| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-19页 |
| ·引言 | 第10-11页 |
| ·新型 NVM 的发展 | 第11-12页 |
| ·铁电存储器 | 第11页 |
| ·相变存储器 | 第11页 |
| ·磁阻存储器 | 第11-12页 |
| ·阻变存储器 | 第12页 |
| ·阻变存储器导电机理 | 第12-15页 |
| ·阻变现象 | 第12-13页 |
| ·导电机理的分类 | 第13-14页 |
| ·Filament(细丝)理论 | 第14页 |
| ·空间电荷限制电流效应 | 第14页 |
| ·肖特基发射效应 | 第14-15页 |
| ·P- F 效应 | 第15页 |
| ·ZnO 阻变材料的发展 | 第15-17页 |
| ·ZnO 薄膜的结构和性能 | 第15-16页 |
| ·ZnO 阻变材料国内外研究现状 | 第16-17页 |
| ·本论文主要研究内容和意义 | 第17-19页 |
| 第二章 实验制备与表征 | 第19-26页 |
| ·ZnO 薄膜的生长 | 第19-23页 |
| ·衬底准备 | 第20页 |
| ·电极制备 | 第20-22页 |
| ·粘附层 Ti 和功能层 ZnO 的制备 | 第22-23页 |
| ·薄膜测试设备 | 第23-26页 |
| ·膜厚测试 | 第23-24页 |
| ·表面形貌测试（AFM） | 第24-25页 |
| ·电学特性测试 | 第25-26页 |
| 第三章 光刻工艺 | 第26-34页 |
| ·光刻流程 | 第26页 |
| ·旋涂光刻胶 | 第26-27页 |
| ·曝光 | 第27-29页 |
| ·显影 | 第29-32页 |
| ·去胶 | 第32-34页 |
| 第四章 ZnO 薄膜工艺参数对性能的影响 | 第34-48页 |
| ·靶间距对 ZnO 薄膜性能的影响 | 第34-36页 |
| ·氧分压对 ZnO 薄膜性能的影响 | 第36-41页 |
| ·氧分压对 ZnO 薄膜形貌的影响 | 第37-38页 |
| ·氧分压对薄膜阻变特性的影响 | 第38-41页 |
| ·压强对 ZnO 薄膜性能的影响 | 第41-44页 |
| ·不同压强下 ZnO 薄膜形貌的变化 | 第41-43页 |
| ·压强对制备薄膜阻变特性的影响 | 第43-44页 |
| ·衬底温度对氧化锌薄膜性能的影响 | 第44-46页 |
| ·本章小结 | 第46-48页 |
| 第五章 器件单元尺寸对 ZnO 阻变存储特性的影响 | 第48-57页 |
| ·阻变通道尺寸对阻变存储特性影响 | 第48-52页 |
| ·ZnO 尺寸的改变对 Vforming的影响 | 第48-50页 |
| ·ZnO 尺寸的改变对 Vset、Ireset的影响 | 第50-52页 |
| ·ZnO 尺寸的改变对高低阻态的影响 | 第52页 |
| ·阻变通道厚度对阻变存储特性的影响 | 第52-56页 |
| ·ZnO 厚度的改变对 Vforming的影响 | 第53-54页 |
| ·ZnO 厚度的改变对 Vset、Ireset的影响 | 第54-56页 |
| ·本章小结 | 第56-57页 |
| 第六章 ZnO 阻变结构的构造及研究 | 第57-70页 |
| ·对于 Cu/ZnO/Al 结构阻变特性的研究 | 第57-65页 |
| ·晶向测试 | 第57-58页 |
| ·阻变现象 | 第58-60页 |
| ·导电机理分析 | 第60-61页 |
| ·一致性的研究 | 第61-62页 |
| ·Stop Voltage 对阻值的影响 | 第62-65页 |
| ·薄膜掺杂的研究 | 第65-69页 |
| ·掺杂结构和制备工艺 | 第65-66页 |
| ·掺杂性能分析 | 第66-69页 |
| ·导电机理 | 第69页 |
| ·本章小结 | 第69-70页 |
| 第七章 总结 | 第70-71页 |
| 参考文献 | 第71-73页 |
| 发表论文和科研情况说明 | 第73-74页 |
| 致谢 | 第74-75页 |
