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InAs/GaSb基Ⅲ-Ⅴ族纳米结构的制备及光电学性质研究

摘要第5-7页
Abstract第7-9页
第1章 绪论第13-38页
    1.1 引言第13页
    1.2 纳米科技概述第13-16页
        1.2.1 零维纳米结构第14页
        1.2.2 一维纳米结构第14-15页
        1.2.3 二维纳米结构第15-16页
    1.3 纳米结构的制备技术第16-23页
        1.3.1 液相生长法第16-17页
        1.3.2 气相生长法第17-21页
        1.3.3 固相生长法第21页
        1.3.4 模板生长法第21页
        1.3.5 范德瓦尔斯外延生长法第21-22页
        1.3.6 图形外延法第22-23页
    1.4 纳米材料的基本性质第23-26页
        1.4.1 量子尺寸效应第23-24页
        1.4.2 表面效应第24页
        1.4.3 量子隧道效应第24-26页
        1.4.4 库伦阻塞效应第26页
    1.5 InAs/GaSb基Ⅲ-Ⅴ族半导体纳米结构第26-27页
    1.6 InAs/GaSb基Ⅲ-Ⅴ族半导体纳米器件第27-34页
        1.6.1 生物荧光标记第27-29页
        1.6.2 红外探测器第29-30页
        1.6.3 纳米线场效应晶体管第30-33页
        1.6.4 纳米红外激光器第33-34页
    1.7 本论文的研究目的、研究内容及意义第34-38页
        1.7.1 研究目的和意义第34-36页
        1.7.2 研究内容第36-38页
第2章 GaSb纳米线的合成及光电性质研究第38-48页
    2.1 研究目的与意义第38-39页
    2.2 GaSb纳米线的合成第39-44页
        2.2.1 GaSb纳米线的制备第39页
        2.2.2 样品表征及测试仪器第39-40页
        2.2.3 GaSb纳米线的形貌、结构及成分分析第40-44页
    2.3 温度依赖的光致发光第44-45页
    2.4 GaSb纳米线的光电响应特性第45-47页
        2.4.1 晶体管的构建第45-46页
        2.4.2 器件性能测试分析第46-47页
    2.5 本章小结第47-48页
第3章 组分可调Ga_(1-x)In_xAs_ySb_(1-y)四元合金纳米线的合成和光电性质研究第48-62页
    3.1 研究目的与意义第48-50页
    3.2 GaInAsSb四元合金纳米线的合成第50-53页
        3.2.1 合成第50-51页
        3.2.2 样品表征和测试用仪器第51页
        3.2.3 形貌、组分与结构第51-53页
    3.3 光致发光第53-57页
    3.4 Ga_(1-x)In_xAs_ySb_(1-y)纳米线的光电响应特性第57-58页
        3.4.1 晶体管的构建第57页
        3.4.2 结果分析与讨论第57-58页
    3.5 组分可调Ga_(1-x)In_xAs_ySb_(1-y)纳米线的形成机理第58-61页
    3.6 本章小结第61-62页
第4章 GaInAsSb四元合金纳米片的合成及光电性质研究第62-81页
    4.1 研究目的与意义第62-64页
    4.2 GaInAsSb四元合金纳米片的合成及光致发光第64-75页
        4.2.1 合成第64页
        4.2.2 样品表征和测试用仪器第64-65页
        4.2.3 形貌、组分与结构第65-68页
        4.2.4 光学特性及能带计算第68-75页
    4.3 GaInAsSb四元合金纳米片光电响应特性第75-78页
        4.3.1 晶体管的构建第75-77页
        4.3.2 结果分析与讨论第77-78页
    4.4 GaInAsSb四元合金纳米片生长机理研究第78-80页
    4.5 本章小结第80-81页
第5章 InAs/GaSb基横向异质结构的制备及生长理论研究第81-97页
    5.1 研究目的与意义第81-82页
    5.2 InAs/GaSb基横向异质结纳的合成第82-88页
        5.2.1 合成第82-83页
        5.2.2 样品表征和测试用仪器第83-84页
        5.2.3 形貌、成分和结构第84-88页
    5.3 拉曼和光致发光表征第88-89页
    5.4 基于InAs/GaSb基横向异质结的器件设计第89-91页
    5.5 InAs/GaSb基纳米片横向异质结的形成机理研究第91-96页
    5.6 本章小结第96-97页
结论与展望第97-100页
参考文献第100-110页
附录 攻读学位期间所发表的学术论文第110-111页
致谢第111页

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