低维六方氮化硼材料的第一性原理计算
| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 符号对照表 | 第11-12页 |
| 缩略语对照表 | 第12-15页 |
| 第一章 绪论 | 第15-21页 |
| 1.1 引言 | 第15页 |
| 1.2 氮化硼的分类 | 第15-17页 |
| 1.3 氮化硼纳米材料 | 第17-19页 |
| 1.3.1 h-BN纳米球 | 第17页 |
| 1.3.2 氮化硼纳米带 | 第17-18页 |
| 1.3.3 氮化硼纳米管 | 第18-19页 |
| 1.3.4 氮化硼纳米片 | 第19页 |
| 1.4 本文研究内容和章节安排 | 第19-21页 |
| 第二章 含有空位缺陷的二维h-BN | 第21-35页 |
| 2.1 空位缺陷模型以及计算方法 | 第22-24页 |
| 2.2 单原子空位的电子结构 | 第24-27页 |
| 2.3 双空位缺陷 | 第27-31页 |
| 2.4 光学性质 | 第31-33页 |
| 2.5 本章小结 | 第33-35页 |
| 第三章 替位式掺杂后的二维h-BN | 第35-53页 |
| 3.1 碳原子掺杂h-BN单层 | 第35-43页 |
| 3.1.1 理论模型与计算方法 | 第35-36页 |
| 3.1.2 晶体结构及能量 | 第36-37页 |
| 3.1.3 能带图 | 第37-38页 |
| 3.1.4 态密度和电子轨道 | 第38-41页 |
| 3.1.5 磁性分析 | 第41-43页 |
| 3.2 C、Si、Ge掺杂h-BN | 第43-46页 |
| 3.2.1 结构变化与形成能 | 第43-44页 |
| 3.2.2 电子结构 | 第44-46页 |
| 3.3 TM掺杂h-BN单层 | 第46-50页 |
| 3.4 本章小结 | 第50-53页 |
| 第四章 氮化硼纳米带的光电特性 | 第53-65页 |
| 4.1 模型与计算方法 | 第53-54页 |
| 4.2 晶体结构与电子结构 | 第54-57页 |
| 4.3 光学性质 | 第57-63页 |
| 4.4 本章小结 | 第63-65页 |
| 第五章 总结与展望 | 第65-67页 |
| 参考文献 | 第67-73页 |
| 致谢 | 第73-75页 |
| 作者简介 | 第75-76页 |
