| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 符号对照表 | 第13-16页 |
| 缩略语对照表 | 第16-21页 |
| 第一章 绪论 | 第21-27页 |
| 1.1 研究背景及研究意义 | 第21-22页 |
| 1.2 微波毫米波GaN基HEMT器件的发展过程 | 第22-24页 |
| 1.3 当前研究存在的主要问题 | 第24-26页 |
| 1.4 本论文研究内容介绍 | 第26-27页 |
| 第二章 AlGaN/GaN HEMT器件工作原理及制备工艺 | 第27-49页 |
| 2.1 AlGaN/GaN HEMT器件工作原理 | 第27-35页 |
| 2.1.1 氮化物中的极化效应 | 第27-28页 |
| 2.1.2 异质结中的 2DEG | 第28-29页 |
| 2.1.3 HEMT器件工作的基本原理及性能参数 | 第29-35页 |
| 2.2 器件的基本仿真模型 | 第35-40页 |
| 2.2.1 Silvaco TCAD-ATLAS仿真软件简介 | 第35-36页 |
| 2.2.2 基本半导体仿真方程 | 第36-37页 |
| 2.2.3 迁移率模型 | 第37-39页 |
| 2.2.4 产生与复合模型 | 第39-40页 |
| 2.3 器件的基础制备工艺 | 第40-47页 |
| 2.3.1 样品清洗 | 第42页 |
| 2.3.2 光刻和金属剥离 | 第42-43页 |
| 2.3.3 欧姆接触 | 第43-44页 |
| 2.3.4 器件隔离方法 | 第44页 |
| 2.3.5 肖特基接触 | 第44-46页 |
| 2.3.6 钝化和金属互连线 | 第46-47页 |
| 2.4 本章小结 | 第47-49页 |
| 第三章 微波毫米波AlGaN/GaN HEMT器件短沟道效应研究 | 第49-63页 |
| 3.1 器件结构和仿真模型 | 第49-51页 |
| 3.2 器件能带图 | 第51-52页 |
| 3.3 短沟道效应引起器件直流特性的变化 | 第52-58页 |
| 3.3.1 器件在不同栅长Lg下的转移和输出特性 | 第52-55页 |
| 3.3.2 阈值电压负漂移 | 第55-56页 |
| 3.3.3 器件的跨导随Lg减小的变化 | 第56-58页 |
| 3.4 短沟道效应引起器件频率特性的变化 | 第58-59页 |
| 3.5 短沟道效应分析 | 第59-60页 |
| 3.6 本章小结 | 第60-63页 |
| 第四章 AlGaN/GaN HEMT器件的结构优化 | 第63-77页 |
| 4.1 势垒层厚度对器件短沟道效应的影响 | 第63-69页 |
| 4.1.1 器件结构建模 | 第63页 |
| 4.1.2 减小栅下势垒层厚度直流特性的变化 | 第63-65页 |
| 4.1.3 减小栅下势垒层厚度对二维电子气密度的影响 | 第65-67页 |
| 4.1.4 tgbar减小对短沟道效应的抑制结果 | 第67-69页 |
| 4.2 AlGaN/GaN HEMT器件栅结构的优化 | 第69-72页 |
| 4.2.1 T型栅器件结构建模 | 第69-70页 |
| 4.2.2 栅帽长度变化对器件直流特性的影响 | 第70-71页 |
| 4.2.3 栅帽长度变化对器件频率特性的影响 | 第71-72页 |
| 4.3 AlGaN/GaN HEMT器件栅漏间距的优化 | 第72-75页 |
| 4.3.1 栅漏间距LGD减小对器件直流特性的影响 | 第72-74页 |
| 4.3.2 栅漏间距LGD的减小对频率特性的影响 | 第74页 |
| 4.3.3 栅漏间距LGD的减小对器件击穿电压的影响 | 第74-75页 |
| 4.4 本章小结 | 第75-77页 |
| 第五章 微波毫米波Al GaN/GaN HEMT器件测试分析 | 第77-91页 |
| 5.1 常规AlGaN/GaN HEMT器件讨论 | 第77-80页 |
| 5.1.1 常规AlGaN/GaN HEMT器件结构 | 第77-78页 |
| 5.1.2 结果与讨论 | 第78-80页 |
| 5.2 槽栅AlGaN/GaN HEMT器件结构与讨论 | 第80-86页 |
| 5.2.1 槽栅AlGaN/GaN HEMT器件结构 | 第80-81页 |
| 5.2.2 结果与讨论 | 第81-86页 |
| 5.3 T型栅AlGaN/GaN HEMT器件结构与讨论 | 第86-88页 |
| 5.3.1 T型栅AlGaN/GaN HEMT器件结构 | 第86-87页 |
| 5.3.2 结果与讨论 | 第87-88页 |
| 5.4 本章小结 | 第88-91页 |
| 第六章 结论 | 第91-95页 |
| 6.1 本文研究内容 | 第91-92页 |
| 6.2 进一步工作展望 | 第92-95页 |
| 参考文献 | 第95-99页 |
| 致谢 | 第99-101页 |
| 作者简介 | 第101-102页 |
