| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 1 绪论 | 第9-29页 |
| 1.1 集成电路制造工艺 | 第9页 |
| 1.2 Cu/低k互连 | 第9-13页 |
| 1.2.1 双大马士革镶嵌工艺 | 第11-12页 |
| 1.2.2 低k介质材料和刻蚀停止层 | 第12-13页 |
| 1.3 扩散阻挡层 | 第13-17页 |
| 1.3.1 扩散阻挡层的结构 | 第14-15页 |
| 1.3.2 扩散阻挡层的分类 | 第15-17页 |
| 1.4 无扩散阻挡层 | 第17-26页 |
| 1.4.1 二元无扩散阻挡层 | 第21-25页 |
| 1.4.2 多元无扩散阻挡层 | 第25-26页 |
| 1.5 选题背景 | 第26-28页 |
| 1.5.1 Cu-Ni-M稳定固溶体团簇模型 | 第26-27页 |
| 1.5.2 Cu-Ni-M稳定固溶体模型在无扩散阻挡领域的应用 | 第27-28页 |
| 1.6 本文研究内容 | 第28-29页 |
| 2 薄膜制备工艺与分析方法 | 第29-34页 |
| 2.1 Cu-Ni-M合金薄膜的制备 | 第29-31页 |
| 2.1.1 磁控溅射技术 | 第29-30页 |
| 2.1.2 Cu-Ni-M合金薄膜的制备工艺 | 第30-31页 |
| 2.2 Cu-Ni-M合金薄膜的分析 | 第31-34页 |
| 2.2.1 薄膜成分分析 | 第31-32页 |
| 2.2.2 薄膜电阻率分析 | 第32-33页 |
| 2.2.3 薄膜微结构分析 | 第33-34页 |
| 3 Cu-Ni-M稳定固溶体团簇模型中的第三组元M | 第34-41页 |
| 3.1 混合焓 | 第35-36页 |
| 3.2 实验可行性 | 第36-37页 |
| 3.3 原子半径 | 第37-39页 |
| 3.4 Cu(M)二元合金薄膜的研究现状 | 第39-40页 |
| 3.5 小结 | 第40-41页 |
| 4 第三组元M对Cu-Ni-M薄膜性能的影响 | 第41-71页 |
| 4.1 成分分析 | 第41-45页 |
| 4.1.1 Cu-Ni-M三元薄膜的定量点分析 | 第41-43页 |
| 4.1.2 Cu-Ni-M三元薄膜的成分均匀性分析 | 第43-45页 |
| 4.2 电阻率结果分析 | 第45-51页 |
| 4.2.1 不同温度下1h退火后薄膜的电阻率分析结果 | 第45-49页 |
| 4.2.2 长时间退火下薄膜的电阻率分析结果 | 第49-51页 |
| 4.3 微结构分析 | 第51-63页 |
| 4.3.1 XRD分析结果 | 第51-56页 |
| 4.3.2 TEM分析结果 | 第56-63页 |
| 4.4 讨论与小结 | 第63-71页 |
| 4.4.1 第三组元M对Cu-Ni-M薄膜热稳定性的影响 | 第63-64页 |
| 4.4.2 第三组元M对Cu-Ni-M薄膜电阻率的影响 | 第64-67页 |
| 4.4.3 第三组元M的固溶与析出 | 第67-71页 |
| 结论 | 第71-73页 |
| 参考文献 | 第73-80页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第80-81页 |
| 致谢 | 第81-82页 |
