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基于贵金属/半导体的高效均匀的表面增强拉曼基底的设计、制备及染料检测

中文摘要第4-6页
Abstract第6-8页
第一章 绪论第13-68页
    1.1 拉曼光谱第13-14页
    1.2 表面增强拉曼光谱(SERS)第14-19页
        1.2.1 表面增强拉曼简介第14-15页
        1.2.2 表面增强拉曼的增强机理第15-17页
        1.2.3 表面增强拉曼基底的分类第17页
        1.2.4 表面增强拉曼的检测第17-19页
    1.3 贵金属SERS基底的制备第19-35页
        1.3.1 Langmuir-Blodgett法第19页
        1.3.2 模板法第19-23页
        1.3.3 纳米球刻蚀技术(Nanosphere lithography)第23-24页
        1.3.4 自组装法第24-28页
        1.3.5 电子束光刻技术(Electron beam lithography)第28-30页
        1.3.6 纳米压印技术(Nanoimprint lithography)第30-31页
        1.3.7 反应离子刻蚀法(Reactive ion etching)第31-32页
        1.3.8 电纺丝法第32-33页
        1.3.9 伽伐尼置换反应(Galvanic displacement)第33-35页
    1.5 表面增强拉曼的应用第35-41页
        1.5.1 化学中的应用第35-37页
        1.5.2 食品安全中的应用第37-38页
        1.5.3 环境保护和国土安全中的应用第38-39页
        1.5.4 生物及医学中的应用第39-41页
        1.5.5 艺术品鉴定及奢侈品防伪等方面的应用第41页
    1.6 表面增强拉曼检测技术新发展第41页
    1.7 石墨烯增强拉曼光谱第41-43页
    1.8 贵金属/半导体SERS基底的设计思路第43-48页
    1.9 论文设想第48-49页
    参考文献第49-68页
第二章 介电常数对贵金属/半导体SERS基底增强效果的影响——Ag/Ge和Ag/Si基底FDTD理论模拟及实验验证第68-95页
    2.1 前言第68-70页
    2.2 实验部分第70-71页
        2.2.1 时域有限差分(FDTD)模拟第70页
        2.2.2 实验试剂第70页
        2.2.3 Ag/Ge基底的制备第70页
        2.2.4 Ag/Si基底的制备第70-71页
        2.2.5 测试表征第71页
        2.2.6 SERS检测第71页
    2.3 结果与讨论第71-89页
        2.3.1 贵金属/半导体基底的FDTD模拟第71-74页
        2.3.2 Ag/Ge基底的表征第74-78页
        2.3.3 Ag/Ge基底的SERS性能第78-89页
    2.4 小结第89页
    参考文献第89-95页
第三章 嫁接于Ge衬底上Ag-Au纳米颗粒的两步法制备及SERS性能研究第95-113页
    3.1 前言第95-96页
    3.2 实验部分第96-97页
        3.2.1 实验试剂第96页
        3.2.2 Ag-Au纳米颗粒基底的制备第96页
        3.2.3 测试表征第96-97页
        3.2.4 时域有限差分(FDTD)模拟第97页
        3.2.5 SERS检测第97页
    3.3 结果与讨论第97-108页
        3.3.1 Ge衬底上Ag-Au纳米颗粒的表征第97-100页
        3.3.2 基底电场分布的FDTD模拟第100-102页
        3.3.3 基底的SERS性能第102-108页
    3.4 小结第108-109页
    参考文献第109-113页
第四章 基于Ag-Pt纳米颗粒SERS基底的绿色制备及性能研究第113-132页
    4.1 前言第113-115页
    4.2 实验部分第115-116页
        4.2.1 实验试剂第115页
        4.2.2 Ag-Pt NPs/Ge的制备第115页
        4.2.3 测试表征第115页
        4.2.4 拉曼检测第115-116页
    4.3 结果与讨论第116-127页
        4.3.1 Ge衬底上Ag-Pt NPs的表征第116-121页
        4.3.2 基底的SERS性能第121-127页
    4.4 小结第127页
    参考文献第127-132页
第五章 Gamma射线辐照对石墨烯量子点发光性质的可控调节研究第132-167页
    5.1 前言第132-134页
    5.2 实验部分第134-135页
        5.2.1 实验试剂第134页
        5.2.2 GQD-OH、GQD-NH2、GDQ-N_2H_3、m-GQDs和CQDs的制备第134页
        5.2.3 GQDs和CQDs的Gamma射线辐照处理第134页
        5.2.4 荧光量子产率的计算第134-135页
        5.2.5 测试表征第135页
    5.3 结果与讨论第135-158页
        5.3.1 GQD-OH的表征第135-137页
        5.3.2 溶解氧对GQD-OH辐照的影响第137-142页
        5.3.3 不同条件下GQD-OH的Gamma射线辐照第142-151页
        5.3.4 GQD-NH2、GQD-N_2H_3、m-GQDs和CQDs的Gamma射线辐照第151-157页
        5.3.5 辐照处理的 GQD-OH 的生物相容性及生物成像第157-158页
    5.4 小结第158-159页
    参考文献第159-167页
第六章 结论与展望第167-170页
    6.1 结论第167-169页
    6.2 展望第169-170页
攻读学位期间本人出版或公开发表的论著、论文第170-172页
    发表学术论文第170-171页
    参加的学术会议第171-172页
致谢第172-174页

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