| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第10-16页 |
| 1.1 课题背景和意义 | 第10-12页 |
| 1.2 国内外 ZrO_2薄膜的研究现状 | 第12-14页 |
| 1.3 课题研究的主要内容 | 第14-16页 |
| 第2章 ZrO_2薄膜理论基础及制备方法 | 第16-24页 |
| 2.1 ZrO_2薄膜结构和性质 | 第16-19页 |
| 2.2 ZrO_2薄膜的制备方法 | 第19-23页 |
| 2.2.1 溅射法 | 第19-20页 |
| 2.2.2 电子束蒸镀法 | 第20-22页 |
| 2.2.3 电化学沉积法 | 第22页 |
| 2.2.4 溶胶-凝胶法 | 第22-23页 |
| 2.3 本章小结 | 第23-24页 |
| 第3章 射频磁控溅射 ZrO_2薄膜及表征 | 第24-37页 |
| 3.1 射频磁控溅射理论基础 | 第24-29页 |
| 3.1.1 射频磁控溅射(RF Magnetron Sputtering) | 第24-26页 |
| 3.1.2 辉光放电 | 第26-27页 |
| 3.1.3 溅射率 | 第27-29页 |
| 3.1.4 溅射原子的状态 | 第29页 |
| 3.2 实验装置及操作流程 | 第29-32页 |
| 3.3 ZrO_2薄膜的表征技术 | 第32-35页 |
| 3.3.1 X 射线衍射技术(XRD) | 第32-34页 |
| 3.3.2 扫描电子显微镜(SEM) | 第34-35页 |
| 3.3.3 原子力显微镜(AFM) | 第35页 |
| 3.4 本章小结 | 第35-37页 |
| 第4章 ZrO_2薄膜的测试及结果分析 | 第37-46页 |
| 4.1 溅射工艺对 ZrO_2薄膜的影响 | 第37-40页 |
| 4.1.1 工作气体总压强对 ZrO_2薄膜的影响 | 第37-39页 |
| 4.1.2 氧氩流量比对 ZrO_2薄膜的影响 | 第39-40页 |
| 4.2 退火处理对 ZrO_2薄膜的影响 | 第40-45页 |
| 4.2.1 ZrO_2薄膜表面的 XRD 分析 | 第40-42页 |
| 4.2.2 薄膜成分能谱分析 | 第42页 |
| 4.2.3 薄膜表面结构分析 | 第42-44页 |
| 4.2.4 ZrO_2薄膜的透射率分析 | 第44-45页 |
| 4.3 本章小结 | 第45-46页 |
| 结论 | 第46-47页 |
| 参考文献 | 第47-50页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文 | 第50-51页 |
| 致谢 | 第51页 |