GaAs HBT压控振荡器辐照噪声研究
| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 符号对照表 | 第11-13页 |
| 缩略语对照表 | 第13-16页 |
| 第一章 绪论 | 第16-20页 |
| 1.1 研究背景 | 第16-17页 |
| 1.1.1 压控振荡器应用情况 | 第16页 |
| 1.1.2 GaAs材料与器件在辐照方面的优势 | 第16-17页 |
| 1.2 国内外研究进展 | 第17-18页 |
| 1.2.1 GaAs材料与器件辐照特性研究情况 | 第17-18页 |
| 1.2.2 HBT电路辐照研究情况 | 第18页 |
| 1.3 本文进行的工作及论文结构 | 第18-20页 |
| 第二章 压控振荡器原理、相噪和辐照简介 | 第20-40页 |
| 2.1 压控振荡器工作原理及电路设计 | 第20-31页 |
| 2.1.1 锁相环结构介绍 | 第20-21页 |
| 2.1.2 压控振荡器基本组成 | 第21页 |
| 2.1.3 振荡器工作原理 | 第21-26页 |
| 2.1.4 LC差分负阻振荡器 | 第26-31页 |
| 2.2 半导体器件以及其他器件中的噪声 | 第31-33页 |
| 2.2.1 噪声特性 | 第31-32页 |
| 2.2.2 噪声因子 | 第32页 |
| 2.2.3 噪声类型 | 第32-33页 |
| 2.3 相位噪声简介 | 第33-37页 |
| 2.4 辐照简介 | 第37-40页 |
| 2.4.1 辐照环境及危害 | 第37-38页 |
| 2.4.2 辐照效应 | 第38-40页 |
| 第三章 GaAs HBT小信号噪声模型建立及仿真 | 第40-60页 |
| 3.1 小信号模型的建立 | 第40-42页 |
| 3.2 GaAs小信号模型参数提取 | 第42-55页 |
| 3.3 GaAs噪声模型的建立 | 第55-60页 |
| 第四章 压控振荡器辐照噪声仿真及分析 | 第60-70页 |
| 4.1 VCO电路简介 | 第60-61页 |
| 4.2 VCO辐照前后相位噪声仿真 | 第61-65页 |
| 4.3 VCO辐照前后相位噪声变化分析 | 第65-70页 |
| 第五章 结论与展望 | 第70-72页 |
| 参考文献 | 第72-76页 |
| 致谢 | 第76-78页 |
| 作者简介 | 第78-79页 |
| 1.基本情况 | 第78页 |
| 2.教育背景 | 第78页 |
| 3.攻读硕士学位期间的研究成果 | 第78-79页 |
