| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-21页 |
| ·非挥发性阻变存储器(RRAM)概念 | 第9-12页 |
| ·RRAM 操作步骤 | 第10-11页 |
| ·RRAM 的性能指标 | 第11-12页 |
| ·阻变存储器存储机制 | 第12-19页 |
| ·离子阻变类型 | 第12-14页 |
| ·电子阻变类型 | 第14-19页 |
| ·阻变体系氧化钛以及铜电极的简介 | 第19页 |
| ·研究内容及研究意义 | 第19-21页 |
| 第二章 薄膜制备技术以及表征技术 | 第21-25页 |
| ·薄膜沉积设备介绍及其原理 | 第21-22页 |
| ·溅射设备—沉积氧化钛介质层 | 第21-22页 |
| ·高真空电子束蒸发设备—沉积电极层 | 第22页 |
| ·薄膜特性表征设备 | 第22-25页 |
| ·原子力显微镜 | 第22-23页 |
| ·X 射线衍射分析仪 | 第23页 |
| ·深度剖析俄歇电子能谱仪 | 第23-24页 |
| ·电学特性测试仪器 | 第24-25页 |
| 第三章 基于氧化钛固态电解质的 RRAM 阻变特性研究 | 第25-40页 |
| ·不同氧分压对阻变特性的影响 | 第25-27页 |
| ·不同靶基距对阻变特性的影响 | 第27-29页 |
| ·基于 Al/200nm-TiO_x/Cu 结构的多值存储特性 | 第29-34页 |
| ·基于 Al/50nm-TiO_x/Cu 结构的 Forming-free,低功耗及多值存储特性 | 第34-38页 |
| ·本章小结 | 第38-40页 |
| 第四章 基于氧化钛的离子型阻变与电子型阻变的研究 | 第40-47页 |
| ·基于 Al／SiO_2/TiO_x/Cu 结构的离子型阻变 | 第40-43页 |
| ·基于 Al/TiO_x/Al 结构的电子型阻变 | 第43-45页 |
| ·本章小结 | 第45-47页 |
| 第五章 总结与展望 | 第47-48页 |
| 参考文献 | 第48-53页 |
| 发表论文和科研情况说明 | 第53-54页 |
| 致谢 | 第54-55页 |
