| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-9页 |
| 第1章 绪论 | 第13-38页 |
| 1.1 引言 | 第13页 |
| 1.2 纳米科技概述 | 第13-16页 |
| 1.2.1 零维纳米结构 | 第14页 |
| 1.2.2 一维纳米结构 | 第14-15页 |
| 1.2.3 二维纳米结构 | 第15-16页 |
| 1.3 纳米结构的制备技术 | 第16-23页 |
| 1.3.1 液相生长法 | 第16-17页 |
| 1.3.2 气相生长法 | 第17-21页 |
| 1.3.3 固相生长法 | 第21页 |
| 1.3.4 模板生长法 | 第21页 |
| 1.3.5 范德瓦尔斯外延生长法 | 第21-22页 |
| 1.3.6 图形外延法 | 第22-23页 |
| 1.4 纳米材料的基本性质 | 第23-26页 |
| 1.4.1 量子尺寸效应 | 第23-24页 |
| 1.4.2 表面效应 | 第24页 |
| 1.4.3 量子隧道效应 | 第24-26页 |
| 1.4.4 库伦阻塞效应 | 第26页 |
| 1.5 InAs/GaSb基Ⅲ-Ⅴ族半导体纳米结构 | 第26-27页 |
| 1.6 InAs/GaSb基Ⅲ-Ⅴ族半导体纳米器件 | 第27-34页 |
| 1.6.1 生物荧光标记 | 第27-29页 |
| 1.6.2 红外探测器 | 第29-30页 |
| 1.6.3 纳米线场效应晶体管 | 第30-33页 |
| 1.6.4 纳米红外激光器 | 第33-34页 |
| 1.7 本论文的研究目的、研究内容及意义 | 第34-38页 |
| 1.7.1 研究目的和意义 | 第34-36页 |
| 1.7.2 研究内容 | 第36-38页 |
| 第2章 GaSb纳米线的合成及光电性质研究 | 第38-48页 |
| 2.1 研究目的与意义 | 第38-39页 |
| 2.2 GaSb纳米线的合成 | 第39-44页 |
| 2.2.1 GaSb纳米线的制备 | 第39页 |
| 2.2.2 样品表征及测试仪器 | 第39-40页 |
| 2.2.3 GaSb纳米线的形貌、结构及成分分析 | 第40-44页 |
| 2.3 温度依赖的光致发光 | 第44-45页 |
| 2.4 GaSb纳米线的光电响应特性 | 第45-47页 |
| 2.4.1 晶体管的构建 | 第45-46页 |
| 2.4.2 器件性能测试分析 | 第46-47页 |
| 2.5 本章小结 | 第47-48页 |
| 第3章 组分可调Ga_(1-x)In_xAs_ySb_(1-y)四元合金纳米线的合成和光电性质研究 | 第48-62页 |
| 3.1 研究目的与意义 | 第48-50页 |
| 3.2 GaInAsSb四元合金纳米线的合成 | 第50-53页 |
| 3.2.1 合成 | 第50-51页 |
| 3.2.2 样品表征和测试用仪器 | 第51页 |
| 3.2.3 形貌、组分与结构 | 第51-53页 |
| 3.3 光致发光 | 第53-57页 |
| 3.4 Ga_(1-x)In_xAs_ySb_(1-y)纳米线的光电响应特性 | 第57-58页 |
| 3.4.1 晶体管的构建 | 第57页 |
| 3.4.2 结果分析与讨论 | 第57-58页 |
| 3.5 组分可调Ga_(1-x)In_xAs_ySb_(1-y)纳米线的形成机理 | 第58-61页 |
| 3.6 本章小结 | 第61-62页 |
| 第4章 GaInAsSb四元合金纳米片的合成及光电性质研究 | 第62-81页 |
| 4.1 研究目的与意义 | 第62-64页 |
| 4.2 GaInAsSb四元合金纳米片的合成及光致发光 | 第64-75页 |
| 4.2.1 合成 | 第64页 |
| 4.2.2 样品表征和测试用仪器 | 第64-65页 |
| 4.2.3 形貌、组分与结构 | 第65-68页 |
| 4.2.4 光学特性及能带计算 | 第68-75页 |
| 4.3 GaInAsSb四元合金纳米片光电响应特性 | 第75-78页 |
| 4.3.1 晶体管的构建 | 第75-77页 |
| 4.3.2 结果分析与讨论 | 第77-78页 |
| 4.4 GaInAsSb四元合金纳米片生长机理研究 | 第78-80页 |
| 4.5 本章小结 | 第80-81页 |
| 第5章 InAs/GaSb基横向异质结构的制备及生长理论研究 | 第81-97页 |
| 5.1 研究目的与意义 | 第81-82页 |
| 5.2 InAs/GaSb基横向异质结纳的合成 | 第82-88页 |
| 5.2.1 合成 | 第82-83页 |
| 5.2.2 样品表征和测试用仪器 | 第83-84页 |
| 5.2.3 形貌、成分和结构 | 第84-88页 |
| 5.3 拉曼和光致发光表征 | 第88-89页 |
| 5.4 基于InAs/GaSb基横向异质结的器件设计 | 第89-91页 |
| 5.5 InAs/GaSb基纳米片横向异质结的形成机理研究 | 第91-96页 |
| 5.6 本章小结 | 第96-97页 |
| 结论与展望 | 第97-100页 |
| 参考文献 | 第100-110页 |
| 附录 攻读学位期间所发表的学术论文 | 第110-111页 |
| 致谢 | 第111页 |
