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基于故障原语的3D SRAM中TSV开路测试算法研究与实现

摘要第9-11页
ABSTRACT第11-12页
第一章 绪论第13-27页
    1.1 课题研究背景第13-15页
    1.2 课题研究基础第15-20页
        1.2.1 3D SRAM原型系统第15-18页
        1.2.2 3D SRAM故障分析第18-20页
    1.3 相关研究第20-24页
        1.3.1 3D SRAM自测试第20-21页
        1.3.2 TSV自测试第21-24页
    1.4 本文主要工作第24-25页
    1.5 论文组织结构第25-27页
第二章 TSV开路引起的存储器失效率分析第27-40页
    2.1 TSV开路故障第27-31页
        2.1.1 TSV开路故障耦合效应模型第27-30页
        2.1.2 TSV开路故障定位第30-31页
    2.2 TSV开路引起的存储器失效第31-33页
    2.3 工艺变化对存储器失效率的影响第33-36页
    2.4 电压变化对存储器失效率的影响第36-38页
    2.5 温度变化对存储器失效率的影响第38-39页
    2.6 本章小结第39-40页
第三章 TSV开路功能故障模型研究第40-51页
    3.1 模拟方法第40-41页
    3.2 字线TSV开路模拟第41-44页
        3.2.1 写操作模拟结果与分析第41-43页
        3.2.2 读操作模拟结果与分析第43-44页
    3.3 位线TSV开路模拟第44-47页
        3.3.1 写操作模拟结果与分析第45-46页
        3.3.2 读操作模拟结果与分析第46-47页
    3.4 TSV开路功能故障模型提取第47-50页
        3.4.1 字线TSV开路功能故障模型提取第47-48页
        3.4.2 位线TSV开路功能故障模型提取第48-50页
    3.5 本章小结第50-51页
第四章 基于故障原语的TSV开路测试算法第51-65页
    4.1 经典March算法的研究方法第51-52页
    4.2 故障原语及分类第52-55页
        4.2.1 故障原语定义第52页
        4.2.2 单一单元故障类型第52-53页
        4.2.3 耦合故障类型第53-55页
    4.3 TSV开路测试算法第55-64页
        4.3.1 开路故障(SOF)第55-56页
        4.3.2 多路存取(ADF)第56-57页
        4.3.3 写干扰耦合故障(CFdsxw ! x)第57-58页
        4.3.4 读干扰耦合故障(CFdsrx)第58-59页
        4.3.5 错误读故障(IRF)第59-60页
        4.3.6 写破坏耦合故障(CFwd)第60-61页
        4.3.7 覆盖全故障类型的TSV开路测试算法第61-64页
    4.4 本章小结第64-65页
第五章 TSV开路测试算法实现与验证第65-76页
    5.1 TSV开路测试算法实现第65-68页
        5.1.1 TSV开路测试算法代码实现第65-67页
        5.1.2 基于TSV开路测试算法的BIST电路设计第67-68页
    5.2 TSV开路测试算法验证第68-75页
        5.2.1 算法正确性验证第70-71页
        5.2.2 算法有效性验证第71-74页
        5.2.3 性能对比第74-75页
    5.3 本章小结第75-76页
第六章 总结与展望第76-79页
    6.1 工作总结第76-78页
    6.2 工作展望第78-79页
致谢第79-81页
参考文献第81-86页
作者在学期间取得的学术成果第86页

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