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基于CdSe量子点电致发光器件性能的研究

致谢第5-6页
摘要第6-7页
ABSTRACT第7-8页
第9-12页
1 绪论第12-22页
    1.1 量子点概念第12-15页
        1.1.1 量子点的主要性质第12-13页
        1.1.2 量子点的量子效应第13-14页
        1.1.3 量子点材料的基本结构第14-15页
    1.2 量子点的制备方法第15页
    1.3 量子点的发光机理第15-19页
        1.3.1 量子点的能级第16-17页
        1.3.2 量子点的光致发光(PL)原理第17-18页
        1.3.3 量子点的电致发光(EL)原理第18-19页
    1.4 研究进展及趋势第19-21页
        1.4.1 量子点的研究进展第19-20页
        1.4.2 量子点在显示领域的最新进展第20-21页
    1.5 本论文主要工作及意义第21-22页
2 量子点电致发光的研究内容和方法第22-29页
    2.1 实验用材料介绍第22页
    2.2 量子点器件的制备流程及工艺第22-26页
        2.2.1 ITO基底的清洗和处理第23页
        2.2.2 有机薄膜层的制备第23-25页
        2.2.3 发光层的制备第25页
        2.2.4 金属电极的制备第25-26页
    2.3 器件的性能评价及测试第26-29页
        2.3.1 光谱的测量第26-27页
        2.3.2 电流-电压特性曲线的测量第27页
        2.3.3 亮度-电压特性曲线的测量第27页
        2.3.4 器件的发光效率第27-29页
3 氧化钼作为电荷生成层提高量子点器件的发光第29-44页
    3.1 引言第29页
    3.2 R、G、B量子点实验条件的初探究第29-32页
        3.2.1 实验第29-30页
        3.2.2 结果与讨论第30-32页
    3.3 MoO_3作为电荷生成层提高量子点基础器件的发光第32-37页
        3.3.1 实验第32-33页
        3.3.2 结果与讨论第33-37页
    3.4 器件的阳极修饰第37-39页
    3.5 器件的阴极修饰第39-43页
        3.5.1 基于PFN的新型高效电子注入阴极的引入第39-40页
        3.5.2 PFN修饰对量子点器件性能的影响第40-42页
        3.5.3 各器件的相对发光强度的对比第42-43页
    3.6 本章小结第43-44页
4 掺杂磷光材料提高量子点器件的发光第44-54页
    4.1 引言第44-45页
    4.2 Ir(ppy)_3及QDs薄膜的光物理特性第45-47页
        4.2.1 实验第45页
        4.2.2 结果与讨论第45-47页
    4.3 不同厚度的Ir(ppy)_3对QLEDs性能的影响第47-50页
        4.3.1 实验第47-48页
        4.3.2 结果与讨论第48-50页
    4.4 不同浓度的Ir(ppy)_3对QLEDs性能的影响第50-51页
        4.4.1 实验第50页
        4.4.2 结果与讨论第50-51页
    4.5 Ir(ppy)_3提高QLEDs器件性能的内在机理第51-52页
    4.6 本章小结第52-54页
5 混合量子点器件电致发光能量转移的研究第54-70页
    5.1 引言第54页
    5.2 单种量子点器件的电致发光性能第54-56页
        5.2.1 实验第54-55页
        5.2.2 单种量子点器件的电致发光第55-56页
    5.3 混合量子点器件的电致发光性能第56-60页
        5.3.1 实验第56-58页
        5.3.2 结果与讨论第58-60页
    5.4 紫外-可见吸收光谱和荧光光谱的测定第60-61页
    5.5 混合量子点器件能量转移参数的计算第61-63页
    5.6 白光量子点器件的尝试第63-69页
        5.6.1 实验第63-64页
        5.6.2 讨论和分析第64-69页
    5.7 本章小结第69-70页
6 结论第70-72页
参考文献第72-75页
作者简历及攻读硕士学位期间取得的研究成果第75-77页
学位论文数据集第77页

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