| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 符号对照表 | 第11-12页 |
| 缩略语对照表 | 第12-15页 |
| 第一章 绪论 | 第15-23页 |
| 1.1 WSe_2简介 | 第15-16页 |
| 1.2 计算材料学理论与计算软件简介 | 第16-18页 |
| 1.2.1 计算材料学理论 | 第16-17页 |
| 1.2.2 计算软件 | 第17-18页 |
| 1.3 运用Castep模块对2H以及单层WSe_2的计算 | 第18-21页 |
| 1.3.1 WSe_2的能带结构 | 第18-20页 |
| 1.3.2 WSe_2的态密度 | 第20-21页 |
| 1.4 本文内容安排 | 第21-23页 |
| 第二章 不同应力条件下WSe_2的光电特性 | 第23-33页 |
| 2.1 应力条件下WSe_2的结构变化 | 第23-25页 |
| 2.2 应力条件下WSe_2的电子结构 | 第25-28页 |
| 2.2.1 基态WSe_2的能带结构与态密度 | 第25-26页 |
| 2.2.2 应力条件下WSe_2的态密度 | 第26-28页 |
| 2.2.3 应力条件下WSe_2的电荷密度 | 第28页 |
| 2.3 应力条件下WSe_2的光学性质 | 第28-32页 |
| 2.3.1 应力条件下WSe_2的介电函数 | 第29页 |
| 2.3.2 应力条件下WSe_2的复折射率 | 第29-30页 |
| 2.3.3 应力条件下WSe_2的吸收谱 | 第30-31页 |
| 2.3.4 应力条件下WSe_2的损失函数 | 第31页 |
| 2.3.5 应力条件下WSe_2的反射率 | 第31-32页 |
| 2.4 本章小结 | 第32-33页 |
| 第三章 Mo、S掺杂2H-WSe_2的电子结构 | 第33-43页 |
| 3.1 过渡金属硫族化合物的掺杂介绍 | 第33-34页 |
| 3.2 Mo、S掺杂2H-WSe_2体系的晶体结构与稳定性研究 | 第34-36页 |
| 3.3 Mo、S掺杂2H-WSe_2体系的电子结构 | 第36-41页 |
| 3.3.1 Mo、S掺杂2H-WSe_2体系的能带结构 | 第36-39页 |
| 3.3.2 Mo、S掺杂2H-WSe_2体系的态密度 | 第39-40页 |
| 3.3.3 2H-WSe_2的电荷密度 | 第40-41页 |
| 3.4 本章小结 | 第41-43页 |
| 第四章 WS_(2(1-x))Se_(2x)固溶体的稳定性与电子结构 | 第43-53页 |
| 4.1 固溶体的理论介绍 | 第43-44页 |
| 4.2 WS_(2(1-x))Se_(2x)固溶体模型与验证 | 第44-46页 |
| 4.3 WS_(2(1-x))Se_(2x)固溶体的晶格常数与稳定性研究 | 第46-48页 |
| 4.4 WS_(2(1-x))Se_(2x)固溶体的电子结构 | 第48-50页 |
| 4.4.1 WS_(2(1-x))Se_(2x)固溶体禁带宽度随掺杂浓度的变化 | 第48页 |
| 4.4.2 WS_(2(1-x))Se_(2x)固溶体的态密度 | 第48-50页 |
| 4.5 本章小结 | 第50-53页 |
| 第五章 总结与展望 | 第53-55页 |
| 5.1 研究结论 | 第53-54页 |
| 5.2 研究展望 | 第54-55页 |
| 参考文献 | 第55-59页 |
| 致谢 | 第59-61页 |
| 作者简介 | 第61页 |
