| 中文摘要 | 第10-13页 |
| ABSTRACT | 第13-17页 |
| 第一章 几类二维材料的研究进展 | 第18-28页 |
| 1.1 引言 | 第18-19页 |
| 1.2 石墨烯材料的研究进展 | 第19-22页 |
| 1.2.1 石墨烯材料的制备 | 第19-20页 |
| 1.2.2 石墨烯的结构及调控 | 第20-21页 |
| 1.2.3 石墨烯的电输运特性 | 第21-22页 |
| 1.3 其它二维材料的研究进展 | 第22-26页 |
| 1.3.1 过渡金属硫化物 | 第22-25页 |
| 1.3.2 黑磷 | 第25-26页 |
| 1.4 小结 | 第26-28页 |
| 第二章 理论计算方法 | 第28-34页 |
| 2.1 密度泛函理论 | 第28-29页 |
| 2.1.1 Ho henberg-Kohn定理 | 第28页 |
| 2.1.2 Kohn-Sham方程 | 第28-29页 |
| 2.1.3 交换关联泛函 | 第29页 |
| 2.2 量子输运过程中的非平衡格林函数方法 | 第29-34页 |
| 2.2.1 非平衡格林函数 | 第30-31页 |
| 2.2.2 平衡与非平衡态电导 | 第31-34页 |
| 第三章 含晶界石墨烯的电子结构及其输运特性 | 第34-46页 |
| 3.1 研究背景 | 第34-35页 |
| 3.2 计算方法 | 第35-36页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第36-44页 |
| 3.4 小结 | 第44-46页 |
| 第四章 MoS_2/WS_2平面异质结分子吸附及I-V响应 | 第46-60页 |
| 4.1 研究背景 | 第46-47页 |
| 4.2 计算方法 | 第47页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第47-59页 |
| 4.4 小结 | 第59-60页 |
| 第五章 Black arsenic-phosphorus体系电子结构、力学性质及载流子迁移率 | 第60-74页 |
| 5.1 研究背景 | 第60-61页 |
| 5.2 计算方法 | 第61-62页 |
| 5.3 结果与讨论 | 第62-72页 |
| 5.4 小结 | 第72-74页 |
| 第六章 Al_2O_3衬底对黑磷电子结构的调控 | 第74-86页 |
| 6.1 研究背景 | 第74-75页 |
| 6.2 计算方法 | 第75页 |
| 6.3 结果与讨论 | 第75-84页 |
| 6.4 小结 | 第84-86页 |
| 第七章 边缘接触graphene-MoS_2体系的电子结构及输运特性 | 第86-100页 |
| 7.1 研究背景 | 第86-87页 |
| 7.2 计算方法 | 第87-88页 |
| 7.3 结果与讨论 | 第88-98页 |
| 7.4 小结 | 第98-100页 |
| 第八章 2H_(1-x)1T_x MoS_2杂化体系电子结构及输运特性 | 第100-112页 |
| 8.1 研究背景 | 第100-101页 |
| 8.2 计算方法 | 第101页 |
| 8.3 结果与讨论 | 第101-110页 |
| 8.4 小结 | 第110-112页 |
| 第九章 总结与展望 | 第112-116页 |
| 9.1 本文工作总结 | 第112-114页 |
| 9.2 工作展望 | 第114-116页 |
| 参考文献 | 第116-144页 |
| 致谢 | 第144-146页 |
| 攻读博士期间发表的论文 | 第146-147页 |
| 附件 | 第147-174页 |
| 学位论文评阅及答辩情况表 | 第174页 |
