| 摘要 | 第10-13页 |
| Abstract | 第13-17页 |
| 第一章 绪论 | 第18-68页 |
| 1.1 GaN的主要性质及应用 | 第19-23页 |
| 1.1.1 GaN的结构和极性 | 第19-20页 |
| 1.1.2 Ga极性面和N极性面的判断和性质 | 第20-22页 |
| 1.1.3 GaN的主要应用发展 | 第22-23页 |
| 1.2 半导体材料微纳米结构的制备及应用 | 第23-42页 |
| 1.2.1 半导体材料腐蚀结构的制备及应用 | 第23-31页 |
| 1.2.2 金属表面局域等离激元结构的基本性质及应用 | 第31-42页 |
| 1.3 材料表面润湿性原理概述 | 第42-50页 |
| 1.3.1 材料自身性质对润湿性的影响 | 第44-47页 |
| 1.3.2 外场调控对润湿性的影响 | 第47-50页 |
| 1.4 半导体光电探测原理概述 | 第50-57页 |
| 1.4.1 光导型与光伏型光电探测原理 | 第50-51页 |
| 1.4.2 评价半导体光电探测性能的主要参数 | 第51-52页 |
| 1.4.3 GaN紫外光电探测器 | 第52-57页 |
| 1.5 研究目的与拟解决的问题 | 第57-58页 |
| 参考文献 | 第58-68页 |
| 第二章 GaN表面微纳米结构的制备及局域等离激元光学性质的仿真 | 第68-95页 |
| 2.1 引言 | 第68页 |
| 2.2 不同极性GaN腐蚀结构的制备 | 第68-75页 |
| 2.2.1 Ga极性GaN腐蚀结构的制备 | 第68-72页 |
| 2.2.2 N极性GaN腐蚀结构的制备 | 第72-75页 |
| 2.3 GaN表面局域等离激元结构的制备 | 第75-83页 |
| 2.3.1 光化学法制备Au、Ag局域等离激元 | 第75-78页 |
| 2.3.2 溅射退火法制备Au、Ag局域等离激元 | 第78-83页 |
| 2.4 利用Comsol Multiphysics有限元软件仿真局域等离激元光学性质 | 第83-91页 |
| 2.4.1 仿真过程 | 第83-85页 |
| 2.4.2 结果分析 | 第85-91页 |
| 2.5 本章小结 | 第91-92页 |
| 参考文献 | 第92-95页 |
| 第三章 GaN表面微纳米结构对润湿性能的调控 | 第95-115页 |
| 3.1 引言 | 第95页 |
| 3.2 Ga极性和N极性GaN表面微纳米结构对润湿性的调控 | 第95-101页 |
| 3.2.1 实验过程 | 第95-96页 |
| 3.2.2 结果分析 | 第96-101页 |
| 3.3 紫外辐照对GaN表面润湿性的调控 | 第101-109页 |
| 3.3.1 实验过程 | 第101-102页 |
| 3.3.2 结果分析 | 第102-109页 |
| 3.4 本章小结 | 第109-110页 |
| 参考文献 | 第110-115页 |
| 第四章 GaN表面微纳米结构对光电探测性能的调控 | 第115-138页 |
| 4.1 引言 | 第115-116页 |
| 4.2 GaN表面腐蚀结构对光电探测性能的调控 | 第116-119页 |
| 4.2.1 实验过程 | 第116-117页 |
| 4.2.2 结果分析 | 第117-119页 |
| 4.3 利用Au-Cu_2O验证局域等离激元光学性质提高半导体光电探测性能 | 第119-125页 |
| 4.3.1 实验过程 | 第119-120页 |
| 4.3.2 结果分析 | 第120-125页 |
| 4.4 GaN表面局域等离激元结构对光电探测性能的调控 | 第125-132页 |
| 4.4.1 GaN表面Au、Ag局域等离激元对光电探测性能的调控 | 第125-128页 |
| 4.4.2 GaN极性对局域等离激元调控光电探测性能的影响 | 第128-132页 |
| 4.5 本章小结 | 第132-133页 |
| 参考文献 | 第133-138页 |
| 第五章 结论与展望 | 第138-141页 |
| 5.1 主要结论 | 第138-140页 |
| 5.2 论文的创新点 | 第140页 |
| 5.3 需要进一步研究的问题 | 第140-141页 |
| 致谢 | 第141-142页 |
| 攻读博士期间已发表的论文 | 第142-143页 |
| 附件 | 第143-162页 |
| 学位论文评阅及答辩情况表 | 第162页 |
