| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-17页 |
| 1.1 引言 | 第9页 |
| 1.2 ZnO材料的性质和结构 | 第9-11页 |
| 1.2.1 ZnO的基本性质 | 第9-10页 |
| 1.2.2 ZnO的晶格结构 | 第10-11页 |
| 1.3 ZnO的典型性能 | 第11-14页 |
| 1.3.1 ZnO的发光性质 | 第11-12页 |
| 1.3.2 ZnO的电学性质 | 第12-13页 |
| 1.3.3 ZnO的晶格动力学特征 | 第13-14页 |
| 1.4 ZnO基透明导电氧化物分析 | 第14-15页 |
| 1.5 GZO陶瓷研究概述 | 第15-16页 |
| 1.6 本课题的来源及研究内容 | 第16页 |
| 1.7 本章小结 | 第16-17页 |
| 第2章 Ga_xZn_(1-x)O陶瓷的表征方法与原理 | 第17-21页 |
| 2.1 X射线衍射 | 第17-18页 |
| 2.2 扫描电镜测试 | 第18页 |
| 2.3 霍尔效应测试 | 第18页 |
| 2.4 差热扫描量热法 | 第18-19页 |
| 2.5 光致荧光光谱测试 | 第19-20页 |
| 2.6 拉曼光谱测试 | 第20页 |
| 2.7 密度的测量 | 第20页 |
| 2.8 本章小结 | 第20-21页 |
| 第3章 Ga_xZn_(1-x)O陶瓷的制备工艺与性能测试 | 第21-39页 |
| 3.1 Ga_xZn_(1-x)O陶瓷制备工艺 | 第21-23页 |
| 3.2 Ga_xZn_(1-x)O陶瓷烧结工艺的确定 | 第23-29页 |
| 3.2.1 预烧条件的确定 | 第23-24页 |
| 3.2.2 烧结条件的确定 | 第24-29页 |
| 3.3 Ga_xZn_(1-x)O陶瓷性质测试 | 第29-38页 |
| 3.3.1 Ga_xZn_(1-x)O陶瓷物相结构 | 第30-31页 |
| 3.3.2 Ga_xZn_(1-x)O陶瓷表面形貌 | 第31-32页 |
| 3.3.3 Ga_xZn_(1-x)O陶瓷电学性能 | 第32-34页 |
| 3.3.4 Ga_xZn_(1-x)O陶瓷光致发光谱 | 第34-35页 |
| 3.3.5 Ga_xZn_(1-x)O陶瓷拉曼光谱 | 第35-36页 |
| 3.3.6 Ga_xZn_(1-x)O陶瓷温度电阻率 | 第36-37页 |
| 3.3.7 Ga_0.005Zn_0.995O陶瓷退火测试 | 第37-38页 |
| 3.4 本章小结 | 第38-39页 |
| 第4章 烧结温度对Ti_0.005Zn_0.995O陶瓷结构及电学性能的影响 | 第39-45页 |
| 4.1 实验过程 | 第39页 |
| 4.2 性能表征 | 第39-43页 |
| 4.2.1 烧结温度对陶瓷物相结构的影响 | 第39-40页 |
| 4.2.2 烧结温度对陶瓷微观形貌的影响 | 第40-41页 |
| 4.2.3 烧结温度对陶瓷致密性的影响 | 第41-42页 |
| 4.2.4 烧结温度对陶瓷电学性能的影响 | 第42-43页 |
| 4.3 本章小结 | 第43-45页 |
| 结论 | 第45-47页 |
| 全文工作总结 | 第45页 |
| 进一步研究工作及展望 | 第45-47页 |
| 参考文献 | 第47-51页 |
| 攻读硕士学位期间申请的专利和发表的论文 | 第51-53页 |
| 致谢 | 第53页 |
