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低维六方氮化硼材料的第一性原理计算

摘要第5-7页
ABSTRACT第7-8页
符号对照表第11-12页
缩略语对照表第12-15页
第一章 绪论第15-21页
    1.1 引言第15页
    1.2 氮化硼的分类第15-17页
    1.3 氮化硼纳米材料第17-19页
        1.3.1 h-BN纳米球第17页
        1.3.2 氮化硼纳米带第17-18页
        1.3.3 氮化硼纳米管第18-19页
        1.3.4 氮化硼纳米片第19页
    1.4 本文研究内容和章节安排第19-21页
第二章 含有空位缺陷的二维h-BN第21-35页
    2.1 空位缺陷模型以及计算方法第22-24页
    2.2 单原子空位的电子结构第24-27页
    2.3 双空位缺陷第27-31页
    2.4 光学性质第31-33页
    2.5 本章小结第33-35页
第三章 替位式掺杂后的二维h-BN第35-53页
    3.1 碳原子掺杂h-BN单层第35-43页
        3.1.1 理论模型与计算方法第35-36页
        3.1.2 晶体结构及能量第36-37页
        3.1.3 能带图第37-38页
        3.1.4 态密度和电子轨道第38-41页
        3.1.5 磁性分析第41-43页
    3.2 C、Si、Ge掺杂h-BN第43-46页
        3.2.1 结构变化与形成能第43-44页
        3.2.2 电子结构第44-46页
    3.3 TM掺杂h-BN单层第46-50页
    3.4 本章小结第50-53页
第四章 氮化硼纳米带的光电特性第53-65页
    4.1 模型与计算方法第53-54页
    4.2 晶体结构与电子结构第54-57页
    4.3 光学性质第57-63页
    4.4 本章小结第63-65页
第五章 总结与展望第65-67页
参考文献第67-73页
致谢第73-75页
作者简介第75-76页

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