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电荷耦合器件质子辐照损伤实验及数值模拟研究

摘要第1-5页
Abstract第5-10页
第1章 绪论第10-22页
   ·课题研究的目的和意义第10-11页
   ·国内外 CCD 辐照效应的研究状况第11-21页
     ·辐照诱导 CCD 敏感参数的退化第11-17页
     ·CCD 抗辐照加固技术研究进展第17-19页
     ·CCD 辐照效应研究的发展趋势第19-21页
   ·论文研究内容及主要工作第21-22页
第2章 CCD 的结构、原理和辐照效应第22-36页
   ·CCD 的基本结构和工作原理第22-29页
     ·CCD 的基本结构第22-25页
     ·CCD 的工作原理第25-29页
   ·CCD 的辐照损伤效应第29-35页
     ·CCD 的电离辐照效应第29-32页
     ·CCD 的位移辐照效应第32-35页
   ·本章小结第35-36页
第3章 CCD 质子辐照损伤实验与分析第36-82页
   ·CCD 质子辐照损伤实验第36-44页
     ·质子辐照实验方法第36-37页
     ·被辐照器件及其测试系统第37-44页
   ·电荷转移效率的实验测试与退化机理分析第44-57页
     ·电荷转移效率的测试方法第44-46页
     ·电荷转移效率的实验测试结果与分析第46-56页
     ·电荷转移效率的退化机理分析第56-57页
   ·暗信号电压、暗信号不均匀性和暗信号尖峰的测试第57-69页
     ·暗信号电压的实验结果与分析第58-63页
     ·暗信号增大的机理分析第63-66页
     ·暗信号不均匀性的实验测试结果与分析第66-68页
     ·暗信号尖峰实验结果与分析第68-69页
   ·哑元输出电压的实验测试与退化机理分析第69-74页
     ·哑元输出电压的实验测试结果与分析第69-74页
     ·哑元输出电压退化的损伤机理分析第74页
   ·光响应不均匀性的实验测试与退化机理分析第74-77页
   ·噪声、动态范围和信噪比的实验测试与分析第77-81页
   ·本章小结第81-82页
第4章 CCD 不同能量质子辐照损伤的比较第82-100页
   ·质子的粒子输运理论计算方法第82-86页
     ·核阻止或弹性能量损失第82-84页
     ·电子阻止或非弹能量损失第84-86页
   ·不同能量质子辐照 CCD 的粒子输运理论计算第86-90页
   ·低能质子辐照 CCD 实验结果的比较与分析第90-95页
     ·电荷转移效率退化的比较与分析第90-92页
     ·暗信号电压退化的比较与分析第92-94页
     ·哑元输出电位退化的比较与分析第94-95页
   ·高能质子辐照 CCD 实验结果的比较与分析第95-98页
   ·不同能量质子辐照损伤的等效性分析第98-99页
   ·本章小结第99-100页
第5章 CCD 质子辐照损伤效应的数值模拟第100-127页
   ·CCD 器件建模第100-104页
     ·器件结构和参数模型第100-102页
     ·驱动电路设计第102-104页
     ·器件物理模型第104页
   ·CCD 信号电荷动态转移过程的数值模拟第104-110页
     ·信号电荷包形成的数值模拟第105-106页
     ·信号电荷包动态转移过程的数值模拟第106-107页
     ·信号形成和转移过程中电子浓度分布的数值模拟第107-109页
     ·信号形成和转移过程中势阱分布的数值模拟第109-110页
   ·CCD 器件参数的数值模拟第110-114页
     ·电荷转移效率的数值模拟第110-113页
     ·暗信号的数值模拟第113-114页
   ·CCD 质子辐照效应的数值模拟第114-126页
     ·CCD 质子辐照效应建模第114-116页
     ·CCD 质子位移辐照损伤效应的数值模拟第116-123页
     ·CCD 质子电离辐照损伤效应的数值模拟第123-126页
   ·本章小结第126-127页
第6章 质子与中子、电子和γ辐照 CCD 损伤的异同性第127-139页
   ·质子与中子辐照 CCD 损伤的异同性第127-134页
     ·质子与中子辐照损伤作用机制的异同性第127-130页
     ·质子与中子辐照损伤对 CCD 敏感参数退化的异同性第130-134页
   ·质子与电子辐照 CCD 损伤的异同性第134-135页
   ·质子与γ射线辐照 CCD 损伤的异同性第135-138页
   ·本章小结第138-139页
第7章 CCD 辐照损伤的预估方法第139-153页
   ·NIEL 法第139-141页
   ·解析法第141-144页
   ·辐射输运法第144-147页
   ·稳态缺陷法第147-149页
   ·数值模拟法第149-152页
   ·本章小结第152-153页
第8章 结论与展望第153-155页
参考文献第155-160页
致谢第160-162页
个人简历、在学期间发表的学术论文与研究成果第162-163页

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