| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-10页 |
| 第1章 绪论 | 第10-22页 |
| ·课题研究的目的和意义 | 第10-11页 |
| ·国内外 CCD 辐照效应的研究状况 | 第11-21页 |
| ·辐照诱导 CCD 敏感参数的退化 | 第11-17页 |
| ·CCD 抗辐照加固技术研究进展 | 第17-19页 |
| ·CCD 辐照效应研究的发展趋势 | 第19-21页 |
| ·论文研究内容及主要工作 | 第21-22页 |
| 第2章 CCD 的结构、原理和辐照效应 | 第22-36页 |
| ·CCD 的基本结构和工作原理 | 第22-29页 |
| ·CCD 的基本结构 | 第22-25页 |
| ·CCD 的工作原理 | 第25-29页 |
| ·CCD 的辐照损伤效应 | 第29-35页 |
| ·CCD 的电离辐照效应 | 第29-32页 |
| ·CCD 的位移辐照效应 | 第32-35页 |
| ·本章小结 | 第35-36页 |
| 第3章 CCD 质子辐照损伤实验与分析 | 第36-82页 |
| ·CCD 质子辐照损伤实验 | 第36-44页 |
| ·质子辐照实验方法 | 第36-37页 |
| ·被辐照器件及其测试系统 | 第37-44页 |
| ·电荷转移效率的实验测试与退化机理分析 | 第44-57页 |
| ·电荷转移效率的测试方法 | 第44-46页 |
| ·电荷转移效率的实验测试结果与分析 | 第46-56页 |
| ·电荷转移效率的退化机理分析 | 第56-57页 |
| ·暗信号电压、暗信号不均匀性和暗信号尖峰的测试 | 第57-69页 |
| ·暗信号电压的实验结果与分析 | 第58-63页 |
| ·暗信号增大的机理分析 | 第63-66页 |
| ·暗信号不均匀性的实验测试结果与分析 | 第66-68页 |
| ·暗信号尖峰实验结果与分析 | 第68-69页 |
| ·哑元输出电压的实验测试与退化机理分析 | 第69-74页 |
| ·哑元输出电压的实验测试结果与分析 | 第69-74页 |
| ·哑元输出电压退化的损伤机理分析 | 第74页 |
| ·光响应不均匀性的实验测试与退化机理分析 | 第74-77页 |
| ·噪声、动态范围和信噪比的实验测试与分析 | 第77-81页 |
| ·本章小结 | 第81-82页 |
| 第4章 CCD 不同能量质子辐照损伤的比较 | 第82-100页 |
| ·质子的粒子输运理论计算方法 | 第82-86页 |
| ·核阻止或弹性能量损失 | 第82-84页 |
| ·电子阻止或非弹能量损失 | 第84-86页 |
| ·不同能量质子辐照 CCD 的粒子输运理论计算 | 第86-90页 |
| ·低能质子辐照 CCD 实验结果的比较与分析 | 第90-95页 |
| ·电荷转移效率退化的比较与分析 | 第90-92页 |
| ·暗信号电压退化的比较与分析 | 第92-94页 |
| ·哑元输出电位退化的比较与分析 | 第94-95页 |
| ·高能质子辐照 CCD 实验结果的比较与分析 | 第95-98页 |
| ·不同能量质子辐照损伤的等效性分析 | 第98-99页 |
| ·本章小结 | 第99-100页 |
| 第5章 CCD 质子辐照损伤效应的数值模拟 | 第100-127页 |
| ·CCD 器件建模 | 第100-104页 |
| ·器件结构和参数模型 | 第100-102页 |
| ·驱动电路设计 | 第102-104页 |
| ·器件物理模型 | 第104页 |
| ·CCD 信号电荷动态转移过程的数值模拟 | 第104-110页 |
| ·信号电荷包形成的数值模拟 | 第105-106页 |
| ·信号电荷包动态转移过程的数值模拟 | 第106-107页 |
| ·信号形成和转移过程中电子浓度分布的数值模拟 | 第107-109页 |
| ·信号形成和转移过程中势阱分布的数值模拟 | 第109-110页 |
| ·CCD 器件参数的数值模拟 | 第110-114页 |
| ·电荷转移效率的数值模拟 | 第110-113页 |
| ·暗信号的数值模拟 | 第113-114页 |
| ·CCD 质子辐照效应的数值模拟 | 第114-126页 |
| ·CCD 质子辐照效应建模 | 第114-116页 |
| ·CCD 质子位移辐照损伤效应的数值模拟 | 第116-123页 |
| ·CCD 质子电离辐照损伤效应的数值模拟 | 第123-126页 |
| ·本章小结 | 第126-127页 |
| 第6章 质子与中子、电子和γ辐照 CCD 损伤的异同性 | 第127-139页 |
| ·质子与中子辐照 CCD 损伤的异同性 | 第127-134页 |
| ·质子与中子辐照损伤作用机制的异同性 | 第127-130页 |
| ·质子与中子辐照损伤对 CCD 敏感参数退化的异同性 | 第130-134页 |
| ·质子与电子辐照 CCD 损伤的异同性 | 第134-135页 |
| ·质子与γ射线辐照 CCD 损伤的异同性 | 第135-138页 |
| ·本章小结 | 第138-139页 |
| 第7章 CCD 辐照损伤的预估方法 | 第139-153页 |
| ·NIEL 法 | 第139-141页 |
| ·解析法 | 第141-144页 |
| ·辐射输运法 | 第144-147页 |
| ·稳态缺陷法 | 第147-149页 |
| ·数值模拟法 | 第149-152页 |
| ·本章小结 | 第152-153页 |
| 第8章 结论与展望 | 第153-155页 |
| 参考文献 | 第155-160页 |
| 致谢 | 第160-162页 |
| 个人简历、在学期间发表的学术论文与研究成果 | 第162-163页 |