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应用于全数字频率综合器的数字控制振荡器的设计与研究

摘要第3-4页
Abstract第4页
第一章 绪论第8-11页
    1.1 论文的研究背景第8-9页
    1.2 论文的主要工作和创新第9-10页
    1.3 论文的组织结构第10-11页
第二章 频率综合器概述与系统指标定义第11-19页
    2.1 频率综合器概述第11-13页
    2.2 锁相环特性分析及主要性能指标第13-19页
        2.2.1 锁相环的线性分析第13-14页
        2.2.2 相位噪声与时钟抖动第14-17页
        2.2.3 瞬态响应时间第17-18页
        2.2.4 频率范围与频率精度第18-19页
第三章 电容电感压控振荡器概述第19-44页
    3.1 振荡器基本原理第19-24页
        3.1.1 两端负反馈系统分析第20-21页
        3.1.2 单端能量补偿分析第21-24页
    3.2 环形振荡器第24-26页
    3.3 LC振荡器第26-28页
        3.3.1 Colpitts振荡器第26-27页
        3.3.2 差分LC振荡器第27-28页
    3.4 振荡器相位噪声分析理论第28-40页
        3.4.1 相位噪声源第29页
        3.4.2 相位噪声产生的机理第29-30页
        3.4.3 相位噪声的计算第30-31页
        3.4.4 相位噪声模型理论第31-40页
    3.5 数字频率综合器中振荡器的设计第40-44页
        3.5.1 数字频率综合器概述第40-42页
        3.5.2 振荡器输出相位噪声对系统输出的影响第42-43页
        3.5.3 振荡器电容阵列第43-44页
第四章 数字控制振荡器设计第44-53页
    4.1 振荡器结构第44-45页
    4.2 抑制相位噪声第45-49页
        4.2.1 电感的选取第45-46页
        4.2.2 尾电流噪声源第46-47页
        4.2.3 二次谐波谐振滤波技术第47-49页
    4.3 频率精度第49-53页
        4.3.1 可变电容分类第49-51页
        4.3.2 传统P型IMOS可变电容第51页
        4.3.3 减小电容变化范围的一种接法第51-52页
        4.3.4 PMOS与NMOS对管作为可变电容第52-53页
第五章 芯片设计实例第53-63页
    5.1 设计指标第53页
    5.2 振荡器结构原理图第53-55页
    5.3 电容阵列的设计第55页
    5.4 各个电容阵列的可变电容第55-56页
    5.5 关于Tracking控制位的设计第56-58页
    5.6 Buffer设计第58-59页
    5.7 Divider设计第59页
    5.8 版图设计考虑第59-60页
    5.9 测试结果第60-63页
第六章 总结第63-64页
参考文献第64-67页
致谢第67-68页

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