| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 符号对照表 | 第13-16页 |
| 缩略语对照表 | 第16-19页 |
| 第一章 绪论 | 第19-27页 |
| 1.1 GaN HEMT器件研究进展 | 第19-22页 |
| 1.2 GaN HEMTs低温特性研究意义及现状 | 第22-23页 |
| 1.3 本文安排 | 第23-27页 |
| 第二章 GaN基HEMT器件理论基础 | 第27-41页 |
| 2.1 AlGaN/GaN HEMT器件基本工作原理 | 第27-34页 |
| 2.1.1 氮化物材料的极化效应 | 第27-30页 |
| 2.1.2 二维电子气的形成机理 | 第30-32页 |
| 2.1.3 GaN HEMT器件基本工作原理 | 第32-34页 |
| 2.2 AlGaN/GaN HEMTs制备中的关键工艺 | 第34-39页 |
| 2.2.1 表面清洗 | 第36页 |
| 2.2.2 源、漏欧姆接触 | 第36-37页 |
| 2.2.3 器件隔离 | 第37页 |
| 2.2.4 钝化层淀积 | 第37-38页 |
| 2.2.5 栅极形成 | 第38页 |
| 2.2.6 互连 | 第38-39页 |
| 2.3 本章小结 | 第39-41页 |
| 第三章 AlGaN/GaN HEMTs低温直流特性研究 | 第41-65页 |
| 3.1 常规GaN HEMT器件变温直流特性 | 第41-44页 |
| 3.1.1 AlGaN/GaN器件的变温输出特性 | 第41-43页 |
| 3.1.2 AlGaN/GaN器件的变温转移特性 | 第43-44页 |
| 3.2 AlGaN/GaN器件低温下欧姆接触性能研究 | 第44-47页 |
| 3.2.1 传输线模型 | 第45-46页 |
| 3.2.2 源、漏欧姆接触电阻变温测试结果 | 第46-47页 |
| 3.3 低温条件下GaN HEMT器件中2DEG的变化 | 第47-53页 |
| 3.3.1 fat-FET计算2DEG场效应迁移率 | 第48-50页 |
| 3.3.2 变频C-V法研究2DEG浓度随温度变化 | 第50-53页 |
| 3.4 不同栅长AlGaN/GaN器件低温特性比较 | 第53-56页 |
| 3.5 薄势垒增强型和耗尽型AlGaN/GaN HEMT器件低温特性对比 | 第56-63页 |
| 3.6 本章小结 | 第63-65页 |
| 第四章 GaN HEMTs低温栅漏电机制研究 | 第65-73页 |
| 4.1 AlGaN/GaN器件的主要栅漏电机制 | 第65-68页 |
| 4.1.1 热电子发射机制 | 第65-66页 |
| 4.1.2 隧穿机制 | 第66-67页 |
| 4.1.3 FP发射机制 | 第67-68页 |
| 4.2 AlGaN/GaN HEMT器件栅漏电机制分析 | 第68-72页 |
| 4.2.1 AlGaN/GaN HEMT器件正向栅电流研究 | 第69-70页 |
| 4.2.2 AlGaN/GaN HEMT器件反向栅漏电研究 | 第70-72页 |
| 4.3 本章小结 | 第72-73页 |
| 第五章 AlGaN/GaN异质结界面特性分析 | 第73-83页 |
| 5.1 界面电荷概述 | 第73-74页 |
| 5.2 电导法简介 | 第74-76页 |
| 5.3 AlGaN/GaN异质结等效电路模型 | 第76-77页 |
| 5.4 AlGaN/GaN异质结界面态分析 | 第77-81页 |
| 5.5 本章小结 | 第81-83页 |
| 第六章 总结与展望 | 第83-87页 |
| 6.1 本文主要内容总结 | 第83-85页 |
| 6.2 展望 | 第85-87页 |
| 参考文献 | 第87-93页 |
| 致谢 | 第93-95页 |
| 作者简介 | 第95-96页 |
