| 摘要 | 第4-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第9-20页 |
| 1.1 纳米岛的特性 | 第10-12页 |
| 1.1.1 量子尺寸效应 | 第11页 |
| 1.1.2 表面效应 | 第11页 |
| 1.1.3 宏观量子隧道效应 | 第11-12页 |
| 1.1.4 库伦阻塞效应 | 第12页 |
| 1.2 纳米岛的应用 | 第12-15页 |
| 1.2.1 纳米岛发光二极管 | 第13页 |
| 1.2.2 纳米岛激光器 | 第13-14页 |
| 1.2.3 纳米岛红外探测器 | 第14-15页 |
| 1.2.4 纳米岛半导体光放大器 | 第15页 |
| 1.3 异质外延纳米岛的生长机制 | 第15-17页 |
| 1.4 异质外延纳米岛的有序生长 | 第17-18页 |
| 1.4.1 多层生长 | 第17-18页 |
| 1.4.2 图形衬底异质外延 | 第18页 |
| 1.5 本文的主要工作 | 第18-20页 |
| 第二章 连续弹性理论和有限元法 | 第20-29页 |
| 2.1 连续弹性理论 | 第20-24页 |
| 2.2 有限元法 | 第24-29页 |
| 第三章 Si(001)衬底上异质外延GeSi纳米岛应变弛豫 | 第29-38页 |
| 3.1 Si(001)衬底GeSi纳米岛 | 第29-31页 |
| 3.2 最佳高宽比 | 第31-34页 |
| 3.3 异质外延GeSi纳米岛的实验制备 | 第34-36页 |
| 3.4 小结 | 第36-38页 |
| 第四章 图形衬底异质外延纳米岛应变弛豫的影响因素 | 第38-54页 |
| 4.1 倒金字塔坑Si图形衬底异质外延GeSi纳米岛模型 | 第38-39页 |
| 4.2 倒金字塔形坑对应变弛豫的影响 | 第39-40页 |
| 4.3 坑倾角、填充率对于应变弛豫的影响 | 第40-53页 |
| 4.4 小结 | 第53-54页 |
| 第五章 总结和展望 | 第54-57页 |
| 参考文献 | 第57-62页 |
| 致谢 | 第62-63页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文 | 第63页 |