| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第1章 绪论 | 第11-18页 |
| 1.1 碳化硅器件的发展和国内外研究现状 | 第11-13页 |
| 1.2 碳化硅器件的应用领域 | 第13-17页 |
| 1.3 本文研究内容 | 第17-18页 |
| 第2章 碳化硅器件基础 | 第18-29页 |
| 2.1 碳化硅材料 | 第18-19页 |
| 2.1.1 碳化硅材料的特性 | 第18页 |
| 2.1.2 碳化硅材料的晶体结构 | 第18-19页 |
| 2.2 功率MOSFET基本结构和工作特性 | 第19-24页 |
| 2.2.1 碳化硅MOSFET的基本结构 | 第19-20页 |
| 2.2.2 碳化硅MOSFET的工作特性 | 第20-24页 |
| 2.3 碳化硅BJT基本结构和工作特性 | 第24-28页 |
| 2.3.1 碳化硅BJT的基本结构 | 第24页 |
| 2.3.2 碳化硅BJT的工作特性 | 第24-28页 |
| 2.4 本章小结 | 第28-29页 |
| 第3章 碳化硅器件开关特性测试和仿真比较 | 第29-39页 |
| 3.1 碳化硅MOSFET和碳化硅BJT的导通特性和损耗比较 | 第29-31页 |
| 3.1.1 碳化硅MOSFET和碳化硅BJT的I-V特性对比 | 第29页 |
| 3.1.2 碳化硅MOSFET和碳化硅BJT的电阻温度特性对比 | 第29-30页 |
| 3.1.3 碳化硅MOSFET和碳化硅BJT的导通损耗对比 | 第30-31页 |
| 3.2 双脉冲测试电路原理 | 第31-33页 |
| 3.2.1 双脉冲测试方法介绍 | 第31-32页 |
| 3.2.2 双脉冲测试的主要参数 | 第32-33页 |
| 3.3 基于LTspice IV的碳化硅MOSFET和碳化硅BJT开关电路仿真 | 第33-37页 |
| 3.3.1 LTspice IV仿真软件介绍 | 第33页 |
| 3.3.2 碳化硅MOSFET双脉冲测试仿真电路 | 第33-36页 |
| 3.3.3 基于LTspice IV的碳化硅BJT开关电路仿真 | 第36-37页 |
| 3.4 碳化硅MOSFET和碳化硅BJT开关损耗仿真比较 | 第37-38页 |
| 3.5 本章小结 | 第38-39页 |
| 第4章 碳化硅器件开关性能实验比较 | 第39-50页 |
| 4.1 碳化硅MOSFET开关实验测试 | 第39-44页 |
| 4.1.1 碳化硅MOSFET驱动方案 | 第39-40页 |
| 4.1.2 碳化硅MOSFET双脉冲测试 | 第40-43页 |
| 4.1.3 碳化硅MOSFET开关性能仿真与实验分析 | 第43-44页 |
| 4.2 碳化硅BJT开关实验测试 | 第44-47页 |
| 4.2.1 碳化硅BJT驱动电路方案 | 第44-45页 |
| 4.2.2 碳化硅BJT双脉冲测试 | 第45-46页 |
| 4.2.3 碳化硅BJT开关性能仿真与实验波形分析 | 第46-47页 |
| 4.3 碳化硅MOSFET和碳化硅BJT开关性能实验比较 | 第47-48页 |
| 4.4 本章小结 | 第48-50页 |
| 第5章 碳化硅器件在软开关应用中的研究 | 第50-60页 |
| 5.1 软开关技术 | 第50-52页 |
| 5.1.1 硬开关和软开关 | 第50-51页 |
| 5.1.2 零电压开关和零电流开关 | 第51-52页 |
| 5.2 碳化硅MOSFET和碳化硅BJT软开关仿真电路设计 | 第52-58页 |
| 5.2.1 碳化硅MOSFET的软开关电路 | 第52-55页 |
| 5.2.2 碳化硅MOSFET硬开关和软开关损耗比较 | 第55-56页 |
| 5.2.3 碳化硅BJT的软开关电路 | 第56-57页 |
| 5.2.4 碳化硅BJT硬开关和软开关损耗比较 | 第57-58页 |
| 5.3 碳化硅MOSFET和碳化硅BJT在软开关电路损耗比较 | 第58-59页 |
| 5.4 本章小结 | 第59-60页 |
| 结论 | 第60-62页 |
| 参考文献 | 第62-66页 |
| 致谢 | 第66-67页 |
| 附录A 攻读学位期间获得的研究成果 | 第67页 |
