| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-19页 |
| ·研究背景 | 第9-11页 |
| ·压阻材料的选择 | 第11-13页 |
| ·Cr-Si-Ni-Ti薄膜性质特点 | 第13-14页 |
| ·国内外研究进展 | 第14-16页 |
| ·国内外轨压传感器的发展现状 | 第14-15页 |
| ·国内外Cr-Si系薄膜的研究进展 | 第15-16页 |
| ·本课题的研究意义与研究方案 | 第16-19页 |
| ·研究意义 | 第16-17页 |
| ·研究方案 | 第17-19页 |
| 第二章 薄膜的制备及表征方法 | 第19-28页 |
| ·射频磁控溅射系统 | 第19-20页 |
| ·电子束蒸发系统 | 第20-22页 |
| ·样品表征方法 | 第22-28页 |
| ·X射线衍射法 | 第22页 |
| ·扫描电子显微镜和能谱仪 | 第22-23页 |
| ·原子力显微镜 | 第23-24页 |
| ·薄膜厚度的测量 | 第24页 |
| ·薄膜电阻率和方阻的测量 | 第24-26页 |
| ·薄膜电阻温度系数的测量 | 第26页 |
| ·薄膜应变因子的测量 | 第26-27页 |
| ·薄膜绝缘性能的测试 | 第27-28页 |
| 第三章 Cr-Si-Ni-Ti薄膜的制备与性能研究 | 第28-43页 |
| ·溅射条件对Cr-Si-Ni-Ti薄膜性能的影响 | 第28-34页 |
| ·溅射气压对Cr-Si-Ni-Ti薄膜性能的影响 | 第28-31页 |
| ·溅射气氛对Cr-Si-Ni-Ti-N薄膜性能的影响 | 第31-34页 |
| ·退火对Cr-Si-Ni-Ti薄膜性能的影响 | 第34-42页 |
| ·退火温度对薄膜微观组织的影响 | 第36-39页 |
| ·退火温度对薄膜电阻温度系数的影响 | 第39-40页 |
| ·退火温度对薄膜应变因子的影响 | 第40-41页 |
| ·退火温度对薄膜电阻率和方阻的影响 | 第41-42页 |
| ·本章小结 | 第42-43页 |
| 第四章 超高压压力传感器的制备研究 | 第43-54页 |
| ·压力传感器工作原理及制备工艺 | 第43-46页 |
| ·SiO_2绝缘薄膜的制备及性能研究 | 第46-48页 |
| ·敏感元件Cr-Si-Ni-Ti薄膜的制备 | 第48-49页 |
| ·金电极的制备 | 第49页 |
| ·SiNx保护薄膜的制备及性能研究 | 第49-51页 |
| ·光刻工艺参数的优化 | 第51-53页 |
| ·本章小结 | 第53-54页 |
| 第五章 结论与展望 | 第54-56页 |
| 致谢 | 第56-57页 |
| 参考文献 | 第57-61页 |
| 硕士研究生期间取得的研究成果 | 第61页 |