| 目录 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-8页 |
| 摘要 | 第8-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-26页 |
| ·引言 | 第10-11页 |
| ·新型非挥发性存储器 | 第11-14页 |
| ·磁性存储器 | 第11-12页 |
| ·相变存储器 | 第12-13页 |
| ·阻变存储器 | 第13-14页 |
| ·RRAM研究进展 | 第14-23页 |
| ·RRAM器件的阻变行为 | 第14-15页 |
| ·RRAM阻变材料选择 | 第15-20页 |
| ·电阻转变机理 | 第20-23页 |
| ·本论文选题意义及主要内容 | 第23-24页 |
| 参考文献 | 第24-26页 |
| 第二章 阻变异质结构的制备与表征 | 第26-33页 |
| ·薄膜制备工艺 | 第26-29页 |
| ·磁控溅射 | 第26页 |
| ·原子层沉积法 | 第26-27页 |
| ·激光脉冲沉积 | 第27-29页 |
| ·薄膜表征 | 第29-31页 |
| ·本章小结 | 第31-32页 |
| 参考文献 | 第32-33页 |
| 第三章 薄膜异质结构制备与表征 | 第33-41页 |
| ·YBCO薄膜的制备、结构和性能 | 第33-35页 |
| ·STO/YBCO和ZrO_2/YBCO薄膜异质结构的制备 | 第35-36页 |
| ·STO/YBCO和ZrO_2/YBCO薄膜异质结构的表征 | 第36-39页 |
| ·STO/YBCO薄膜异质结构的表征 | 第36-37页 |
| ·ZrO_2/YBCO薄膜异质结构的表征 | 第37-39页 |
| ·本章小结 | 第39-40页 |
| 参考文献 | 第40-41页 |
| 第四章 薄膜异质结构的阻变研究 | 第41-54页 |
| ·引言 | 第41-42页 |
| ·STO/YBCO薄膜异质结构的阻变行为 | 第42-44页 |
| ·STO/YBCO薄膜异质结构阻变机制分析 | 第44-48页 |
| ·高低阻态的输运行为 | 第44-47页 |
| ·高低阻态转变机制分析 | 第47-48页 |
| ·ZrO_2/YBCO薄膜异质结构阻变测试 | 第48-50页 |
| ·ZrO_2/YBCO薄膜异质结构阻变机制分析 | 第50-51页 |
| ·本章小结 | 第51-52页 |
| 参考文献 | 第52-54页 |
| 第五章 结论与展望 | 第54-55页 |
| ·结论 | 第54页 |
| ·展望 | 第54-55页 |
| Publication List | 第55-56页 |
| 致谢 | 第56-57页 |