| 摘要 | 第3-4页 |
| ABSTRACT | 第4页 |
| 第一章 绪论 | 第7-12页 |
| 1.1 薄膜打拿极微通道板概述 | 第7-10页 |
| 1.1.1 微通道板的简介 | 第7-8页 |
| 1.1.2 薄膜打拿极微通道板结构 | 第8页 |
| 1.1.3 薄膜打拿极微通道板的优点 | 第8-10页 |
| 1.2 薄膜打拿极微通道板的研究进展 | 第10页 |
| 1.3 本论文主要研究内容及意义 | 第10-12页 |
| 1.3.1 研究的主要内容 | 第10-11页 |
| 1.3.2 研究的意义 | 第11-12页 |
| 第二章 微通道板导电层设计和薄膜电阻率研究 | 第12-26页 |
| 2.1 微通道板导电层的设计 | 第12-15页 |
| 2.1.1 导电层薄膜电阻和厚度的要求 | 第12页 |
| 2.1.2 导电层薄膜电阻率的推算 | 第12-13页 |
| 2.1.3 AZO薄膜做为导电层薄膜的优越性 | 第13-14页 |
| 2.1.4 AZO导电层制备方法的选择 | 第14-15页 |
| 2.2 导电层AZO薄膜的制备和退火实验 | 第15-19页 |
| 2.2.1 AZO薄膜的制备 | 第15-18页 |
| 2.2.2 AZO薄膜退火实验 | 第18-19页 |
| 2.3 导电层AZO薄膜电阻率的研究 | 第19-25页 |
| 2.3.1 薄膜电阻率测试系统设计 | 第19-21页 |
| 2.3.2 AZO成分和薄膜电阻率关系的研究 | 第21-22页 |
| 2.3.3 ALD循环参数对AZO薄膜电阻率影响研究 | 第22-23页 |
| 2.3.4 退火对AZO薄膜电阻率的影响研究 | 第23-25页 |
| 2.4 小结 | 第25-26页 |
| 第三章 微通道板发射层设计和薄膜二次电子发射系数研究 | 第26-37页 |
| 3.1 微通道板发射层的设计 | 第26-29页 |
| 3.1.1 发射层的材料选择 | 第26页 |
| 3.1.2 发射层SiO_2薄膜厚度的设计 | 第26-29页 |
| 3.2 发射层薄膜的制备 | 第29-30页 |
| 3.2.1 ALD工艺制备发射层SiO_2薄膜的优势 | 第29页 |
| 3.2.2 ALD制备发射层SiO_2薄膜 | 第29-30页 |
| 3.3 发射层SiO_2薄膜的二次电子发射系数的测试 | 第30-33页 |
| 3.3.1 薄膜二次电子发射系数测试原理 | 第30-31页 |
| 3.3.2 薄膜二次电子发射系数测试结果与分析 | 第31-33页 |
| 3.4 导电层SiO_2薄膜二次电子发射系数理论研究 | 第33-36页 |
| 3.4.1 二次电子发射概念 | 第33-34页 |
| 3.4.2 薄膜二次电子发射系数影响因素研究 | 第34-36页 |
| 3.5 小结 | 第36-37页 |
| 第四章 薄膜打拿极微通道板的制备和电子增益研究 | 第37-48页 |
| 4.1 微通道板的制备 | 第37-41页 |
| 4.1.1 微通道板基体的选择 | 第37页 |
| 4.1.2 微通道板打拿极的制备 | 第37-38页 |
| 4.1.3 微通道板工作电极的制备 | 第38-41页 |
| 4.2 微通道板电学性能测试 | 第41-43页 |
| 4.2.1 微通道板电阻的测试 | 第41-42页 |
| 4.2.2 微通道板电子增益的测试 | 第42-43页 |
| 4.3 微通道板器件增益特性分析 | 第43-47页 |
| 4.3.1 微通道板器件电子增益模型的建立 | 第43-45页 |
| 4.3.2 微通道板电子增益G的分析与讨论 | 第45-47页 |
| 4.4 小结 | 第47-48页 |
| 结论 | 第48-49页 |
| 致谢 | 第49-50页 |
| 参考文献 | 第50-52页 |
| 发表论文和科研情况说明 | 第52页 |
