SiGe BiCMOS超宽带低噪声放大器研究与设计
| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 符号对照表 | 第11-13页 |
| 缩略语对照表 | 第13-17页 |
| 第一章 绪论 | 第17-21页 |
| 1.1 题目研究背景 | 第17-18页 |
| 1.2 SiGe HBT超宽带低噪声放大器的发展 | 第18-19页 |
| 1.3 论文的主要工作 | 第19页 |
| 1.4 论文的主要结构 | 第19-21页 |
| 第二章 超宽带低噪声放大器理论基础 | 第21-31页 |
| 2.1 SiGe HBT等效电路模型 | 第21-22页 |
| 2.2 SiGe HBT噪声分析 | 第22-25页 |
| 2.2.1 SiGe HBT噪声源 | 第23-24页 |
| 2.2.2 SiGe HBT噪声模型 | 第24-25页 |
| 2.3 二端口网络分析 | 第25-30页 |
| 2.3.1 二端口网络S参数 | 第25-26页 |
| 2.3.2 二端口网络噪声分析 | 第26-30页 |
| 2.4 小结 | 第30-31页 |
| 第三章 超宽带低噪声放大器关键技术研究 | 第31-39页 |
| 3.1 史密斯圆图 | 第31-32页 |
| 3.2 宽带匹配技术 | 第32-36页 |
| 3.2.1 带通滤波器带宽匹配 | 第32-33页 |
| 3.2.2 并联电阻负反馈结构 | 第33-35页 |
| 3.2.3 共基极输入技术 | 第35页 |
| 3.2.4 分布式放大器 | 第35-36页 |
| 3.3 增益带宽展宽技术 | 第36-38页 |
| 3.3.1 并联补偿电感 | 第36-37页 |
| 3.3.2 两级增益带宽展宽技术 | 第37-38页 |
| 3.4 小结 | 第38-39页 |
| 第四章 超宽带低噪声放大器电路设计与仿真 | 第39-51页 |
| 4.1 电路关键指标分析 | 第39-42页 |
| 4.1.1 S参数 | 第39-40页 |
| 4.1.2 噪声系数 | 第40页 |
| 4.1.3 增益和增益平坦度 | 第40-41页 |
| 4.1.4 线性度 | 第41-42页 |
| 4.2 电路结构与分析 | 第42-46页 |
| 4.2.1 电路结构选择 | 第42-43页 |
| 4.2.2 输入匹配设计 | 第43-44页 |
| 4.2.3 增益优化分析 | 第44-45页 |
| 4.2.4 噪声优化分析 | 第45-46页 |
| 4.3 偏置电压与基准电路 | 第46-48页 |
| 4.4 电路仿真与结果分析 | 第48-50页 |
| 4.4.1 电路拓扑结构 | 第48-49页 |
| 4.4.2 仿真结果分析 | 第49-50页 |
| 4.5 小结 | 第50-51页 |
| 第五章 超宽带低噪声放大器版图设计优化与测试 | 第51-67页 |
| 5.1 电路版图设计 | 第51-52页 |
| 5.2 寄生效应分析 | 第52-53页 |
| 5.2.1 PAD与ESD寄生 | 第52-53页 |
| 5.2.2 连线寄生 | 第53页 |
| 5.3 版图优化与后仿真 | 第53-56页 |
| 5.4 版图电磁仿真 | 第56-60页 |
| 5.4.1 电感电磁仿真 | 第56-57页 |
| 5.4.2 关键路径与元件电磁仿真 | 第57-60页 |
| 5.4.3 电磁仿真的经验、不足和价值 | 第60页 |
| 5.5 芯片测试 | 第60-66页 |
| 5.5.1 测试方法 | 第60-61页 |
| 5.5.2 测试结果 | 第61-62页 |
| 5.5.3 测试结果分析 | 第62-65页 |
| 5.5.4 研究成果对比 | 第65-66页 |
| 5.6 小结 | 第66-67页 |
| 第六章 总结与展望 | 第67-69页 |
| 参考文献 | 第69-71页 |
| 致谢 | 第71-73页 |
| 作者简介 | 第73-74页 |
