3.3.1 GO薄膜的制备及其椭偏仪表征第30-32页
        3.3.2 GO薄膜极性依赖的电化学还原现象研究第32-36页
        3.3.3 不同偏压下GO薄膜还原效果及其禁带宽度变化的研究第36-38页
        3.3.4 传输特性可控的GO及晶体管特性研究第38-41页
    3.4 本章小结第41-43页
第四章 氧化石墨烯的纳米尺度阻变存储效应研究第43-49页
    4.1 引言第43页
    4.2 实验方案第43-44页
    4.3 实验结果与讨论第44-48页
    4.4 本章小结第48-49页
第五章 总结与展望第49-52页
参考文献第52-59页
硕士阶段取得的学术成果第59-60页
致谢第60-61页

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