| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第12-24页 |
| 1.1 引言 | 第12-13页 |
| 1.2 纳米晶的奇妙性质 | 第13-15页 |
| 1.2.1 量子尺寸效应 | 第14页 |
| 1.2.2 量子限域效应 | 第14页 |
| 1.2.3 多激子生成效应 | 第14-15页 |
| 1.3 纳米晶太阳电池的基本原理和性能参数 | 第15-18页 |
| 1.3.1 纳米晶太阳电池的基本原理 | 第15页 |
| 1.3.2 纳米晶太阳电池的等效电路 | 第15-16页 |
| 1.3.3 纳米晶太阳电池的性能参数 | 第16-17页 |
| 1.3.4 纳米晶太阳电池的影响因素 | 第17-18页 |
| 1.4 纳米晶的制备 | 第18-19页 |
| 1.4.1 合成方法 | 第18页 |
| 1.4.2 表面活性剂或配体 | 第18-19页 |
| 1.4.3 提纯 | 第19页 |
| 1.4.4 合金及掺杂 | 第19页 |
| 1.5 纳米晶的成膜工艺 | 第19-20页 |
| 1.5.1 成膜方法 | 第19-20页 |
| 1.5.2 CdCl_2激活处理 | 第20页 |
| 1.5.3 配体取代 | 第20页 |
| 1.6 纳米晶太阳电池的器件结构 | 第20-22页 |
| 1.6.1 肖特基结构 | 第20-21页 |
| 1.6.2 异质结结构 | 第21-22页 |
| 1.6.3 其它器件结构 | 第22页 |
| 1.7 本论文的研究目的和主要内容 | 第22-24页 |
| 第二章 CdSe_xTe_(1-x)纳米晶的可控合成与表征 | 第24-38页 |
| 2.1 引言 | 第24-25页 |
| 2.2 实验部分 | 第25-30页 |
| 2.2.1 原料与试剂 | 第25-26页 |
| 2.2.2 实验仪器与设备 | 第26页 |
| 2.2.3 CdSe_xTe_(1-x)纳米晶的合成过程 | 第26-28页 |
| 2.2.4 CdSe_xTe_(1-x)纳米晶的表征 | 第28-30页 |
| 2.3 结果与讨论 | 第30-37页 |
| 2.3.1 CdSe_xTe_(1-x)纳米晶的成分 | 第30-32页 |
| 2.3.2 CdSe_xTe_(1-x)纳米晶的形貌和尺寸 | 第32-33页 |
| 2.3.3 CdSe_xTe_(1-x)纳米晶的光吸收和光致发光特性 | 第33-35页 |
| 2.3.4 CdSe_xTe_(1-x)纳米晶的电化学特性 | 第35-37页 |
| 2.4 本章小结 | 第37-38页 |
| 第三章 PbS量子点薄膜的溶剂调控 | 第38-61页 |
| 3.1 引言 | 第38-39页 |
| 3.2 实验部分 | 第39-45页 |
| 3.2.1 原料与试剂 | 第39-40页 |
| 3.2.2 实验仪器与设备 | 第40-41页 |
| 3.2.3 PbS量子点异质结太阳电池的制备 | 第41-44页 |
| 3.2.4 PbS量子点异质结太阳电池的表征 | 第44-45页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第45-59页 |
| 3.3.1 PbS量子点薄膜的化学成分 | 第45-47页 |
| 3.3.2 器件结构的表征 | 第47-48页 |
| 3.3.3 溶剂对薄膜厚度和形貌的影响 | 第48-52页 |
| 3.3.4 溶剂对器件性能的影响 | 第52-58页 |
| 3.3.5 溶剂对器件寿命的影响 | 第58-59页 |
| 3.4 本章小结 | 第59-61页 |
| 第四章 将陷光结构用于PbS量子点太阳电池 | 第61-72页 |
| 4.1 引言 | 第61-62页 |
| 4.2 实验部分 | 第62-65页 |
| 4.2.1 原料与试剂 | 第62-63页 |
| 4.2.2 实验仪器与设备 | 第63页 |
| 4.2.3 AZO表面制绒及陷光结构器件的制备 | 第63-64页 |
| 4.2.4 表面制绒AZO及陷光器件的表征 | 第64-65页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第65-71页 |
| 4.3.1 表面制绒AZO的方块电阻 | 第65页 |
| 4.3.2 表面制绒AZO的形貌 | 第65-69页 |
| 4.3.3 表面制绒AZO以及相应器件的吸收/透射光谱 | 第69-70页 |
| 4.3.4 陷光结构PbS量子点太阳电池的J-V曲线 | 第70-71页 |
| 4.4 本章小结 | 第71-72页 |
| 结论 | 第72-73页 |
| 参考文献 | 第73-82页 |
| 攻读硕士学位期间取得的研究成果 | 第82-83页 |
| 致谢 | 第83-84页 |
| 附表 | 第84页 |
