| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 第一章 绪论 | 第9-21页 |
| 1.1 研究背景 | 第9-10页 |
| 1.2 碳化硅材料的特性 | 第10-13页 |
| 1.2.1 碳化硅材料发展历程 | 第10-11页 |
| 1.2.2 SiC材料结构特性 | 第11-12页 |
| 1.2.3 SiC材料电学特性 | 第12-13页 |
| 1.3 碳化硅主要器件、发展制约因素及国内外研究现状 | 第13-19页 |
| 1.3.1 碳化硅主要器件 | 第13-14页 |
| 1.3.2 碳化硅器件发展的制约因素 | 第14-15页 |
| 1.3.3 碳化硅器件的国内外发展现状 | 第15-19页 |
| 1.4 SiC/SiO_2界面反应机理研究的意义 | 第19页 |
| 1.5 论文的主要工作 | 第19-21页 |
| 第二章 SiC MOS器件SiC/SiO_2界面特性 | 第21-31页 |
| 2.1 SiC MOS器件的电容特性分析 | 第21-25页 |
| 2.1.1 SiC MOS电容的电学特性 | 第21-22页 |
| 2.1.2 SiC MOS电容的C-V特性 | 第22-25页 |
| 2.2 SiC/SiO_2界面特性及界面陷阱形成 | 第25-27页 |
| 2.2.1 SiC/SiO_2界面结构及电荷种类 | 第26-27页 |
| 2.3 SiC/SiO_2界面存在的问题及改善方法 | 第27-29页 |
| 2.3.1 SiC/SiO_2界面存在的问题 | 第27页 |
| 2.3.2 SiC/SiO_2界面态起源 | 第27-29页 |
| 2.3.3 SiC/SiO_2界面问题改善方法 | 第29页 |
| 2.4 本章小结 | 第29-31页 |
| 第三章 SiC MOS器件SiC/SiO_2界面特性测试表征 | 第31-43页 |
| 3.1 椭圆偏振衍射仪测试膜厚 | 第31-32页 |
| 3.2 相关参数提取 | 第32-35页 |
| 3.2.1 C-V提取掺杂浓度及氧化膜膜厚 | 第32-33页 |
| 3.2.2 表面势提取 | 第33-34页 |
| 3.2.3 SIMS测试器件表面元素浓度 | 第34-35页 |
| 3.3 界面态密度表征方法 | 第35-40页 |
| 3.3.1 高频方法(Terman法) | 第35-37页 |
| 3.3.2 高-低频方法(High-LowMethod) | 第37-38页 |
| 3.3.3 电导法方法(Conductance Method) | 第38-39页 |
| 3.3.4 C-φs法 | 第39-40页 |
| 3.4 SiC/SiO_2界面TDDB栅氧可靠性 | 第40-42页 |
| 3.4.1 经时绝缘击穿(TDDB)栅氧可靠性 | 第40-41页 |
| 3.4.2 栅氧可靠性击穿统计分布 | 第41-42页 |
| 3.5 本章小结 | 第42-43页 |
| 第四章 SiC/SiO_2界面调控机理 | 第43-66页 |
| 4.1 实验样品准备及基本实验流程 | 第44-47页 |
| 4.2 高温氧化工艺 | 第47-52页 |
| 4.2.1 高温氧化工艺器件的电学特性分析 | 第48-50页 |
| 4.2.2 高温氧化工艺器件的氧化机理 | 第50-52页 |
| 4.3 高温氧化后NO退火工艺 | 第52-62页 |
| 4.3.1 高温氧化后退火处理后器件的电学特性 | 第54-56页 |
| 4.3.2 高温氧化后退火处理后器件的界面特性分析 | 第56-60页 |
| 4.3.3 高温氧化后退火处理后器件的SIMS分析 | 第60-62页 |
| 4.4 TDDB栅氧可靠性研究 | 第62-65页 |
| 4.5 本章小结 | 第65-66页 |
| 第五章 总结与展望 | 第66-68页 |
| 5.1 论文总结 | 第66-67页 |
| 5.2 下一步工作 | 第67-68页 |
| 参考文献 | 第68-71页 |
| 在学期间的研究成果 | 第71-72页 |
| 致谢 | 第72页 |
