| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-15页 |
| ·单光子探测器概述 | 第8-9页 |
| ·单光子探测研究的背景 | 第8-9页 |
| ·单光子探测器的研究现状 | 第9页 |
| ·超导单光子探测器概述 | 第9-11页 |
| ·超导临界相变单光子探测技术与研究现状 | 第9-10页 |
| ·利用超导临界电流密度实现的单光子探测技术 | 第10-11页 |
| ·量子点单光子探测器概述 | 第11-13页 |
| ·半导体量子点的基本性质 | 第11-12页 |
| ·量子点单光子探测器的原理与研究现状 | 第12-13页 |
| ·本论文的主要工作 | 第13-15页 |
| 第二章 超导单光子探测器的模型及其求解 | 第15-22页 |
| ·基于NbN材料的SSPD结构模型 | 第15-16页 |
| ·超导热点模型的响应原理 | 第16-21页 |
| ·BCS理论介绍 | 第16-17页 |
| ·光子入射超导薄膜的能带理论分析 | 第17-18页 |
| ·NbN超导薄膜的"热点"响应原理和数值模型 | 第18-21页 |
| ·NbN超导薄膜"热点"数值模型的Matlab编程 | 第21-22页 |
| 第三章 超导单光子探测器性能分析 | 第22-28页 |
| ·NbN超导薄膜"热点"数值模型的数值分析 | 第22-26页 |
| ·准粒子浓度的扩散特性 | 第22-24页 |
| ·薄膜厚度对"热点"半径尺寸的影响分析 | 第24页 |
| ·入射光子能量对"热点"尺寸的影响 | 第24-26页 |
| ·入射光子能量对输出电压的影响 | 第26页 |
| ·小结 | 第26-28页 |
| 第四章 半导体量子点红外探测器(QDIP)的模型及其求解 | 第28-36页 |
| ·理论基础 | 第28-31页 |
| ·半导体中的电子态 | 第28-29页 |
| ·量子点的态密度 | 第29-31页 |
| ·量子点的主要特性 | 第31-32页 |
| ·量子尺寸效应 | 第31页 |
| ·小尺寸效应 | 第31-32页 |
| ·介电限域效应 | 第32页 |
| ·量子隧穿 | 第32页 |
| ·量子点红外探测器(QDIP)的结构模型 | 第32-34页 |
| ·量子点红外探测器的数值模型和分析 | 第34-35页 |
| ·量子点红外探测器的数值模型的Matlab编程 | 第35-36页 |
| 第五章 半导体量子点红外探测器(QDIP)的性能分析 | 第36-43页 |
| ·量子点红外探测器(QDIP)的性能分析 | 第36-42页 |
| ·内部结构参数对QDIP探测灵敏度的影响 | 第36-40页 |
| ·外部环境参数对QDIP探测灵敏度的影响 | 第40-42页 |
| ·小结 | 第42-43页 |
| 第六章 论文工作总结与展望 | 第43-45页 |
| 参考文献 | 第45-48页 |
| 致谢 | 第48-49页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文目录 | 第49页 |
